← 返回
城市轨道交通应用中SiC MOSFET的二维短路检测保护
The Two-Dimensional Short-Circuit Detection Protection For SiC MOSFETs in Urban Rail Transit Application
| 作者 | Patrick Hofstetter · Mark-M. Bakran |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 故障诊断 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 短路检测 城市轨道交通 保护系统 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文研究了SiC MOSFET在城市轨道交通应用中的二维短路检测保护方法。针对轨道交通复杂工况下的高可靠性要求，该方法通过优化检测策略，有效提升了SiC器件在短路故障下的保护速度与准确性，解决了SiC器件在严苛环境下应用的关键挑战。
English Abstract
This article is an extension of our research, which was presented at the PCIM Europe conference in Nuremberg 2019. After proving the potential of the two-dimensional (2-D) short circuit detection method for SiC mosfets in the preceding work Hofstetter et al., this article presents the use of the protection system in an urban rail transit application. This introduces many challenges. It is shown ho...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的功率器件应用具有重要参考价值。随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan系列储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，短路保护的可靠性至关重要。该二维检测方法可优化逆变器及PCS的驱动电路设计，提升系统在极端故障下的生存能力。建议研发团队关注该保护策略在高温、高频工况下的鲁棒性，并将其纳入下一代高功率密度模块的保护逻辑设计中，以进一步提升产品在复杂电网环境下的可靠性。