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光伏发电技术 GaN器件 ★ 5.0

通过2-氯噻吩溶剂调控埋入型给体的聚集行为以用于逐层有机光伏器件的室内应用

The mediated aggregation behavior of buried donor via 2-chlorothiophene solvent in the layer-by-layer organic photovoltaic for indoor application

Xingting Liu · Shanlei Xu · Weiguo Zhu · Xin Song · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

本研究探讨了在面向室内光照应用的逐层有机光伏器件中,采用2-氯噻吩作为加工溶剂对埋入型给体材料聚集行为的调控作用。结果表明,该溶剂可有效优化给体层的分子堆积与相分离形态,增强电荷传输性能,抑制复合损失。通过调控薄膜的微观结构,器件在低照度条件下展现出优异的光电转换效率与稳定性,为高性能室内有机光伏器件的设计提供了新思路。

解读: 该有机光伏薄膜微观结构调控技术对阳光电源室内光伏应用具有参考价值。研究中通过溶剂工程优化分子聚集与相分离的方法,可启发SG系列逆变器在低照度MPPT算法的优化设计,特别是针对室内分布式发电场景的弱光追踪策略。埋入型给体层的电荷传输优化思路,与阳光电源功率器件中GaN/SiC异质结界面工程存在共性,可...

功率器件技术 SiC器件 IGBT 功率模块 ★ 5.0

宽温应用下1.2kV SiC功率MOSFET与Si IGBT动态性能温度依赖性对比研究

Temperature Dependence of Dynamic Performance Characterization of 1.2-kV SiC Power mosfets Compared With Si IGBTs for Wide Temperature Applications

Jinwei Qi · Xu Yang · Xin Li · Kai Tian 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月

本文研究了1.2kV SiC MOSFET在宽温条件下的动态性能,并与Si IGBT进行了对比。由于SiC材料的优越性,其在实现高功率密度和高效率转换方面具有巨大潜力。研究极端温度下的开关特性对于保障电力转换系统的安全与持续运行至关重要。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心功率变换技术。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率,理解SiC在极端温度下的动态特性对于优化驱动电路设计、提升系统热管理能力及可靠性至关重要。建议研发团队利用该研究结论,完善SiC模块的选型标准及驱动参...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 ★ 2.0

多频谐振补偿无线电能传输开关磁阻电机驱动系统

Multifrequency Resonant Compensated Wireless Power Transfer SRM Drive System

Jun Cai · Bin Li · Yangyang Chen · Shoujun Song 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月

本文提出了一种具备零电压开关(ZVS)特性的无线电能传输(WPT)开关磁阻电机(SRM)驱动系统。该系统通过发射侧的双解耦谐振槽路与接收侧的混合补偿网络,实现了多频谐振传输,有效提升了驱动系统的功率密度与转换效率。

解读: 该文献探讨的无线电能传输(WPT)技术目前主要应用于电动汽车无线充电领域。对于阳光电源而言,虽然目前核心业务聚焦于光伏逆变器、储能系统及有线充电桩,但WPT技术代表了未来能源传输的潜在演进方向。建议研发团队关注该技术在特定工业场景下的非接触式供电潜力,特别是针对iSolarCloud运维平台中可能涉...

控制与算法 PWM控制 光伏逆变器 储能变流器PCS ★ 5.0

一种基于FPGA的带关键路径延迟补偿的分段延迟线DPWM

A New FPGA-Based Segmented Delay-Line DPWM With Compensation for Critical Path Delays

Xin Cheng · Ruifeng Song · Guangjun Xie · Yu Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年12月

在数字脉宽调制(DPWM)中,逻辑门和互连线的传播延迟会导致占空比产生非预期的增加,当延迟达到开关周期量级时,会严重影响变换器的调节性能。本文提出了一种基于FPGA的分段延迟线DPWM方案,通过补偿关键路径延迟,有效解决了高分辨率DPWM中的占空比畸变问题,提升了电力电子变换器的控制精度。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式光伏逆变器和PowerTitan储能变流器)具有重要意义。随着开关频率的提升和对高功率密度要求的增加,数字控制的精度直接决定了变换器的输出质量和效率。通过在FPGA中实现该补偿算法,可有效消除高频开关下的占空比误差,减少输出电流谐波,提升并网电能质量。建议研发团...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

通过多功能单片保护电路提高GaN功率HEMT的稳定性

Stability Improvement of GaN Power HEMT by a Multifunctional Monolithic Protection Circuit

Qihao Song · Xin Yang · Bixuan Wang · Everest Litchford 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

本文提出了一种与GaN功率HEMT单片集成的栅极静电放电(ESD)保护电路。该多功能电路不仅增强了栅极的ESD鲁棒性,还在功率HEMT正常开关操作期间提高了导通电阻(RON)和阈值电压(VTH)的稳定性。

