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碳化硅中自旋中心的多射频光子光谱相位控制
Phase control of multi-RF photon spectroscopy of spin centers in SiC
Kingshuk Mallick · United Kingdom · Cristian Bonato · Alton Horsfall · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127
通过射频（RF）激发实现对碳化硅中硅空位中心（VSi⁻）的自旋操控，为室温量子传感提供了可行途径。传统单RF天线方案对入射RF辐射的极化控制有限。本文展示了一种基于连续波光学系统的改进方法，实现了RF极化调控，并用于探测4H-SiC中VSi⁻缺陷的多射频光子磁共振。ODMR谱中多光子峰与零场分裂峰的RF功率依赖性差异表明其不同物理起源。在外加静态磁场下仍可检测到这些共振。通过引入额外RF源以调控极化，有助于揭示其机制。
解读: 该SiC自旋中心量子传感技术对阳光电源功率器件应用具有前瞻价值。研究揭示的VSi⁻缺陷多光子磁共振特性，可用于SiC MOSFET/二极管的非破坏性缺陷检测与可靠性评估。通过RF相位控制的ODMR光谱技术，能够精准表征SiC器件内部晶格缺陷分布，这对ST储能变流器、SG光伏逆变器中大量应用的SiC功...
微瓦级射频能量收集系统设计
Design of High-Efficiency Microwatt RF Energy Harvesting System
Lanyu Li · Yanfeng Jiang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月
本文设计并实现了一种用于收集环境射频能量的系统。该系统包含接收天线、匹配电路、射频-直流（RF-dc）整流电路及电源管理单元，实现了全集成化设计，并具备极低的功耗特性。
解读: 该文献聚焦于微瓦级射频能量收集与超低功耗电源管理，与阳光电源目前主营的大功率光伏逆变器、储能PCS及充电桩业务在功率等级上存在显著差异。然而，该研究中涉及的“超低功耗电源管理技术”及“高效率微型化整流电路”对阳光电源iSolarCloud智能运维平台中的无线传感器网络（WSN）节点供电具有潜在参考价...
基于SiC的C波段β-Ga₂O₃射频功率MOSFET实现高输出功率密度与低微波噪声系数
C-Band β-Ga₂O₃-on-SiC RF Power MOSFETs With High Output Power Density and Low Microwave Noise Figure
作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
在这封信中，我们表明，通过采用重掺杂沟道以降低沟道电阻，并使用高导热性的碳化硅（SiC）衬底来增强散热，基于碳化硅衬底的β - Ga₂O₃射频（RF）功率金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）能够在C波段应用中实现高输出功率密度（${P}_{\text {out}}$）。通过这些措施，基于碳化硅衬底的β - Ga₂O₃射频MOSFET展现出730 mA/mm的漏极电流密度（${I}_{\text {D}}$）和81 mS/mm的峰值跨导（$g_m$）。因此，其截止频率（${f}...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项β-Ga₂O₃射频功率MOSFET技术虽然聚焦于C波段高频应用，但其底层技术突破对我们的核心业务具有重要启示意义。 该研究通过重掺杂沟道降低通态电阻和采用高导热SiC基板抑制自热效应的技术路径，与我们在光伏逆变器和储能变流器中面临的功率密度提升和热管理挑战高度契合。特...
基于波形引导无源匹配网络的自驱动射频-直流整流器设计方法
Design Method of Self-Driving RF-DC Rectifier Based on Waveform-Guided Solutions to Passive Matching Network
Fei You · Shiwei Dong · Ying Wang · Xumin Yu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月
本文提出了一种自驱动射频-直流（RF-DC）整流器设计方法，通过对耦合与匹配电路进行直接网络参数计算，实现栅极驱动与射频功率输入的同步，无需引入可调移相器。该方法简化了设计流程，提升了整流效率与系统集成度。
解读: 该文献探讨的射频能量收集与高频整流技术，主要应用于微功率无线传输领域，与阳光电源目前的光伏、储能及充电桩业务核心（电力电子变换）存在一定技术跨度。然而，其提出的“波形引导设计方法”和“无源网络参数直接计算”思想，对于优化阳光电源在超高频功率变换器中的磁性元件设计、降低驱动损耗具有参考价值。建议关注该...
