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开关瞬态对GaN HEMT动态导通电阻影响的实验评估与分析
Experimental Evaluation and Analysis of Switching Transient's Effect on Dynamic on-Resistance in GaN HEMTs
| 作者 | Fei Yang · Chi Xu · Bilal Akin |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMTs 动态导通电阻 硬开关 开关瞬态 导通损耗 电力电子 功率半导体器件 |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）器件的动态导通电阻会导致转换器传导损耗增加，从而降低效率。本文首次通过实验评估了硬开关瞬态对商用高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）动态导通电阻的影响，并设计了一种具有快速传感速度的动态导通电阻测量方法。
English Abstract
The dynamic ON-resistance in gallium nitride (GaN) devices is problematic as it can impair the converter's efficiency the increased conduction loss. In this paper, the hard-switching transient's effect on the dynamic ON-resistance is, for the first evaluated experimentally on a commercial high-voltage GaN electron mobility transistor. A new Rdyn_ds,on measurement with fast sensing speed is designe...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为关键技术趋势。该研究揭示的硬开关瞬态对动态导通电阻的影响，直接关系到逆变器在实际工况下的效率表现与热设计可靠性。建议研发团队在iSolarCloud运维数据支撑下，将此测量方法引入功率模块的选型测试流程，优化驱动电路设计以抑制动态损耗，从而提升户用逆变器及微型逆变器的转换效率，并为下一代高频化电力电子变换器的可靠性设计提供理论依据。