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1.2kV垂直结构氮化镓结型场效应晶体管的评估及兆赫兹变换器应用
Evaluation and MHz Converter Application of 1.2-kV Vertical GaN JFET
| 作者 | Xin Yang · Ruizhe Zhang · Qiuzhe Yang · Qihao Song · Everest Litchford · Andy J. Walker · Subhash Pidaparthi · Cliff Drowley · Dong Dong · Qiang Li · Yuhao Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 DC-DC变换器 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 1.2 kV垂直结构GaN JFET 鳍片沟道 比导通电阻 常关型 雪崩能力 栅极驱动器 MHz变换器 |
语言:
中文摘要
本文首次对1.2kV、75mΩ的垂直结构氮化镓（GaN）结型场效应晶体管（JFET）进行了全面评估。该器件具备低导通电阻、常关特性及雪崩能力。通过优化RC接口栅极驱动器，研究了其在兆赫兹高频变换器中的应用潜力。
English Abstract
The 1.2 kV vertical GaN fin-channel junction field-effect transistor (JFET) is an emerging industrial device with low specific on-resistance (RON), normally-off operation, and avalanche capability. This article reports the first comprehensive evaluation of 1.2 kV, 75 mΩ gallium nitride (GaN) JFET in converter applications. The RC-interface gate driver is optimized through the double-pulse test (DP...
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SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器和户用储能系统向高功率密度、小型化方向发展，对开关频率和效率的要求日益严苛。1.2kV垂直GaN JFET作为宽禁带半导体的前沿技术，其高频特性可显著减小磁性元件体积，提升系统功率密度。建议研发团队关注该器件在户用光伏逆变器及小型化DC-DC变换器中的应用潜力，特别是在提升转换效率和降低散热成本方面的优势。尽管目前该器件处于工业化初期，但其雪崩能力和常关特性为未来替代SiC器件、实现更高频的电力电子变换提供了技术储备。