基于多逆变器离散功率回退的高效宽范围射频功率产生系统
High-Efficiency Wide-Range RF Power Generation Systems With Discrete Power Back-Off From Multiple Inverters
Haoquan Zhang · Alexander S. Jurkov · Vladimir Kozitsky · Ky Luu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文针对半导体加工等工业射频（RF）应用，提出了一种可扩展的射频功率产生系统。该系统通过多逆变器离散功率回退技术，解决了在宽动态功率范围和可变负载阻抗下，难以同时保持高效率、连续功率控制及快速动态响应的难题。
解读: 该文献探讨的射频功率产生系统虽主要面向半导体加工领域，但其核心技术——多逆变器离散功率回退与宽范围高效率控制，对阳光电源的电力电子拓扑研究具有参考价值。在光伏逆变器和储能变流器（PCS）领域，随着对宽电压范围和高效率要求的提升，该文提出的多模块并联与功率分配策略，可为阳光电源优化组串式逆变器在极端工...
一种用于5G MIMO应用的高功率RF SOI开关，峰值P-₀.₁dB功率达48.7 dBm
A High-Power RF SOI Switch With 48.7-dBm P-₀.₁dB Peak Power for 5G MIMO Applications
Wanfu Liu · Jianhui Wu · IEEE Electron Device Letters · 2025年6月
本简报中，采用130纳米射频绝缘体上硅（RF SOI）技术设计并实现了一款工作在2~4 GHz频段的高功率射频开关。为提高发射（Tx）模式下的高功率处理能力，提出并分析了一种在关断并联支路实现均匀分压的串联和并联堆叠结构。对于射频开关的并联支路，通过调整晶体管之间的宽度比来平衡高功率下各晶体管的漏源电压（Vds）差异，从而确保高功率处理能力。此外，所提出的设计采用基于电容的补偿方法进一步均衡分压。实验结果表明，所提出的射频开关在105°C温度下实现了48.7 dBm（74瓦）的0.1 dB压缩点...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项针对5G MIMO应用的高功率RF SOI开关技术虽然主要面向通信领域，但其核心设计理念对我们的光伏逆变器和储能系统具有重要的技术借鉴价值。 该技术的核心亮点在于通过串并联堆叠结构和电容补偿实现均匀分压，使器件在高功率状态下达到48.7 dBm（74W）的功率处理能力...
大型语言模型用于太阳能电池缺陷检测:零样本分类方法
Flat-Panel-Rectenna With Broad RF Energy Harvesting Coverage for Wireless-Powered Sensor Applications
Yan Han · Eunji Kim · Han Lim Lee · IEEE Access · 2024年12月
太阳能电池质量检测对光伏组件性能至关重要,传统缺陷检测依赖大量标注数据。本文提出基于大语言模型的零样本缺陷分类方法,无需训练数据即可识别电池片裂纹、热斑、栅线断裂等缺陷类型,通过视觉-语言模型实现智能化质检。
解读: 该零样本缺陷检测技术可直接应用于阳光电源光伏组件的生产线质检。通过大模型实现免训练的缺陷识别,降低质检系统部署成本,提升SG系列光伏逆变器配套组件的质量控制水平,减少电池片缺陷导致的系统性能损失。...
一种具有基于MPPT的可重构48%效率射频能量采集器和82%效率A4WP无线电力接收器且具备开环延迟补偿的-20至30 dBm输入功率范围无线电力系统
A -20 to 30 dBm Input Power Range Wireless Power System With a MPPT-Based Reconfigurable 48% Efficient RF Energy Harvester and 82% Efficient A4WP Wireless Power Receiver With Open-Loop Delay Compensation
Sang-Yun Kim · Hamed Abbasizadeh · Behnam Samadpoor Rikan · Seong Jin Oh 等17人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月
本文提出了一种可重构的宽输入功率范围射频（RF）能量采集器（EH）及A4WP无线电力接收器（WPR）。通过设计可重构RF-DC转换器及最大功率点跟踪（MPPT）算法，实现了在-20至+20 dBm宽功率范围下的高效率运行，并将A4WP WPR与EH集成以优化系统性能。
解读: 该文献主要研究微功率级的射频能量采集与无线电力传输，与阳光电源目前聚焦的GW级光伏逆变器、MW级储能系统及大功率充电桩业务在功率等级和应用场景上存在较大差异。其核心技术点在于极低功率下的MPPT算法与高效率转换，这对于阳光电源的iSolarCloud智能运维平台中的传感器供电或未来低功耗物联网（Io...
