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一种适用于SiC MOSFET的低成本、高性能且易于设计的电流检测电路分析与设计
Analysis and Design of a Low-Cost Well-Performance and Easy-to-Design Current Sensing Circuit Suitable for SiC mosfets
| 作者 | Chengzi Yang · Yunqing Pei · Laili Wang · Longyang Yu · Cheng Zhao · Mengyu Zhu · Xingshuo Liu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 电流采样电阻 SiC MOSFET 寄生电感 高di/dt 电流检测电路 电力电子 瞬态电流 |
语言:
中文摘要
电流采样电阻（CSR）因成本和集成优势广泛应用于工业领域。然而，在SiC MOSFET等高开关速度器件中，CSR的寄生电感会导致高di/dt下的瞬态电流采样出现严重偏差。本文提出了一种低成本、高性能且易于设计的电流检测电路，有效解决了SiC高频开关带来的采样干扰问题。
English Abstract
Current sense resistor (CSR) is widely used due to cost and integration considerations in industrial applications. However, when CSRs are used to sense transient currents caused by power device switching, especially fast-switching silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (mosfets) with high di/dt, even a tiny parasitic inductance in CSRs bring a significant impact o...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器（如SG系列）和储能系统（如PowerTitan）中全面推广SiC MOSFET以提升功率密度和效率，高频开关带来的电流采样噪声已成为制约系统性能的关键瓶颈。该研究提出的低成本采样方案，能够有效抑制SiC高di/dt引起的寄生电感干扰，提升电流环控制精度。建议研发团队在下一代高频化逆变器及PCS产品设计中引入该电路拓扑，以降低对昂贵电流传感器（如霍尔传感器）的依赖，在保证控制稳定性的同时，显著优化产品成本结构并提升系统动态响应能力。