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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

肖特基型P-GaN栅极HEMT的电气开关安全工作区特性研究

Characterization of Electrical Switching Safe Operation Area on Schottky-Type P-GaN Gate HEMTs

Yifei Huang · Qimeng Jiang · Sen Huang · Xinhua Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在消费电子领域表现优异,但在长寿命应用中仍面临可靠性挑战,特别是硬开关条件下的导通电阻退化问题。本文通过四种测试模式,深入研究了肖特基型P-GaN栅极HEMT的电气开关安全工作区(SOA),旨在提升其在电力电子系统中的可靠性。

解读: GaN作为宽禁带半导体,是实现逆变器高功率密度和高效率的关键技术。阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩领域对高频化有迫切需求。本文研究的P-GaN栅极HEMT可靠性及SOA特性,对于公司优化高频功率模块设计、提升产品在严苛工况下的长效运行能力具有重要参考价值。建议研发团队关注其在硬开关条件下的导通...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

具有增强近结热容和先进冷却能力的扩展安全工作区IGBT模块

Safe-Operation-Area Extended IGBT Module With Enhanced Near-Junction Thermal Capacitance and Advanced Cooling for Transient High-Current Operation

Xiangbo Huang · Zhixin Chen · Weiyu Tang · Kuang Sheng 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月

随着可再生能源并网比例提升,并网变换器需具备类似同步发电机的过电流(OC)能力。本文提出了一种集成增强型近结热容(NJTC)与卓越冷却能力的功率模块。该模块采用铜块作为顶部互连,有效提升了瞬态高电流运行下的热管理性能,显著扩展了IGBT的安全工作区。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器(PCS)具有重要意义。在电网故障或弱电网环境下,逆变器需具备更强的过流耐受能力以实现低电压穿越(LVRT)或构网型(GFM)控制。通过引入增强型近结热容和先进冷却技术,可显著提升功率模块在瞬态冲击下的可靠性,降低因过流导致的器件失效...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

考虑多参数相关效应的GaN E-HEMT桥臂串扰解析模型与安全工作区分析

Analytical Model and Safe-Operation-Area Analysis of Bridge-Leg Crosstalk of GaN E-HEMT Considering Correlation Effect of Multi-Parameters

Yushan Liu · Xuyang Liu · Xiao Li · Haiwen Yuan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年7月

本文针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管在高速开关应用中面临的桥臂串扰问题,提出了一种考虑多参数相关效应的解析模型。该模型旨在通过深入分析器件特性,优化开关过程,从而有效抑制串扰,提升电力电子系统的整体性能与可靠性。

解读: GaN等宽禁带半导体是实现阳光电源逆变器及充电桩高功率密度、高效率的关键技术路径。该研究提出的桥臂串扰解析模型,对于优化阳光电源户用光伏逆变器及电动汽车充电桩中高频功率模块的驱动电路设计具有重要指导意义。通过精确的安全工作区(SOA)分析,可有效降低高频开关下的误导通风险,提升系统可靠性。建议研发团...

储能系统技术 故障诊断 电池管理系统BMS 储能系统 ★ 5.0

一种电动汽车锂离子电池组传感器故障诊断方法

A Sensor Fault Diagnosis Method for a Lithium-Ion Battery Pack in Electric Vehicles

Rui Xiong · Quanqing Yu · Weixiang Shen · Cheng Lin 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月

在电动汽车中,电池管理系统(BMS)高度依赖电流、电压和温度测量来估算荷电状态(SOC)和健康状态(SOH)。因此,确保传感器正常运行对于保护电池安全至关重要。本文提出了一种简单有效的基于模型的传感器故障诊断方法。

解读: 该研究对于提升阳光电源储能系统(如PowerTitan、PowerStack)的安全性具有重要参考价值。储能系统在长周期运行中,传感器故障可能导致BMS误判,进而引发电池过充过放风险。该基于模型的诊断方法可集成至iSolarCloud平台或BMS底层算法中,实现对电芯级电压、电流及温度传感器的实时在...

