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双三相永磁同步电机带谐波补偿的解耦容错模型预测电流控制
Decoupled Fault-Tolerant Model Predictive Current Control for Dual Three-Phase PMSMs With Harmonic Compensation
Jia Cui · Jinghua Ji · Wenxiang Zhao · Tao Tao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月
本文提出了一种针对双三相永磁同步电机的解耦容错模型预测电流控制策略，并引入了谐波补偿方案。通过设计谐波闭环控制，有效抑制了开路故障下由非正弦反电动势引起的谐波干扰，实现了故障状态下的稳定运行。
解读: 该研究聚焦于多相电机的高可靠性控制，虽然阳光电源目前核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及风电变流器，但其提出的“模型预测控制（MPC）”与“容错控制”技术在电力电子领域具有通用性。对于阳光电源的风电变流器产品线，该技术可提升发电机侧变流器在故障工况下的鲁棒性；同时，MPC算法在储能PCS的高性能电...
一种基于聚类分析与遗传算法的串联电池组主动均衡新方法
A Novel Active Equalization Method for Series-Connected Battery Packs Based on Clustering Analysis With Genetic Algorithm
Sun Jinlei · Liu Wei · Tang Chuanyu · Wang Tianru 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
电池组的不一致性限制了电动汽车和储能系统的性能与可用容量。本文提出了一种基于聚类分析和遗传算法的主动均衡新方法，旨在解决制造工艺和环境差异导致的电荷不平衡问题，从而提升电池组的整体功率性能和可用能量。
解读: 该技术直接服务于阳光电源的储能业务（PowerTitan、PowerStack系列）。电池均衡技术是BMS的核心，直接影响储能系统的可用容量（SoE）和循环寿命。通过引入聚类分析和遗传算法，可以更精准地识别电池组内的不一致性，优化均衡策略，从而降低系统运维成本，提升PowerTitan等大型储能系统...
基于等效树图的多模式混合动力汽车系统设计与优化方法
Systematic Design and Optimization Method of Multimode Hybrid Electric Vehicles Based on Equivalent Tree Graph
Tao Deng · Peng Tang · Zhenghua Su · Yuanping Luo · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
多模式混合动力汽车（HEV）因其高效和卓越性能被广泛应用，但其架构、参数及控制策略的复杂性增加了设计难度。本文提出了一种基于等效树图的系统化设计与优化方法，旨在解决多模式HEV设计中的复杂性问题，以实现更优的系统性能。
解读: 该文献聚焦于混合动力汽车（HEV）的系统架构与控制优化，与阳光电源现有的电动汽车充电桩业务存在一定技术重叠，特别是在功率电子变换器拓扑选择与系统级控制策略方面。虽然阳光电源目前侧重于充电基础设施，但该研究中提出的“等效树图”优化方法可为充电桩内部的高效功率变换模块设计提供参考。建议研发团队关注其在多...
基于参数优化的LCC-S型磁耦合无线电能传输系统EMI抑制方法
EMI Suppression Method for LCC-S MC-WPT Systems by Parameter Optimization
Pengqi Deng · Chunsen Tang · Min Sun · Zhe Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
磁耦合无线电能传输（MC-WPT）系统中的励磁电流谐波及开关噪声会通过耦合线圈产生电磁干扰（EMI）。本文从参数设计角度提出了一种干扰源抑制方法，通过优化参数设计，有效降低了原边和副边耦合线圈电流的总谐波失真（THD），从而抑制了EMI水平。
解读: 该研究聚焦于无线电能传输（WPT）系统的EMI抑制，这对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有前瞻性参考价值。随着大功率无线充电技术的演进，电磁兼容性是产品认证与市场准入的关键。虽然目前阳光电源主营业务以有线充电桩为主，但该文提出的基于参数优化的谐波抑制策略，可迁移至公司现有的高频DC-DC变换器或充电桩...
考虑温度相关特性的SiC MOSFET开关串扰建模与分析
Modeling and Analysis for Switching Crosstalk of SiC MOSFETs Considering Temperature- Dependent Characteristics
Hao Yue · Wensheng Song · Jian Chen · Tao Tang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
相比硅器件，碳化硅(SiC) MOSFET具有更快的开关速度和更低的损耗，是高压高频变换器的理想选择。然而，其极高的电压变化率(dv/dt)和反向恢复电流会导致严重的串扰问题，特别是在高温工况下。本文针对SiC MOSFET的开关串扰进行了建模与分析。
解读: SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器和储能变流器（PCS）功率密度与效率的核心技术。随着PowerTitan等储能系统及组串式逆变器向更高电压等级和开关频率演进，SiC MOSFET的串扰问题直接影响系统的电磁兼容性(EMC)与可靠性。本文提出的温度相关串扰模型，对优化阳光电源功率模块的驱动电路设计、...
