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SiC功率MOSFET在重复雪崩冲击下动态特性退化的综合研究
Comprehensive Investigations on Degradations of Dynamic Characteristics for SiC Power MOSFETs Under Repetitive Avalanche Shocks
| 作者 | Jiaxing Wei · Siyang Liu · Sheng Li · Jiong Fang · Ting Li · Weifeng Sun |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC功率MOSFET 重复雪崩冲击 动态特性 SiC/SiO2界面 TCAD仿真 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文详细研究了SiC功率MOSFET在重复雪崩冲击下的动态特性退化。通过Silvaco TCAD仿真、栅极电容-电压（Cg-Vg）测量及三端电荷泵测试，证实了主要的损伤位置位于SiC/SiO2界面，揭示了器件在极端工况下的失效机理。
English Abstract
In this work, degradations of dynamic characteristics for silicon carbide (SiC) power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors under repetitive avalanche shocks are investigated in details. With the help of Silvaco TCAD simulations, gate capacitance versus gate voltage (Cg-Vg) measurement, and three-terminal charge pumping test, the main damaged position is demonstrated to be the SiC/SiO...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在光伏逆变器（如组串式SG系列）和储能系统（如PowerTitan）中大规模应用SiC功率模块以提升效率和功率密度，器件的可靠性至关重要。本文研究的重复雪崩冲击失效机理，对于优化逆变器在复杂电网环境下的过压保护策略、提升功率模块封装可靠性具有重要指导意义。建议研发团队参考该研究中的电荷泵测试方法，建立SiC器件的长期老化评估模型，以优化产品在极端工况下的鲁棒性设计。