功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

通过互补多数载流子导电路径改善安全工作区

SOA)的双栅功率LDMOS设计

Wenfang Du · Xing-Bi Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年1月

本文提出了一种集成pMOS的n型功率LDMOS结构,旨在提升器件的安全工作区(SOA)。该结构通过三个外部端子,在高压大电流条件下利用两种类型的多数载流子进行导电。pMOS被集成在nMOS的耐压区之外,在高压大电流工况下,通过控制pMOS栅极,有效改善了器件的导通特性与可靠性。

解读: 该研究针对功率半导体器件的SOA瓶颈提出了创新性结构设计,对阳光电源的核心产品线具有重要参考价值。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS中,功率器件的耐压与大电流下的可靠性是系统效率与寿命的关键。该双栅LDMOS技术若能应用于驱动电路或辅助电源模块,可显著提升系统在极端工况下的鲁棒性。建...

拓扑与电路 IGBT 功率模块 ★ 4.0

一种基于无源晶闸管的混合式直流断路器

A Passive Thyristor-Based Hybrid DC Circuit Breaker

Jiawei He · Huijie Lyu · Bin Li · Ye Li 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月

直流断路器(DCCB)是直流电网安全运行的关键技术。混合式直流断路器(HCB)结合了机械式与固态断路器的优势,在高压领域极具应用前景。目前,HCB的主断路支路通常采用IGBT配置,本文提出了一种基于无源晶闸管的混合式直流断路器拓扑,旨在优化性能并降低成本。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及大型光伏电站的直流侧保护具有重要参考价值。目前阳光电源的储能PCS和大型光伏逆变器多采用IGBT作为核心功率器件,直流侧故障保护是系统安全的核心。引入基于晶闸管的混合式直流断路器技术,有望在保证快速切断故障电流的同时,降低高...

光伏发电技术 储能系统 SiC器件 ★ 5.0

一种在可变日照条件下对运行中光伏组件进行高质量Suns-EL成像的方法

A high-quality Suns-EL imaging method for operating photovoltaic modules under variable sunlight conditions

Zixuan Fengab1 · Nan Yeab1 · Bowen Zhao · Dongyuan Chai 等6人 · Solar Energy · 2025年3月 · Vol.288

摘要 有效且周期性地检测光伏(PV)组件对于保障其在最大容量下的安全运行至关重要。尽管基于发光的成像技术能够识别大多数光伏组件缺陷,但现有方法通常需要额外的电接触,或仅能在特定日照条件下工作。本文提出了一种无需接触的日光激发电致发光(Suns-EL)成像方法,可在可变日照条件下获取高质量的发光图像。我们设计了一种局部遮蔽系统,将电池片划分为受光照的激发区域和被遮蔽的成像区域,从而实现对正在运行的组件进行无干扰成像。此外,我们提出了两种对日照变化不敏感的策略,以获得具有高图像均匀性和清晰缺陷结构/...

解读: 该Suns-EL成像技术为阳光电源光伏运维体系提供重要价值。可集成至iSolarCloud智慧运维平台,实现SG系列逆变器配套组件的非接触式缺陷检测,无需停机即可识别隐裂、热斑等故障。变光照条件下的高质量成像能力契合户外电站巡检需求,结合MPPT优化算法可提前预警组件性能衰减,降低PowerTita...

风电变流技术 储能系统 ★ 5.0

基于风险场景感知的日前风电出力预测框架

A Framework of Day-Ahead Wind Supply Power Forecasting by Risk Scenario Perception

Mao Yang · Yutong Huang · Zhao Wang · Bo Wang 等5人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2025年1月

大规模风电并网背景下,风电功率预测对电力系统安全稳定运行至关重要。现有预测方法重统计精度而轻应用风险,导致预测值与实际调度需求脱节。为此,本文提出一种考虑风险场景感知的风电出力预测(WSPF)框架。首先结合数值天气预报风速波动信息,利用TimesNet识别预测中的风险场景;其次构建有效消纳区与供电风险区评价指标,并据此优化预测曲线修正方案;最后融合多种预测模型进行验证。在中国内蒙古某风电集群的应用结果表明,该方法使WSPF平均精度提升37%,验证了其有效性与普适性。