石墨烯薄膜作为射频与微波电子器件接地平面材料的研究
Investigation of Graphene Film as Ground Plane Material for RF and Microwave Electronics
Utkarsh Misra · Vishvajitsinh Kosamiya · Alissa Brooke Anderson · Liguan Li 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年2月
本研究探讨了将还原氧化石墨烯（rGO）薄膜作为接地层集成到小型化射频/毫米波系统中，以用于先进的热管理应用。诸如铜基散热器等传统方法难以应对现代射频/毫米波封装日益增长的功率和更紧凑的集成要求。与铜（约 400 瓦/米·开尔文）相比，rGO 具有极高的面内热导率（约 1100 瓦/米·开尔文），因此它成为射频电子封装热管理的有力候选材料。本研究探索了在射频和微波电子设备中使用 rGO 形成接地层的方法，并通过细致的传输线模拟和测量来评估其性能。我们的研究结果表明，rGO 接地层具有较高的信号完整...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该石墨烯薄膜地平面技术对我们的核心产品线具有重要的潜在应用价值。在光伏逆变器和储能变流器领域，功率密度的持续提升使得热管理成为制约产品性能的关键瓶颈。该研究展示的还原氧化石墨烯（rGO）薄膜具备约1100 W/mK的面内热导率，相比传统铜材料提升近3倍，这为我们突破当前大功...
基于电阻调节网络的宽带高频功率调制
Broadband High-Frequency Power Modulation With Resistance Regulation Network
Zhechi Ye · Eric Stolt · Kawin Surakitbovorn · Juan Rivas-Davila · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
本文提出了一种利用电阻调节网络（RRN）结合频率调节实现快速射频（RF）功率调制的新方法。该方法旨在提升工业应用中射频脉冲的响应速度与系统性能，通过对电阻网络的动态调节，实现了高效的功率控制，并可与现有系统兼容适配。
解读: 该文章探讨的射频功率调制与电阻调节技术，主要应用于高频通信或特定工业射频电源领域，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩等电力电子产品存在一定技术跨度。然而，其提出的高频功率调节思路对于提升功率密度和开关频率具有参考价值。建议研发团队关注该技术在未来高频化电力电子变换器中的应用潜力，特别是针...
在AlGaN/GaN射频HEMT上集成顶面低温钻石用于器件级冷却
Integration of top-side low-temperature diamond on AlGaN/GaN RF HEMT for device-level cooling
Rohith Soman · Mohamadali Malakoutian · Kelly Woo · Thomas Andres Rodriguez · Applied Physics Letters · 2025年5月 · Vol.126
本文报道了一种在AlGaN/GaN射频高电子迁移率晶体管（HEMT）上直接集成顶面低温合成钻石薄膜的技术，以实现器件级主动散热。通过在器件表面低温沉积高质量多晶钻石膜，显著提升了热导性能，有效降低了工作时的结温。实验结果表明，该集成方案在不牺牲射频性能的前提下，大幅改善了器件的热管理能力，延长了使用寿命并提高了功率稳定性。此方法为高功率密度微波器件的热调控提供了可行的片上解决方案。
解读: 该GaN HEMT顶面钻石散热技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中，GaN器件的高功率密度运行面临严峻的热管理挑战，该低温钻石集成方案可在不影响射频性能前提下显著降低结温，直接提升器件可靠性和功率稳定性。对于PowerTitan大型储能系统和1500V高...
一种集成自健康监测传感器与多源能量收集电路的射频功率放大器
An RF Power Amplifier Integrated With the Self-Health Monitor Sensor and Multisource Energy Harvesting Circuit
Min Sun · Xiaoping Liao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月
本文提出了一种1.76 mm × 1.76 mm的电路系统，采用0.18-μm RF CMOS工艺制造。该系统集成了射频功率放大器（PA）、热电堆传感器、多源能量收集电路及能量组合电路，实现了功率晶体管的自健康监测功能。
解读: 该文献探讨的芯片级自健康监测技术与多源能量收集方案，在当前阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能PCS）中属于前沿探索领域。虽然该研究聚焦于射频PA，但其“集成传感器实现自健康监测”的设计思路对阳光电源的功率模块（如IGBT/SiC模块）可靠性提升具有参考价值。建议研发团队关注该技术在功率器件结温监测...
