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共源共栅GaN/SiC:一种用于高频应用的新型宽禁带异质功率器件
Cascode GaN/SiC: A Wide-Bandgap Heterogenous Power Device for High-Frequency Applications
| 作者 | Jiale Xu · Lei Gu · Zhechi Ye · Saleh Kargarrazi · Juan Manuel Rivas-Davila |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | Cascode GaN/SiC 宽禁带 (Wide-Bandgap) 高频 功率变换器 开关器件 功率密度 异质器件 |
语言:
中文摘要
无线电能传输和等离子发生器等高频应用日益增多。提高开关频率可减少无源元件的储能需求,从而提升功率密度。然而,高频运行对开关器件的性能提出了更高要求。本文探讨了Cascode GaN/SiC异质结构器件,旨在通过结合两种宽禁带材料的优势,解决高频应用中的开关损耗与驱动难题。
English Abstract
Wireless power transfer systems and plasma generators are among the increasing number of applications that use high-frequency power converters. Increasing switching frequency can reduce the energy storage requirements of the passive elements that can lead to higher power densities or even the elimination of magnetic cores. However, operating at higher frequencies requires faster switching devices ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及户用储能产品具有重要参考价值。随着光伏逆变器向更高功率密度和更小体积演进,高频化是必然趋势。GaN与SiC的异质集成方案能有效平衡开关速度与驱动可靠性,有助于优化逆变器及PCS(储能变流器)的磁性元件设计,降低整机损耗。建议研发团队关注该器件在小型化户用逆变器及高频DC-DC变换器中的应用潜力,以进一步提升产品竞争力和转换效率。