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通过功率模块底板电容的漏电流分析与抑制
Analysis and Cancellation of Leakage Current Through Power Module Baseplate Capacitance
| 作者 | Aaron D. Brovont · Andrew N. Lemmon · Christopher New · Blake W. Nelson · Brian T. DeBoi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带半导体 共模漏电流 功率模块底板 碳化硅 (SiC) 电磁特征 电力电子应用 |
语言:
中文摘要
宽禁带半导体的高速开关特性会在功率模块底板产生显著的共模（CM）漏电流，导致电磁干扰问题。本文针对典型的碳化硅（SiC）半桥多芯片功率模块，从理论上分析了该共模行为，并提出了相应的抑制策略，旨在优化电力电子系统的电磁兼容性。
English Abstract
The fast edge rates achievable by wide-bandgap semiconductors can produce significant common-mode (CM) leakage currents through the baseplates of encompassing power modules, which are known to produce elevated electromagnetic signatures for power electronic applications. This article provides a theoretical treatment of this CM behavior for a typical silicon carbide half-bridge multichip power modu...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块以提升功率密度和效率，高频开关带来的共模漏电流问题日益突出。本文的研究对于优化逆变器及PCS的电磁兼容（EMC）设计至关重要。建议研发团队参考该理论模型，在模块封装设计阶段优化寄生电容布局，并在PCB布线及滤波器设计中引入文中提到的抑制技术，以降低电磁辐射，确保产品在严苛的电网环境及安规标准下稳定运行，提升系统整体的可靠性与电磁环境友好性。