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非对称布局与不均匀结温对开尔文源极连接并联SiC MOSFET电流分配的影响
Effect of Asymmetric Layout and Unequal Junction Temperature on Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection
| 作者 | Cheng Zhao · Laili Wang · Fan Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 并联连接 开尔文源极连接 电流均衡 非对称布局 结温 电力电子 |
语言:
中文摘要
针对高容量应用中并联SiC MOSFET的电流不均问题，本文研究了开尔文源极连接下，非对称布局和结温差异对电流分配的影响。研究旨在优化并联设计，提升开关速度与系统可靠性。
English Abstract
Parallel connection of silicon carbide (SiC) mosfets is a popular solution for high-capacity applications. In order to improve the switching speed of paralleled SiC mosfets, Kelvin-source connection is widely employed. However, the influences of asymmetric layout and unequal junction temperature on current sharing of paralleled SiC mosfets with Kelvin-source connection are not clear. This article ...
S
SunView 深度解读
该研究对阳光电源的高功率密度产品至关重要。在PowerTitan储能系统及大功率组串式逆变器中，SiC MOSFET的并联应用是提升效率的核心。非对称布局和结温不均直接影响器件的均流特性与寿命，进而影响整机可靠性。建议研发团队在功率模块设计阶段引入该文的仿真模型，优化PCB布线对称性，并结合iSolarCloud的运行数据，对关键功率器件进行更精准的热管理与寿命评估，从而提升产品在极端工况下的稳定性。