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肖特基型P-GaN栅极HEMT的电气开关安全工作区特性研究
Characterization of Electrical Switching Safe Operation Area on Schottky-Type P-GaN Gate HEMTs
| 作者 | Yifei Huang · Qimeng Jiang · Sen Huang · Xinhua Wang · Xinyu Liu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | Gallium nitride GaN HEMT P-GaN gate Safe operation area On-resistance degradation Power electronics Reliability Hard-switching |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在消费电子领域表现优异，但在长寿命应用中仍面临可靠性挑战，特别是硬开关条件下的导通电阻退化问题。本文通过四种测试模式，深入研究了肖特基型P-GaN栅极HEMT的电气开关安全工作区（SOA），旨在提升其在电力电子系统中的可靠性。
English Abstract
Gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) have demonstrated their superior performance in consumer electronics. However, their longer-lifetime-demanding application has not been well-explored yet, due to the limited electrical reliability, especially the existence of on-resistance degradation in hard-switching conditions. In this article, four testing modes, including double...
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SunView 深度解读
GaN作为宽禁带半导体，是实现逆变器高功率密度和高效率的关键技术。阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩领域对高频化有迫切需求。本文研究的P-GaN栅极HEMT可靠性及SOA特性，对于公司优化高频功率模块设计、提升产品在严苛工况下的长效运行能力具有重要参考价值。建议研发团队关注其在硬开关条件下的导通电阻退化机制，以指导下一代高频、高效率组串式逆变器及微型逆变器的功率器件选型与驱动电路设计，确保产品在全生命周期内的可靠性。