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用于抑制并联碳化硅MOSFET瞬态电流不平衡的芯片分类方法
Chips Classification for Suppressing Transient Current Imbalance of Parallel-Connected Silicon Carbide MOSFETs
| 作者 | Junji Ke · Zhibin Zhao · Peng Sun · Huazhen Huang · James Abuogo · Xiang Cui |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 并联连接 电流不平衡 参数离散性 芯片分选 瞬态电流 电力电子 MOSFET |
语言:
中文摘要
本文研究了参数离散性对并联碳化硅（SiC）MOSFET瞬态电流分布的影响，并提出了一种芯片分类方法以抑制电流不平衡。文章首先对比了硅（Si）与SiC MOSFET的参数差异，随后提出了一种新的分类准则，旨在优化并联应用中的电流分配，提升功率模块的性能与可靠性。
English Abstract
This article addresses the influence of parameters spread on transient current distribution among parallel-connected silicon carbide (SiC) mosfets and proposes a chips classification method to suppress current imbalance. A comprehensive comparison of parameter spread between silicon (Si) and SiC mosfets is first presented. Then, a new classification criterion, referred to in this article as a dist...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品线，特别是组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统。随着SiC器件在高性能PCS及逆变器中的广泛应用，并联均流问题是提升功率模块可靠性的核心挑战。通过引入芯片分类方法，阳光电源可在生产端优化SiC模块的筛选流程，有效降低并联带来的瞬态电流应力，从而提升产品长期运行的可靠性，并进一步优化散热设计与成本控制，对提升下一代高频、高效电力电子产品的竞争力具有重要意义。