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| 作者 | Wenfang Du · Xing-Bi Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 功率LDMOS 双栅极 安全工作区 (SOA) 多子 集成pMOS 电力电子 器件可靠性 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种集成pMOS的n型功率LDMOS结构，旨在提升器件的安全工作区（SOA）。该结构通过三个外部端子，在高压大电流条件下利用两种类型的多数载流子进行导电。pMOS被集成在nMOS的耐压区之外，在高压大电流工况下，通过控制pMOS栅极，有效改善了器件的导通特性与可靠性。
English Abstract
An n-type power LDMOS with an integrated pMOS is proposed to improve the safe operation area. The proposed structure has three external terminals and majority carriers of both types are used for conduction under high-voltage and high-current condition. The p-MOS is implemented outside of the voltage-sustaining region of the n-MOS. Under high-voltage and high-current condition, the gate of the p-MO...
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SunView 深度解读
该研究针对功率半导体器件的SOA瓶颈提出了创新性结构设计，对阳光电源的核心产品线具有重要参考价值。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS中，功率器件的耐压与大电流下的可靠性是系统效率与寿命的关键。该双栅LDMOS技术若能应用于驱动电路或辅助电源模块，可显著提升系统在极端工况下的鲁棒性。建议研发团队关注该结构在降低功率模块热应力及提升开关频率方面的潜力，探索其在下一代高功率密度逆变器功率模块设计中的应用可行性。