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考虑共源电感下SiC MOSFET消除串扰电压的高关断阻抗驱动器
High Off-State Impedance Gate Driver of SiC MOSFETs for Crosstalk Voltage Elimination Considering Common-Source Inductance
| 作者 | Chengmin Li · Zhebie Lu · Ying Chen · Chushan Li · Haoze Luo · Wuhua Li · Xiangning He |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 串扰电压 栅极驱动器 共源电感 关断阻抗 电力电子 开关可靠性 |
语言:
中文摘要
本文针对桥式电路中SiC MOSFET的栅源极串扰电压问题，分析了由栅漏电容和共源电感引起的电压分量。研究表明，抑制这两类串扰对关断栅极回路阻抗存在矛盾需求。文章提出了一种高关断阻抗驱动方案，有效解决了SiC器件在高频开关下的误导通问题，提升了功率变换器的可靠性。
English Abstract
The crosstalk voltage on the gate-source terminal of SiC power mosfets in a phase-leg circuit is composed of the gate-drain capacitor introduced voltage and the common-source inductor introduced voltage. The mathematical model of the crosstalk voltage indicates that to suppress two types of crosstalk voltage, there exists a contradictory requirement on the off-state gate loop impedance. This chall...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有重要价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用日益广泛，但其带来的串扰误导通风险是提升效率与可靠性的瓶颈。该研究提出的高关断阻抗驱动方案，可直接指导公司研发部门优化SiC驱动电路设计，有效抑制高频开关下的电压振荡，从而提升逆变器及储能变流器在复杂工况下的运行稳定性，降低功率模块失效风险，助力产品实现更优的能效表现。