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储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

具有自供电功能的光电忆阻器用于动态信息识别

Photoelectric Memristor With Self-Powered for Dynamic Information Recognition

Dong-Liang Li · Zhi-Long Chen · Xin-Gui Tang · Qi-Jun Sun 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月

仿生视觉系统可实现对外界信息的光感知与图像处理。光电突触器件是该系统的基本单元。本文提出一种基于HfO2/Bi4Ti3O12(BIT)异质结的具突触行为的光电忆阻器,通过异质结中光生载流子的捕获与释放产生持续光电流(PPC)。在光脉冲刺激下可模拟多种突触行为,如双脉冲易化、脉冲数依赖可塑性及脉冲宽度依赖可塑性,并实现短时记忆(STM)向长时记忆(LTM)的转变。构建3×5阵列,利用器件时间动态特性区分动态输入。由光电突触器件构建的物理储层不仅提升数据处理速度,还实现高效数据存储,为图像、语音识别...

解读: 该光电忆阻器技术对阳光电源储能系统的智能化升级具有前瞻性启发价值。其基于HfO2/BIT异质结的突触行为特性,可应用于ST系列储能变流器的智能故障诊断模块,通过模拟生物视觉系统实现光伏阵列热斑、组件异常的实时图像识别。持续光电流特性与短时/长时记忆转换机制,可优化iSolarCloud云平台的预测性...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于三端口高频隔离变换器及其控制策略的混合式先进牵引供电装置

A Hybrid Advanced Traction Power Supply Equipment Based on Triple-Port High-Frequency Isolated Converter With Its Control Strategy

Xin Wang · Qi Guo · Chunming Tu · Fan Xiao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

基于电力电子技术的先进牵引供电设备(ATPSE)为同时解决负序电能质量和电分相问题提供了契机。然而,现有的工频/高频隔离方案仍面临功率密度低和投资成本高等挑战。为解决这些问题,本文提出了一种基于三端口高频隔离直流变换器和现有牵引变压器的高频隔离型先进牵引供电设备(HI - ATPSE)。与现有的高频隔离方案相比,所提出的HI - ATPSE通过共享输出端口,有效减小了设备体积并降低了初始成本。此外,针对所提出的HI - ATPSE内部的电能质量问题,提出了一种控制策略,该策略可在降低直流侧电容值...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于三端口高频隔离变换器的混合牵引供电技术具有重要的战略参考价值。该技术通过高频隔离方案解决负序功率和中性段问题,其核心理念与阳光电源在光储变换器领域积累的多端口拓扑、高频隔离及功率变换技术高度契合。 从技术协同角度分析,论文提出的三端口高频隔离DC变换器架构与阳光电...

电动汽车驱动 宽禁带半导体 多电平 ★ 5.0

低开关频率下电机驱动的预测电流控制

Predictive Current Control in Motor Drives Operating at Steady Low Switching Frequency

Xin Qi · Jiashi Ren · Yi Deng · Joachim Holtz 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年12月

尽管多电平逆变器和宽带隙开关取得了进展,但让高功率逆变器在低开关频率下运行以降低开关损耗仍然非常有益,开关损耗对于提高系统效率和延长系统寿命至关重要。关于在低开关频率下控制电力驱动的问题已经开展了大量研究,尤其是预测方法提供了非常好的解决方案。本文探讨了一种经典的预测电流控制方法,即边界圆预测方案,并提出了改进措施,使开关频率接近预定水平。这通过控制边界电路的半径来实现。在从边界圆与开关频率之间的非线性相互作用中推导出线性关系后,所提出的方案动态调整边界圆,使逆变器运行接近预设的低频,从而在最大...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项预测电流控制技术对我们在大功率光伏逆变器和储能变流器领域具有重要的应用价值。当前我们的MW级集中式逆变器和储能PCS系统面临着功率密度提升与开关损耗控制的矛盾,该技术通过边界圆预测控制方案在低开关频率下实现精确电流控制,为解决这一核心问题提供了新思路。 技术价值方面,...