解读: 该风电预测框架对阳光电源的储能和风电变流产品具有重要应用价值。首先,TimesNet风险场景识别技术可集成至ST系列储能变流器的调度控制系统,优化储能容量配置和充放电策略。其次,风险区评价方法可应用于PowerTitan大型储能系统的调峰调频功能设计,提升系统对风电波动的响应能力。此外,该预测框架也...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 IGBT ★ 5.0

基于热平衡的IGBT功率模块安全工作区及其退化评估方法

Thermal Balance-Based Evaluation Method for Safe Operating Areas and Its Degradation of IGBT Power Module

Tongyao Han · Yifei Luo · Binli Liu · Hao Yuan 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月

针对IGBT功率模块在短时过载时的热应力和电热特性强非线性,数据手册二维安全工作区(SOA)无法满足可靠性评估需求。提出基于热平衡原理的SOA定量评估方法,建立包含电压、电流和结温的三维SOA防止IGBT热失效。所提SOA表明IGBT可在超额定电流两倍以上安全运行,结温可超448.15K(175°C)而不发生热失效。建立器件热不稳定性表征准则和半导体物理-热传导理论集成的净热流分析模型,考虑长期运行中电热特性退化对SOA的影响。仿真和实验验证了SOA及其退化有效预测短时过载下IGBT可靠性。

解读: 该IGBT三维安全工作区评估技术对阳光电源IGBT功率模块应用有重要可靠性保障价值。热平衡SOA方法可应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的IGBT选型和过载保护设计,提高短时过载能力。电热耦合退化模型对PowerTitan大型储能系统的长期可靠性预测和维护策略制定有指导意义。该技术对阳光电源功率模...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

一种基于漏极电压摆动的SiC MOSFET快速短路检测方法

A Fast Short Circuit Detection Method for SiC MOSFETs Based on Drain Voltage Swing

Zekun Li · Bing Ji · Kun Tan · Puzhen Yu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年3月

尽管碳化硅(SiC)MOSFET性能优越,但其热容量小、开关速度快,对短路保护提出了更高要求。本文提出一种基于漏源电压(V<sub>DS</sub>)摆动的快速可靠短路保护方法,可在器件达到临界损伤前迅速检测并关断。该方法在150 ns和24 ns内分别实现Type-I与Type-II短路的超快检测;利用现有RC缓冲电路实现短路检测与主电路保护的集成,不改变其原有功能;结合低成本数字栅极驱动器中的新型采样保持(S/H)电路,提升工况适应性。实验平台验证了该方案的有效性与重复性。

解读: 该SiC MOSFET快速短路检测技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器具有重要应用价值。其150ns超快检测响应可显著提升功率模块可靠性,特别适用于PowerTitan大型储能系统中高频开关场景的器件保护。基于Vds摆动的检测方法与现有RC缓冲电路集成,无需额外硬件成本,可直接应用于...

电动汽车驱动 可靠性分析 ★ 5.0

功率MOSFET器件中传热与热失控的理论与仿真研究

Theoretical and Simulation-Based Investigation of Heat Transfer and Thermal Runaway in Power MOSFET Devices

Arun Narasimhan · Rajesh Rao · Ankur Jain · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2024年12月

预测功率金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的温度上升对于确保其可靠性和性能以及防止热失控至关重要。虽然通常会为功率MOSFET的运行规定安全工作区(SOA),但通过实验确定安全工作区内防止热失控的漏极电流限制非常繁琐,而且常常会导致多个测试器件在达到极限时损坏。因此,仍然需要强大而准确的理论工具来预测实际功率MOSFET中的最大允许漏极电流。本研究通过解析和数值传热建模来满足这一重要需求。基于沟道区域周围半无限介质中一维热流的简化假设,采用拉普拉斯变换技术推导出器件中瞬...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于功率MOSFET热传导和热失控预测的研究具有重要的工程应用价值。功率MOSFET是光伏逆变器和储能变流器中的核心功率器件,其热管理直接关系到系统的可靠性、效率和寿命。 该研究的核心价值在于提供了两种互补的热分析方法:基于拉普拉斯变换的解析解和数值仿真模型。这使得我...