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一种用于安全工作区内外仿真的SiC功率MOSFET温度相关SPICE模型
A Temperature-Dependent SPICE Model of SiC Power MOSFETs for Within and Out-of-SOA Simulations
| 作者 | Michele Riccio · Vincenzo d Alessandro · Gianpaolo Romano · Luca Maresca · Giovanni Breglio · Andrea Irace |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC功率MOSFET SPICE模型 温度相关性 静态特性 动态特性 漏电流 碰撞电离 SOA |
语言:
中文摘要
本文提出了一种SiC功率MOSFET的温度相关SPICE模型。该模型描述了器件的静态和动态行为，并考虑了漏电流和碰撞电离效应。通过特性测试和数据手册提取与工艺相关的MOSFET参数，并采用SPICE标准组件及模拟行为建模模块实现。
English Abstract
This paper presents a temperature-dependent SPICE model for SiC power MOSFETs. The model describes the static and dynamic behavior and accounts for leakage current and impact ionization. The technology-dependent mosfet parameters are extracted from characterization measurements and datasheets. SPICE standard components and analog behavior modeling blocks are adopted for the model implementation. T...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成为主流。该温度相关模型能够精确模拟SiC MOSFET在极端工况下的热特性及安全工作区（SOA）表现，有助于优化逆变器及PCS的功率模块设计，提升系统在高温环境下的可靠性与热管理水平。建议研发团队将其引入仿真平台，以缩短高压大功率变换器的开发周期，并提升对器件失效机理的预测能力。