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SiC MOSFET栅极驱动器多自由度瞬态行为调节对比研究
Comparative Study on Multiple Degrees of Freedom of Gate Drivers for Transient Behavior Regulation of SiC MOSFET
| 作者 | Zheng Zeng · Xiaoling Li |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 栅极驱动器 瞬态行为 电压振荡 电流过冲 开关速度 杂散参数 |
语言:
中文摘要
针对SiC MOSFET因开关速度快及杂散参数导致的电压电流振荡与过冲问题，本文建立了栅极驱动调节下的开关行为模型，深入分析了利用栅极驱动抑制振荡与过冲的机制，为提升功率变换器的效率、安全性和稳定性提供了理论支撑。
English Abstract
Because of fast switching speeds and inevitable stray parameters, the efficiency, security, and stability properties of SiC mosfets in practice are challenged by voltage and current ringing and overshoot. In this paper, the turn-on and off behavior of an SiC mosfet regulated by a gate driver are modeled in detail, and insight mechanisms for suppressing the ringing and overshoot by using gate drive...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心产品线，如组串式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成主流。通过优化栅极驱动的多自由度调节，可有效抑制高频开关带来的电压过冲与电磁干扰，从而提升系统可靠性并降低滤波器设计难度。建议研发团队在下一代高压SiC功率模块设计中引入该驱动调节策略，以平衡开关损耗与电磁兼容性，进一步优化产品性能。