储能系统技术 储能系统 可靠性分析 ★ 4.0

一种考虑ISLDN中三相不平衡与经济运行的F-SOP综合控制策略

A Comprehensive Control Strategy for F-SOP Considering Three-Phase Imbalance and Economic Operation in ISLDN

Xin Wang · Qi Guo · Chunming Tu · Liang Che 等6人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2024年8月

随着可再生能源和单相负荷的大量接入,低压配电网中三相不平衡及变压器轻/重载运行问题日益突出。现有互联低压配电网(ISLDN)研究较少同时兼顾上述两类问题的综合调控。为此,本文提出一种基于四桥臂软开点(F-SOP)的综合控制策略。首先建立包含F-SOP与变压器的系统综合损耗模型,揭示不平衡度与负载率对设备效率的影响;其次,以最小化网络损耗为目标,提出计及三相不平衡约束与经济运行区间的优化调度方法,生成F-SOP的功率指令;进一步设计改进的对等控制策略,确保优化调度实施并提升系统稳定性。仿真与实验验...

解读: 该F-SOP综合控制策略对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan系统具有重要应用价值。文章提出的四桥臂拓扑与三相不平衡治理技术可直接应用于阳光电源储能PCS产品,提升其在分布式光伏大量接入场景下的电能质量调节能力。所提优化调度方法与改进对等控制策略可融入iSolarCloud平台,实现储能...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于并行执行的光伏与储能集成柔性牵引供电系统实时能量管理策略

Parallel-Execute-Based Real-time Energy Management Strategy for FTPSS integrated PV and ESS

Junhao Li · Qi Guo · Xin Wang · Chunming Tu 等7人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.385

摘要 构建集成铁路电力调节器(RPC)、储能系统(ESS)和光伏发电(PV)的柔性牵引供电系统(FTPSS),对于实现低碳、经济的铁路运输具有重要意义。然而,现有的基于规则的能量管理策略(EMS)仅关注RPC与ESS,其在接入光伏的FTPSS中适用性和经济性受限。此外,FTPSS的运行优化模型复杂且数据密集,导致现有优化型EMS在可靠性与实时性方面普遍表现不佳。为此,本文提出一种基于并行执行的FTPSS实时能量管理策略,适用于集成光伏与储能的系统。首先,通过改进的基于规则的EMS实现对光伏、储能...

解读: 该轨道交通柔性供电系统的并行执行能量管理策略对阳光电源ST系列储能变流器与SG光伏逆变器的协同控制具有重要参考价值。文中提出的规则与优化算法并行切换机制可应用于PowerTitan储能系统,提升多能源协调的实时性与经济性。三相不平衡治理技术可增强阳光电源在轨道交通场景的RPC产品竞争力。建议将该多目...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于帽层设计的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能研究

Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design

Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.224

摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs,发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应,能够提高二维电子气(2DEG)密度,从而获得更高的饱和电流,并使击穿电压从615 V(GaN帽层)提升至895 V(AlN帽层)。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现,表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱,导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...

解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V,梯度帽层结构更达1308V,2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向:通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能,支持...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

总电离剂量辐射引起的p-GaN栅极HEMTs漏电流退化

Total-Ionizing-Dose Radiation-Induced Leakage Current Degradation in p-GaN Gate HEMTs

Zhao Wang · Xin Zhou · Qingchen Jiang · Zhengyuan Peng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月

本研究对 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管(HEMT)中总电离剂量(TID)辐射诱发的漏极泄漏电流(<inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">${I} _{\text {off}}$ </tex-math></inline-formula>)退化现象进行了研究。辐射诱发...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于p-GaN栅极HEMT器件抗总电离剂量辐射性能的研究具有重要的战略参考价值。GaN基HEMT器件因其高频、高效、耐高温特性,正逐步成为光伏逆变器和储能变流器中功率转换模块的核心器件,直接影响系统的转换效率和可靠性。 该研究揭示的辐射损伤机制对我司产品在特殊应用场景...