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集成去耦电容的SiC MOSFET功率模块的电气性能与可靠性表征
Electrical Performance and Reliability Characterization of a SiC MOSFET Power Module With Embedded Decoupling Capacitors
| 作者 | Li Yang · Ke Li · Jingru Dai · Martin Corfield · Anne Harris · Krzysztof Paciura · John O'Brien · C. Mark Johnson |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 功率模块 去耦电容 寄生电感 开关瞬态 可靠性 宽禁带 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文研究了将去耦电容集成至1.2kV SiC MOSFET模块中的先进解决方案，旨在降低模块互连寄生电感的影响。研究报告了该集成模块的开关瞬态行为，结果表明其具备更快的开关速度，并对模块的电气性能与可靠性进行了表征。
English Abstract
Integration of decoupling capacitors into silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistor ( mosfet) modules is an advanced solution to mitigate the effect of parasitic inductance induced by module assembly interconnects. In this paper, the switching transient behavior is reported for a 1.2-kV SiC mosfet module with embedded dc-link capacitors. It shows faster switching tran...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，SiC器件的应用已成为提升功率密度和转换效率的关键。通过在模块内部集成去耦电容，可有效抑制高频开关下的电压尖峰，降低电磁干扰（EMI），从而允许更高的开关频率，进一步缩小磁性元件体积。建议研发团队在下一代高功率密度PCS及高压组串式逆变器设计中，引入此类集成化功率模块技术，以优化系统热管理并提升长期运行可靠性。