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基于测量的无源器件通用阻抗表示
General Impedance Representation of Passive Devices Based on Measurement
| 作者 | Tung Ngoc Nguyen · Handy Fortin Blanchette · Ruxi Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率变换器 寄生电容 隔离栅 SiC GaN 信号完整性 阻抗表示 电磁干扰 |
语言:
中文摘要
功率变换器中,高频噪声通过隔离屏障的寄生电容耦合至低压控制板,影响信号完整性。随着SiC和GaN等宽禁带半导体技术的应用,开关频率高达100MHz,使得噪声传播路径分析变得复杂。本文提出了一种基于测量的无源器件通用阻抗表示方法,旨在准确建模高频噪声路径,提升电力电子系统的电磁兼容性与控制稳定性。
English Abstract
Noise propagation from power stages of power converters to their low-voltage control boards depends on multiple complex paths, generally created by parasitic capacitors across isolation barriers. These barriers can be easily crossed by the high frequencies (up to 100 MHz [5]) generated by new semiconductor technologies such as SiC and GaN resulting in compromised signal integrity on the control si...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)具有重要意义。随着公司全面转向SiC功率器件以提升功率密度和效率,高频开关带来的EMI(电磁干扰)和信号完整性挑战日益严峻。该阻抗建模方法可应用于公司研发阶段的PCB布局优化与滤波器设计,有效抑制高频噪声对控制板的干扰,提升产品在复杂电网环境下的可靠性。建议研发团队将其集成至仿真流程中,以优化高频功率模块的电磁兼容设计。