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一种结合表面复合效应的SiC BJT改进SPICE模型
An Improved SPICE Model of SiC BJT Incorporating Surface Recombination Effect
| 作者 | Jun Wang · Shiwei Liang · Linfeng Deng · Xin Yin · Z. John Shen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC BJT SPICE模型 表面复合 电流增益 电力电子 器件建模 高温 大电流 |
语言:
中文摘要
SiC双极结型晶体管（BJT）是SiC MOSFET的重要替代方案。为推动其在电力电子领域的应用，建立精确的SPICE模型至关重要。本文针对SiC BJT在高电流和高温下电流增益显著下降的问题，重点研究了表面复合效应对器件性能的影响，并提出了一种改进的SPICE建模方法。
English Abstract
The SiC bipolar junction transistor (BJT) offers an attractive alternative to the more popular SiC mosfet. It is important to develop an accurate SPICE model for the SiC BJT to enable its use in power electronic applications. The current gain of an SiC BJT may degrade considerably at high current levels and/or at high temperatures largely due to the surface recombination effect. In this paper, an ...
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SunView 深度解读
SiC BJT作为宽禁带半导体器件，在高压、高温及高频应用中具有独特优势。对于阳光电源而言，该研究有助于提升组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）的功率密度与效率。通过引入表面复合效应的精确SPICE模型，研发团队可在仿真阶段更准确地预测SiC器件在极端工况下的热特性与电流增益衰减，从而优化驱动电路设计与热管理策略，提升产品在高温环境下的可靠性与长期运行稳定性。