← 返回

基于测量的无源器件通用阻抗表示

General Impedance Representation of Passive Devices Based on Measurement

作者 Tung Ngoc Nguyen · Handy Fortin Blanchette · Ruxi Wang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2018年8月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 功率变换器 寄生电容 隔离栅 SiC GaN 信号完整性 阻抗表示 电磁干扰
语言:

中文摘要

功率变换器中,高频噪声通过隔离屏障的寄生电容耦合至低压控制板,影响信号完整性。随着SiC和GaN等宽禁带半导体技术的应用,开关频率高达100MHz,使得噪声传播路径分析变得复杂。本文提出了一种基于测量的无源器件通用阻抗表示方法,旨在准确建模高频噪声路径,提升电力电子系统的电磁兼容性与控制稳定性。

English Abstract

Noise propagation from power stages of power converters to their low-voltage control boards depends on multiple complex paths, generally created by parasitic capacitors across isolation barriers. These barriers can be easily crossed by the high frequencies (up to 100 MHz [5]) generated by new semiconductor technologies such as SiC and GaN resulting in compromised signal integrity on the control si...
S

SunView 深度解读

该研究对阳光电源的核心产品线(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)具有重要意义。随着公司全面转向SiC功率器件以提升功率密度和效率,高频开关带来的EMI(电磁干扰)和信号完整性挑战日益严峻。该阻抗建模方法可应用于公司研发阶段的PCB布局优化与滤波器设计,有效抑制高频噪声对控制板的干扰,提升产品在复杂电网环境下的可靠性。建议研发团队将其集成至仿真流程中,以优化高频功率模块的电磁兼容设计。