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一种用于SiC MOSFET短路保护的改进型di/dt-RCD检测方法
An Improved di/dt-RCD Detection for Short-Circuit Protection of SiC mosfet
| 作者 | Ju Xue · Zhen Xin · Huai Wang · Poh Chiang Loh · Frede Blaabjerg |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 短路保护 di/dt检测 RCD电路 电力电子 可靠性 快速保护 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）MOSFET因短路耐受时间短，亟需更快速、精准的保护方案。本文提出一种结合快速di/dt检测与积分电路的方法，旨在通过检测短路电流的极速上升，实现对SiC器件的高效保护，提升电力电子系统的可靠性。
English Abstract
Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor has a smaller short-circuit tolerance, and hence, requires faster and more accurate short-circuit protection. One prospective method is to combine fast di/dt detection with an integration circuit. The former is for detecting the extremely fast increase of short-circuit current, while the latter is for generating a scaled copy of the...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC功率模块以提升功率密度和效率，该技术具有极高的应用价值。SiC器件短路耐受能力弱是系统设计的痛点，该改进型di/dt检测方法能显著缩短故障响应时间，有效降低器件失效风险。建议研发团队在下一代高频、高功率密度逆变器及PCS产品的驱动电路设计中引入该保护策略，以提升产品在极端工况下的可靠性，并优化驱动板的集成化设计。