一种基于PCB RCCS的并联IGBT模块瞬态电流平衡有源门极驱动方法
An Active Gate Driver Method for Transient Current Balancing of Parallel IGBT Modules Based on PCB RCCS
Tao Tang · Wensheng Song · Jian Chen · Tingwen Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
多并联IGBT模块可提升功率变换器载流能力，但因参数不一致及工况差异，易导致瞬态电流不平衡，引发“电-热”应力分布不均，威胁系统安全。本文提出一种基于PCB集成Rogowski线圈电流传感器（RCCS）的有源门极驱动方法，有效改善并联模块间的瞬态电流均衡性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如集中式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高的应用价值。在大功率电力电子设备中，IGBT模块的并联是实现高功率密度的关键，但电流不平衡往往限制了器件的利用率并影响系统寿命。通过引入基于PCB RCCS的有源门极驱动技术，公司可以更精准...
多变换器直流微电网的先进惯性下垂控制：阻抗建模、参数设计与同步方法
Advanced Inertia Droop Control for Multiconverter DC Microgrids: Impedance Modeling, Parameter Design, and Synchronization Methodology
Lizheng Sun · Feng Wang · XingAo Tao · Ziyi Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
在直流微电网中，电力电子变换器的快速响应导致系统惯性不足，严重威胁直流母线电压稳定性。惯性下垂控制（IDC）通过修改下垂系数模拟虚拟惯性来解决该问题。本文针对多变换器直流微电网，提出了先进的惯性下垂控制策略，涵盖了阻抗建模、参数优化设计及同步方法，有效改善了直流母线电压的动态稳定性。
解读: 该研究对于阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及微电网解决方案具有重要参考价值。随着储能系统在直流微电网和构网型（GFM）应用中的占比提升，直流母线电压的稳定性至关重要。本文提出的惯性下垂控制策略及其阻抗建模方法，可优化阳光电源PCS产品的控制算法，提升系统在弱电网或孤...
基于最大恢复电流的P-I-N二极管结温在线监测方法
Online Monitoring Method of P-I-N Diode Temperature Based on Maximum Recovery Current
Kexin Yang · Wensheng Song · Tao Tang · Jian Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
P-i-N二极管是电力电子设备中的关键功率器件，其结温是评估系统可靠性的核心指标。本文提出了一种基于最大恢复电流的P-i-N二极管在线结温监测方法。通过分析最大恢复电流与结温之间的物理关系，实现了在不影响系统正常运行的前提下，对器件热状态的实时监测，为功率模块的寿命预测和热管理提供了有效手段。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）具有极高的应用价值。功率模块是上述设备中最易受热应力影响的薄弱环节，通过引入基于最大恢复电流的在线结温监测，可显著提升iSolarCloud平台的故障预警能力，实现从“事后维护”向“状态检修”的转变。建议在PowerTitan等大功率...
基于数字孪生的单相PWM整流器健康状态监测方法
A Digital-Twin-Based Health Status Monitoring Method for Single-Phase PWM Rectifiers
Sihui Zhang · Wensheng Song · Hu Cao · Tao Tang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
本文提出了一种基于数字孪生技术的单相两电平PWM整流器数字仿真与健康监测方法。首先，通过对闭环控制和主电路进行离散化，构建了PWM整流器的数字模型。随后，将数字模型的外部特性与实际采样数据进行对比，实现对整流器运行状态的实时监测与健康评估。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。单相PWM整流技术是户用逆变器和充电模块的核心，引入数字孪生技术可实现设备运行状态的实时映射，显著提升iSolarCloud平台的故障预警与远程运维能力。建议研发团队将此方法应用于功率模块的寿命预测，通过对比数字模型与实际运行数据...
一种基于关断栅极电量的IGBT结温监测方法
A Converter-Level Junction Temperature Monitoring Method for IGBT Based on the Turn-OFF Gate Electric Quantities
Kexin Yang · Bi Liu · Haoyang Tan · Pengcheng Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
结温是评估IGBT可靠性的关键指标。本文提出了一种基于栅极电量作为热敏电参数（TSEP）的非侵入式结温监测方法，旨在实现简单且高灵敏度的温度监测，为电力电子变换器的可靠性评估提供技术支撑。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）具有极高的应用价值。IGBT作为上述产品的核心功率器件，其结温监测直接关系到设备在极端工况下的寿命预测与故障预警。通过采用栅极电量作为TSEP，无需额外传感器即可实现非侵入式监测，能够显著提升iSolarCloud智能运维平台对功率模...
