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宽电压和电流范围内SiC MOSFET开关行为精确建模的测量方法
Measurement Methodology for Accurate Modeling of SiC MOSFET Switching Behavior Over Wide Voltage and Current Ranges
| 作者 | Hiroyuki Sakairi · Tatsuya Yanagi · Hirotaka Otake · Naotaka Kuroda · Hiroaki Tanigawa |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 开关特性 器件建模 特性表征 电力电子 测量方法 |
语言:
中文摘要
本文提出两种新型测量方法，用于表征SiC MOSFET器件特性。通过获取的高精度数据，显著提升了定制化器件模型的提取精度，使其能够准确复现器件在宽电压和电流范围内的开关行为，解决了传统建模在复杂工况下精度不足的问题。
English Abstract
This paper presents two novel measurement methods to characterize silicon carbide (SiC) MOSFET devices. The resulting data are utilized to significantly improve the extraction of a custom device model that can now accurately reproduce device switching behavior. First, we consider the $I_{\text{d}}- V_{\text{ds}}$ output characteristics of power devices such as SiC transistors. These are typically ...
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SunView 深度解读
SiC器件是阳光电源提升逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心。该研究提出的高精度建模方法，能有效指导组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器中SiC模块的选型与驱动电路优化。通过更精准的开关行为仿真，研发团队可降低开关损耗，优化散热设计，并提升在高频工况下的电磁兼容性（EMC）表现。建议将此建模方法引入研发流程，以缩短SiC功率模块的开发周期，并提升产品在极端工况下的可靠性与转换效率。