解读: GaN作为宽禁带半导体,在提升功率密度和开关频率方面具有显著优势。该研究提出的单片集成保护电路有效解决了GaN器件在实际应用中常见的ESD脆弱性及动态导通电阻漂移问题,这对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要参考价值。通过提升器件级的可靠性,可进一步缩小逆变器体积并提升转换效率。建议研...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

考虑无米勒平台效应的SiC MOSFET零关断损耗转换的确定与实现

Determination and Implementation of SiC MOSFETs Zero Turn-off Loss Transition Considering No Miller Plateau

Shijie Song · Han Peng · Xinbo Chen · Qing Xin 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月

本文探讨了在零电压开关(ZVS)变换器中实现SiC MOSFET零关断损耗(ZTL)的方法。针对现有研究中对ZTL现象量化模型缺失及开关瞬态假设不准确的问题,本文提出了新的分析模型,旨在突破开关频率限制,进一步提升电力电子变换器的功率密度。

解读: 该技术对于阳光电源的核心产品线具有重大意义。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)中,SiC MOSFET的应用已成为提升功率密度和效率的关键。通过实现零关断损耗(ZTL),可以显著降低高频开关下的发热,从而缩小散热器体积,提升整机功率密度。建议研发团队在...

控制与算法 PWM控制 光伏逆变器 储能变流器PCS ★ 4.0

带外部斜坡补偿的电流模式恒定导通时间控制的采样数据建模

The Sampled-Data Modeling for Current Mode Constant On-Time Control With External Ramp Compensation

Na Yan · Qidong Wang · Xin Li · Che Song 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

本文研究了带外部斜坡补偿的电流模式恒定导通时间(COT)控制的采样数据建模方法。以往模型仅考虑零斜坡补偿情况,本文发现引入斜坡补偿后,占空比扰动与采样时刻感测电流扰动之间的比值不再恒定,并提出了修正的采样数据模型,提高了COT控制在电力电子变换器中的稳定性分析精度。

解读: COT控制因其优异的瞬态响应能力,常被应用于阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS产品中。然而,COT控制在宽输入电压范围或重载下易出现稳定性问题。本文提出的带斜坡补偿的采样数据建模方法,能更精确地预测系统稳定性边界,有助于研发团队在产品设计阶段优化补偿参数,提升变换器在复杂电网环境下的抗扰动能力...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

1.2kV垂直结构氮化镓结型场效应晶体管的评估及兆赫兹变换器应用

Evaluation and MHz Converter Application of 1.2-kV Vertical GaN JFET

Xin Yang · Ruizhe Zhang · Qiuzhe Yang · Qihao Song 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文首次对1.2kV、75mΩ的垂直结构氮化镓(GaN)结型场效应晶体管(JFET)进行了全面评估。该器件具备低导通电阻、常关特性及雪崩能力。通过优化RC接口栅极驱动器,研究了其在兆赫兹高频变换器中的应用潜力。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器和户用储能系统向高功率密度、小型化方向发展,对开关频率和效率的要求日益严苛。1.2kV垂直GaN JFET作为宽禁带半导体的前沿技术,其高频特性可显著减小磁性元件体积,提升系统功率密度。建议研发团队关注该器件在户用光伏逆变器及小型化DC-DC变换器中的应用潜力,特别是在提升转...

风电变流技术 储能系统 SiC器件 构网型GFM ★ 5.0

基于LCC辅助二极管整流器的构网型海上风电场并网技术

Grid-Forming Offshore Wind Farm Integration Through LCC-Assisted Diode Rectifier

Kailun Wang · Zhiyong Yuan · Qiang Song · Qingming Xin 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2024年10月

提出一种线路换相换流器(LCC)辅助二极管整流器(LCCA-DR)用于海上风电场(OWF)并网。该结构在直流侧将小容量LCC与二极管整流器串联,为高压直流(HVdc)输电提供有功功率调控自由度,实现风电场本地功率平衡。风电机组变流器可采用经典的P/f和Q/V型构网控制,作为虚拟同步机(VSG)运行,而LCCA-DR则充当虚拟调速器(VG),调节海上交流电网频率,实现同步运行。VSG-VG协同控制实现功率解耦,提升控制性能与系统稳定性。由于HVdc有功调节仅需微小直流电压变化,LCC容量占比低,相...

解读: 该研究提出的LCCA-DR构网控制方案对阳光电源的储能与风电产品线具有重要参考价值。其VSG-VG协同控制架构可优化ST系列储能变流器的并网性能,特别是在大规模储能电站中实现更稳定的功率解耦控制。LCC辅助整流的低容量比设计思路,可启发PowerTitan系统的拓扑优化,降低成本。VSG构网控制策略...

