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测量探头引入的SiC MOSFET阻抗导向瞬态不稳定性建模
Impedance-Oriented Transient Instability Modeling of SiC mosfet Intruded by Measurement Probes
| 作者 | Zheng Zeng · Xin Zhang · Frede Blaabjerg · Linjing Miao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 瞬态不稳定性 测量探头 寄生参数 开关速度 电力电子 阻抗建模 |
语言:
中文摘要
由于SiC MOSFET极快的开关速度，其对功率器件、电路布局及测量探头的寄生参数极其敏感。本文旨在揭示测量探头寄生参数对SiC MOSFET瞬态稳定性的影响机制，解决工业应用中因测量引入的不稳定性难题，为高频功率变换器的设计与测试提供理论支撑。
English Abstract
Due to the breakneck switching speed, SiC mosfet is extremely sensitive to parasitics in the power device, circuit layout, and also measurement probe. It is not clear how the parasitics of measurement probes affect the transient stability of SiC mosfet, and it poses an unsolved challenge for the industrial field. This paper focuses to uncover the transient instability mechanism of SiC mosfet intru...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan等储能系统中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率，高频开关带来的寄生参数敏感性已成为研发测试的重点。本文研究的测量探头干扰机制，直接关系到公司在研发阶段对SiC驱动电路优化及瞬态波形分析的准确性。建议研发团队在进行高频功率模块测试时，需严格评估探头寄生参数对测量结果的干扰，并优化测试电路布局，以确保在开发高效率、高功率密度产品时，能够准确评估器件的瞬态稳定性，避免因测量误差导致的误判，从而提升产品在极端工况下的可靠性。