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储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

时空数据图建模及在“电网一张图”中应用场景的探索

Spatiotemporal Data Graph Modeling and Exploration of Application Scenarios in "Power Grid One Graph"

Peng Li1Zhen Dai1Yachen Tang2Guangyi Liu2Jiaxuan Hou1Qinyu Feng1Quanchen Lin1 · 中国电机工程学会热电联产 · 2025年1月 · Vol.45

通过对电网时空数据进行建模,可更准确地掌握系统运行状态,识别潜在风险并及时优化调控。相比传统母线-支路模型,节点-开关模型具有更高描述粒度,能动态反映设备状态变化,提升调度效率。本文提出一种基于图数据库的时空数据建模方法,从调度数据构建图节点、本体模型与实体模型,阐述时空节点-开关图模型的构建及其向母线-支路模型的转换,并融合时空属性构建电网时空演化图。进一步阐明“电网一张图”的内涵及其在现代电力系统中的需求,结合图计算技术探讨电网态势感知的可行性,展示在某省级电网中的典型应用,并讨论该模型的潜...

解读: 该时空数据图建模技术对阳光电源PowerTitan储能系统和iSolarCloud云平台具有重要应用价值。节点-开关模型的高粒度描述能力可优化ST系列储能变流器的并网拓扑管理,实时追踪储能系统在电网中的连接状态变化,提升AGC/AVC响应精度。时空演化图技术可增强iSolarCloud平台的态势感知...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 IGBT ★ 5.0

一种面向大电流应用的高性价比混合Si/SiC双桥并联LLC谐振变换器

A Cost-Effective Hybrid Si/SiC Dual Bridge Parallel LLC Resonant Converter for High-Current Application

Zipeng Ke · Jun Wang · Bo Hu · Chao Zhang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月

基于SiC的双桥并联LLC谐振变换器具有低电流应力和高效率的优点,但成本较高。本文提出一种低成本混合Si/SiC双桥并联LLC变换器,由大电流低成本Si IGBT桥臂与小电流SiC MOSFET桥臂构成,显著降低系统成本。得益于Si IGBT桥臂的软开关特性,该混合结构在开关损耗方面可媲美全SiC设计。同时,通过拓扑重构减少了谐振元件数量,进一步降低损耗与成本。实验研制了6 kW样机,结果表明,在高输出功率下总损耗相当,而开关器件成本降低51.7%,谐振元件成本降低22.9%,总体成本降低31....

解读: 该混合Si/SiC双桥并联LLC技术对阳光电源储能与充电产品具有重要应用价值。在ST系列储能变流器的DC/DC隔离级,可采用此混合方案替代全SiC设计,在保持高效率的同时降低31.6%成本,显著提升PowerTitan大型储能系统的性价比。对于大电流充电桩(如液冷超充),该拓扑的低电流应力特性与谐振...

智能化与AI应用 ★ 5.0

基于氟等离子体处理双极型SnO薄膜晶体管的高增益CMOS样反相器

High-Gain CMOS-Like Inverters Based on F-Plasma-Treated Ambipolar SnO Thin-Film Transistors

Zening Gao · Peng Dai · Ning Wang · Yiwen Yao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月

尽管基于双极型薄膜晶体管(TFT)的类互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器因其简化的制造工艺和高集成密度而备受关注,但实现高性能双极型TFT仍具有挑战性。在这项工作中,我们系统地研究了不同退火和钝化方案(包括无钝化退火(AWP)、钝化前退火(ABP)和钝化后退火(AAP)),以及使用二氧化硅(SiO₂)、氧化铝(Al₂O₃)和氧化铪(HfO₂)钝化层(PVL)对氧化锡(SnO)TFT性能的影响。其中,采用AAP - Al₂O₃工艺的器件表现出最平衡的p型和n型导电性能以及优异的负偏压应力(NB...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于氟等离子体处理的双极性SnO薄膜晶体管(TFT)技术呈现出显著的应用潜力,特别是在光伏逆变器和储能系统的控制电路优化方面。 该技术的核心价值在于通过简化的CMOS类逆变器架构实现了289倍的高电压增益,这对我们的产品线具有重要意义。在光伏逆变器的栅极驱动电路和信号...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于帽层设计的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能研究

Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design

Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.224

摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs,发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应,能够提高二维电子气(2DEG)密度,从而获得更高的饱和电流,并使击穿电压从615 V(GaN帽层)提升至895 V(AlN帽层)。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现,表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱,导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...

解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V,梯度帽层结构更达1308V,2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向:通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能,支持...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于模型-数据融合方法的锂离子电池储能系统惯性支撑持续功率边界在线估计

Online estimation of inertia-supporting sustaining power boundary of lithium-ion battery energy storage systems based on model-data fusion method

Shaoxin Shi · Qiao Peng · Tianqi Liu · Yunteng Dai 等5人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.393

摘要 锂离子电池储能系统(BESS)在为电力系统提供惯性支撑方面展现出巨大潜力。然而,如何在实现高效惯性支撑的同时保障电池的安全运行仍面临挑战,这要求对电池的输出边界进行准确估计,尤其是在在线运行条件下。然而,现有的电池输出功率边界评估方法通常忽略了惯性支撑特有的输出特性以及在线应用的需求,从而限制了其准确性与效率。本文提出了一种基于模型-数据融合方法(MDFM)的BESS惯性支撑持续功率边界(SPB)在线估计新方法。首先,开展一系列实验以研究电池在惯性支撑工况下的阻抗特性,并据此构建一种基于负...

解读: 该储能惯量支撑功率边界在线估算技术对阳光电源ST系列PCS及PowerTitan储能系统具有重要应用价值。通过模型-数据融合方法实现锂电池输出边界的实时精准评估,可直接集成至VSG虚拟同步机控制策略中,优化惯量响应过程中的功率调度。负阻抗等效电路模型结合SVM机器学习算法,能有效提升iSolarCl...