一种变负载电流条件下SiC MOSFET电压过冲抑制的自调节有源栅极驱动器
A Self-Regulating Active Gate Driver of Voltage Overshoot Suppression for SiC MOSFETs Under Variable Load Current Conditions
Wensheng Song · Tingwen Hu · Jian Chen · Tao Tang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
相比硅基器件，SiC MOSFET具有更快的开关速度和更高的开关频率。然而，其快速开关特性与功率回路中的寄生电感会导致关断瞬态产生严重的电压过冲。本文提出了一种自调节有源栅极驱动电路，旨在变负载电流条件下有效抑制SiC MOSFET的电压过冲，提升功率变换系统的可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中全面推进SiC器件的应用以提升功率密度和效率，关断电压过冲问题直接影响器件寿命与系统可靠性。该自调节驱动技术可有效解决高频开关下的电压尖峰问题，减少对吸收电路（Snubbe...
通过应力工程增强柔性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管阵列的电学性能
Enhanced electrical properties of flexible AlGaN/GaN HEMT arrays via stress engineering
Xiu Zhang · Wei Ling · Junchen Liu · Hu Tao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127
宽禁带半导体因其优异的电学与机械特性，在柔性电子器件中展现出巨大潜力。本文报道了通过深硅刻蚀和晶圆级衬底转移工艺制备的柔性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）阵列。器件在_VGS_＝1 V时实现最高饱和漏极电流密度达166.5 mA/mm，在_VDS_＝5 V时峰值跨导为42.6 mS/mm，并表现出良好的抗机械变形能力。此外，在面内拉伸应变下，器件性能进一步提升，归因于应变诱导的压电极化调控AlGaN/GaN异质界面二维电子气密度。该结果凸显HEMT在下一代柔性电子，尤其是生物电子...
解读: 该柔性GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有前瞻价值。研究中应力工程调控二维电子气密度提升器件性能的机制，可为ST系列储能变流器和SG逆变器中GaN器件的封装应力优化提供理论指导，通过合理设计功率模块封装结构实现应变调控以提升开关特性。柔性HEMT阵列的抗机械变形能力对新能源汽车OBC和电机...
电机驱动与并网应用的多目标无模型预测控制：在不平衡多电平级联H桥逆变器下的运行
Multiobjective Model-Free Predictive Control for Motor Drives and Grid-Connected Applications: Operating With Unbalanced Multilevel Cascaded H-Bridge Inverters
Paul Gistain Ipoum-Ngome · Daniel Legrand Mon-Nzongo · Rodolfo Cesar Costa Flesch · Jinquan Tang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年3月
本文提出了一种针对不平衡多电平级联H桥（MLCHB）逆变器的多目标无模型预测控制（MO-MFPC）策略。通过引入补偿电流变化（CCV）概念，将比例积分项整合进代价函数，显著提升了MFPC在广泛应用场景下的控制精度与鲁棒性。
解读: 该研究提出的无模型预测控制（MFPC）策略在处理复杂多电平拓扑及不平衡工况时具有显著优势。对于阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列），在面对弱电网或电网电压不平衡等复杂工况时，该算法能有效提升系统的动态响应速度和电能质量，且由于其“无模型”特性，可降低对系统精确参数建...
原位N₂或H₂/N₂等离子体预处理对Si₃N₄/AlN/GaN MIS-HEMT界面与边界陷阱的研究
Interface and Border Traps Study in Si₃N₄/AlN/GaN MIS-HEMTs With In-Situ N₂ or H₂/N₂ Plasma Pretreatment
Jiaofen Yang · Jing Xiao · Ming Tao · Kai Tang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
本研究探究了原位 N₂ 或 H₂/N₂ 等离子体预处理对常开型 Si₃N₄/AlN/GaN 金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管（MIS - HEMT）中等离子体增强原子层沉积（PEALD）AlN 与 GaN 之间界面陷阱态和近界面陷阱态的影响。分别采用高频电容 - 电压（HFCV）测试和电导法对具有不同时间常数的界面陷阱密度以及不同能级的界面陷阱密度进行了表征。分别采用准静态电容 - 电压（QSCV）测试和 1/f 噪声法对近界面陷阱的能级和空间分布以及近界面陷阱密度进行了表征。研究...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于GaN MIS-HEMTs器件界面陷阱态优化的研究具有重要的战略价值。氮化镓（GaN）功率器件凭借其高频、高效、高功率密度的特性，正成为光伏逆变器和储能变流器等核心产品的关键技术方向，直接影响系统的转换效率、功率密度和可靠性。 该研究通过H₂/N₂等离子体预处理技...