一种具有CLLC谐振拓扑的固态高压射频振荡器及其参数优化
A Solid-State High-Voltage RF Oscillator With CLLC-Type Resonant Topology and Its Parameter Optimization
Weixi Gong · Lei Pang · Yongle Yao · Haoyuan Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
本文提出了一种用于Dynamitron加速器兆伏级电源的固态射频振荡器方案，采用CLLC四元件谐振网络。通过分析该拓扑的工作原理，研究了三种工作模式，并确定了谐振网络的参数优化目标，以提升高压电源系统的整体性能。
解读: CLLC拓扑是目前双向DC-DC变换器（如储能PCS和电动汽车充电桩）中的核心技术方案，具备软开关特性和高功率密度优势。阳光电源的PowerTitan系列储能系统及充电桩产品线，可通过研究该文的谐振参数优化方法，进一步提升变换器的转换效率与电磁兼容性。此外，该文对高压谐振网络的分析思路，可为公司下一...
基于氮化镓器件的Buck衍生变换器在包络跟踪应用中的研究
Buck-Derived Converters Based on Gallium Nitride Devices for Envelope Tracking Applications
Pablo F. Miaja · Alberto Rodriguez · Javier Sebastian · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年4月
包络跟踪（ET）技术旨在提升射频功率放大器（RF PA）的效率。该技术通过提供随通信信号包络变化的电压来实现。由于信号带宽可达数兆赫兹，对开关电源的开关频率提出了极高要求。本文探讨了利用氮化镓（GaN）器件实现高效Buck衍生变换器的设计方案，以满足高频、高效率的包络跟踪需求。
解读: 该文献聚焦于GaN器件在高频DC-DC变换中的应用。对于阳光电源而言，虽然包络跟踪主要应用于通信射频领域，但GaN器件带来的高频化、小型化优势对公司产品线具有重要参考价值：1. 在户用光伏逆变器及微型逆变器中，引入GaN器件可显著提升功率密度并减小磁性元件体积；2. 在电动汽车充电桩的功率模块设计中...
射频应力下SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的可靠性评估
Reliability Assessment Of AlGaN/GaN HEMTs on the SiC Substrate Under the RF Stress
Niemat Moultif · Olivier Latry · Eric Joubert · Mohamed Ndiaye 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文研究了射频（RF）应力下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的可靠性。测试表明，尽管老化后栅极接触保持稳定，但器件的射频性能和直流参数出现退化。研究指出，这种退化主要源于热电子效应导致的栅源或栅漏区域体陷阱增加。
解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和储能PCS领域对高功率密度和高效率的追求，宽禁带半导体（如GaN和SiC）的应用日益广泛。虽然本文聚焦于射频应力，但其揭示的热电子效应和体陷阱退化机制对功率器件的长期可靠性评估具有重要参考价值。建议研发团队在下一代高频组串式逆变器或小型化储能模块设计中，参考该研究的失效机理...
评估城市光伏集成的双重辐射效应：反照率变化与辐射强迫动态
Assessing the dual radiative consequences of urban PV integration: Albedo change and radiative forcing dynamics
Yilong Zhou · Shredatta Marath · Miro Zeman · Olindo Isabell 等5人 · Applied Energy · 2025年12月 · Vol.401
在城市地区集成光伏（PV）系统可增强本地可再生能源电力生产，但由于光伏组件反射率较低，也会导致地表反照率降低。反照率的下降增加了地球对能量的吸收，从而产生正的辐射强迫（RF）；而光伏电力替代化石燃料发电则通过避免二氧化碳排放产生负的辐射强迫。本研究采用一种新颖的工作流程，量化了城市屋顶光伏部署的净辐射强迫影响。该工作流程结合了两个模型：（1）几何光谱反照率（GSA）模型，利用LiDAR数据和地理配准的材料分布图，模拟光伏集成前后的反照率变化；（2）基于简化天际线的光伏模型，利用LiDAR提取的屋...
解读: 该研究揭示城市光伏部署的反照率降低效应及辐射强迫动态平衡机制,对阳光电源SG系列逆变器和iSolarCloud平台具有重要指导意义。研究表明低碳电网场景下反照率负效应凸显,这要求提升系统发电效率以缩短气候收益回收期。可启发我们优化MPPT算法、采用SiC功率器件降低损耗,并通过iSolarCloud...