储能系统技术 储能系统 构网型GFM ★ 5.0

系统强度约束下的构网型储能规划在可再生能源电力系统中的应用

System Strength Constrained Grid-Forming Energy Storage Planning in Renewable Power Systems

Yun Liu · Yue Chen · Huanhai Xin · Jingzhe Tu 等6人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2024年11月

随着基于逆变器的可再生能源逐步替代同步发电机,现代电力系统的系统强度显著下降,可能引发小信号稳定性问题。构网型换流器储能系统虽在提升系统强度方面具有灵活性和有效性,但其规划阶段的经济性与系统强度支撑能力协同优化仍缺乏研究。本文提出一种考虑系统强度约束的构网型储能优化规划方法,以实现期望的小信号稳定裕度。基于广义短路比框架,量化储能容量与位置对系统强度的影响,并构建含特征值约束的选址定容优化模型。考虑有无候选站点数量限制两种场景,设计基于二次支撑函数的迭代优化算法求解。在改进的IEEE 39节点和...

解读: 该研究对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统的构网型GFM控制技术具有重要应用价值。文中提出的基于广义短路比的储能选址定容优化方法,可直接应用于阳光电源储能系统规划方案设计,通过量化储能容量与位置对系统强度的贡献,优化PowerTitan在弱电网场景下的配置策略。特征值约束的...

储能系统技术 储能系统 PWM控制 ★ 4.0

结合数据驱动和等效电路模型的无线电力传输系统互感和负载识别

Mutual Inductance and Load Identification of Wireless Power Transfer Systems Combining Data-Driven and Equivalent Circuit Models

Tong Gao · Hong Cheng · Wei Yuan · Qianqian Song 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月

提出结合支持向量回归数据驱动模型和等效电路模型的联合互感识别方法,准确识别系统互耦合和负载变化不同条件。该混合方法提高了参数识别精度和鲁棒性,为WPT系统自适应控制提供了可靠输入。实验验证该方法在多种工况下的有效性。

解读: 该混合识别方法研究对阳光电源无线充电智能控制有重要价值。数据驱动和等效电路模型结合的技术可应用于阳光iSolarCloud平台无线充电系统参数自适应,提升控制精度和系统鲁棒性。...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

CuW触头在C4F7N/CO2气体混合物中烧蚀性能的实验研究

Experimental study on the ablation performance of CuW contacts in a C4F7N/CO2 gas mixture (2024)

Xueying Gao · Xin Lin · Yi Ding · Xinyu Tao 等5人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年12月

铜钨合金(CuW)是高压断路器中最常用的触头材料,其抗烧蚀性能直接影响断路器寿命与电网安全。本文研究了四种不同钨含量(70、75、80、85 wt%)的CuW触头在SF6及9%C4F7N/91%CO2混合气体中的烧蚀特性,进行23 kA开断电流下的20次电弧烧蚀实验。通过分析烧蚀率、接触电阻及表面宏观形貌与截面微观结构的变化,比较不同气体环境下W含量对CuW触头抗烧蚀性能的影响。结果表明,在C4F7N/CO2混合气体中,随W含量增加,触头烧蚀率、表面裂纹和接触电阻均上升,抗烧蚀能力下降;CuW7...

解读: 该CuW触头烧蚀特性研究对阳光电源储能系统的高压开关设备选型具有重要参考价值。PowerTitan大型储能系统中1500V高压直流断路器和交流接触器需承受频繁开断操作,研究表明CuW70触头在环保气体C4F7N/CO2中具有最优烧蚀性能和接触电阻稳定性,可替代SF6方案应用于ST系列储能变流器的输入...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

通过多功能单片保护电路提高GaN功率HEMT的稳定性

Stability Improvement of GaN Power HEMT by a Multifunctional Monolithic Protection Circuit

Qihao Song · Xin Yang · Bixuan Wang · Everest Litchford 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文提出了一种与氮化镓(GaN)功率高电子迁移率晶体管(HEMT)单片集成的栅极静电放电(ESD)保护电路。除了增强栅极在ESD事件中的鲁棒性外,该多功能电路还能提高功率HEMT在正常开关操作时导通电阻($R_{ON}$)和阈值电压($V_{TH}$)的稳定性。这种改进的实现方式是在关断状态下钳位HEMT的负栅极偏置($V_{G}$),而负栅极偏置是功率p型栅极GaN HEMT中$R_{ON}$和$V_{TH}$不稳定的关键原因。本文搭建了一个电路装置,用于原位监测动态$R_{ON}$及其从第一...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GaN功率HEMT单片集成保护电路技术具有重要的战略价值。作为光伏逆变器和储能变流器的核心功率器件,GaN HEMT因其高开关频率、低导通损耗和高功率密度特性,是实现系统小型化和效率提升的关键技术路径。 该研究解决的核心痛点直接关系到我们产品的可靠性表现。在光伏逆变器...