高温AlGaN/GaN MISHEMT器件采用W/AlON栅堆栈在500°C下实现Imax>1 A/mm
High Temperature AlGaN/GaN MISHEMT With W/AlON Gate Stack and Imax>1 A/mm at 500 ∘C
John Niroula · Qingyun Xie · Elham Rafie Borujeny · Shisong Luo 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年9月
本研究展示了一款按比例缩小（栅长 \(L_{\text {g}} = 50\) 纳米、栅源间距 \(L_{\text {gs}} = 270\) 纳米、栅漏间距 \(L_{\text {gd}} = 360\) 纳米）的射频（RF）AlGaN/GaN 金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管（MISHEMT），该晶体管在 500°C 时的电流密度达到创纪录的 1.16 安/毫米，对应的开态电流与关态电流比（\(I_{\text{on}}/I_{\text{off}}\)）为 9。该器件采用等离子体...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项高温GaN MISHEMT技术具有重要的战略价值。该研究实现了500°C环境下1.16 A/mm的创纪录电流密度，这对我们在光伏逆变器和储能系统中广泛应用的功率半导体技术升级具有显著意义。 在光伏逆变器领域，高温工作能力直接关系到系统可靠性和成本优化。当前我们的产品在...
通过高温直流应力研究AlGaN/GaN HEMT中由直流引起的射频性能退化
Study of DC-Induced RF Performance Degradations in AlGaN/GaN HEMTs Through High-Temperature DC Stress
Ping-Hsun Chiu · Yi-Fan Tsao · Heng-Tung Hsu · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
在本研究中，我们研究了承受高温导通态直流应力（$V_{\text {DS}} = 18$ V，$I_{\text {DS}} = 300$ mA/mm）的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的射频性能退化情况。主要聚焦于针对毫米波应用的短栅长器件仅由直流应力引起的射频退化机制分析。在整个直流应力过程中，对器件参数的变化进行了细致的测量和提取。结果表明，器件的本征栅电容和寄生电阻增大，导致单位电流增益截止频率（$f_{\text {T}}$）和最大振荡频率（$f_{\text {MAX...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于GaN HEMT器件在高温直流应力下射频性能退化机理的研究具有重要的参考价值。虽然该研究聚焦于毫米波应用场景，但其揭示的器件退化机制对我们在光伏逆变器和储能变流器中广泛应用的GaN功率器件同样具有指导意义。 研究发现，在高温导通状态的直流应力下，AlGaN势垒层中...
基于多逆变器离散功率回退的高效率宽范围射频功率生成系统
High-Efficiency Wide-Range RF Power Generation Systems With Discrete Power Back-Off From Multiple Inverters
Haoquan Zhang · Alexander S. Jurkov · Vladimir Kozitsky · Ky Luu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
摘要：工业射频（RF）功率应用，如用于半导体加工的等离子体产生，需要在较宽的动态功率范围和可变负载阻抗条件下传输射频功率。理想情况下，射频功率系统应在整个工作功率范围内保持高效率、连续功率控制和快速动态响应。本文介绍了一种适用于此类应用的可扩展开关模式功率放大器（PA）架构和控制方法。我们将这种方法称为多逆变器离散回退（MIDB），它以无损方式组合开关模式功率放大器的输出，并对有源功率放大器的数量进行调制，以实现射频输出的离散步进。此外，该方法还采用离散电源调制和功率放大器组间的正交移相技术，以...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇论文提出的多逆变器离散功率回退（MIDB）架构虽然聚焦于射频功率应用，但其核心技术理念与我们在光伏逆变器和储能系统领域的技术演进方向高度契合，具有重要的借鉴价值。 该技术的核心价值在于通过多模块协同控制实现宽范围高效功率输出。论文采用的GaN基零电压开关D类功率放大器...
ICP刻蚀中射频偏置功率对高铝组分AlGaN上n型欧姆接触电学特性的影响
Effects of the RF bias power of ICP etching on the electrical properties of n-type Ohmic contact on high-Al-fraction AlGaN
Van Hove · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126
研究了电感耦合等离子体刻蚀中射频（RF）偏置功率对n型欧姆接触电学特性的影响。通过降低RF偏置功率，在n-Al0.70Ga0.30N上实现了高质量的n型欧姆接触，比接触电阻率低至1.2×10−4 Ω·cm2。结果表明，低功率刻蚀在刻蚀表面引入的受主态缺陷较少，不仅减轻了对电子的补偿效应，还抑制了表面氧化程度，从而为改善金属-半导体接触的电学性能提供了有利条件。
解读: 该高铝组分AlGaN欧姆接触优化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究通过降低ICP刻蚀RF偏置功率，将比接触电阻率降至1.2×10⁻⁴ Ω·cm²，可直接应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器中的GaN功率器件制造。低接触电阻能显著降低器件导通损耗，提升三电平拓扑和高频开关电路效率。该工艺抑制...
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