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单层环形电感寄生电容的建模与最小化
Modeling and Minimization of the Parasitic Capacitances of Single-Layer Toroidal Inductors
Florentin Salomez · Arnaud Videt · Nadir Idir · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
高频功率变换器需使用低寄生电容的共模和差模电感以满足电磁兼容（EMC）标准。本文提出了一种环形磁芯电感寄生电容的建模方法，并探讨了降低该电容的优化设计方案，旨在提升高频变换器的电磁干扰抑制能力。
解读: 电感是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及充电桩模块中的核心磁性元件。随着功率密度提升，开关频率不断提高，电感的寄生电容直接影响EMI滤波性能及高频损耗。本文提出的建模与优化方法，可指导研发团队在设计阶段精确预测磁性元件的高频特性，减少样机调试中的EMC整改周期。建议在下一代高功率...
高频行为环形磁芯电感模型
High-Frequency Behavioral Ring Core Inductor Model
Carlos Cuellar · Nadir Idir · Abdelkader Benabou · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年5月
电力变换器中功率半导体的开关动作是电磁干扰（EMI）的主要来源。为满足电磁兼容性标准，需降低传导发射水平。EMI滤波器设计通常依赖环形磁芯电感，本文提出了一种高频行为模型，用于精确预测电感在宽频范围内的阻抗特性，从而优化EMI滤波器设计。
解读: 该研究对阳光电源的核心业务至关重要。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）的设计中，EMI滤波器是确保产品通过电磁兼容性认证的关键部件。高频电感行为模型能有效提升EMI滤波器的仿真精度，减少样机调试次数，缩短研发周期。建议研发团队将此模型集成至iSolar...
带漏感层的平面磁性元件漏感解析计算
Leakage Inductance Analytical Calculation for Planar Components With Leakage Layers
Wenhua Tan · Xavier Margueron · Laurent Taylor · Nadir Idir · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年6月
平面磁性元件是电力电子系统集成的关键。本文提出了一种针对带有塑性铁氧体漏感层的平面元件的漏感解析建模方法。该方法基于泊松方程求解，能够精确计算漏感，为优化功率变换器的磁性设计提供了理论支撑。
解读: 平面磁性元件的高功率密度设计是阳光电源组串式逆变器及PowerStack储能系统提升效率与减小体积的核心。该研究提出的漏感解析计算方法，有助于研发团队在设计高频DC-DC变换器（如LLC或双向DC-DC）时，更精准地控制漏感参数，从而优化软开关性能并降低损耗。建议将此解析模型集成至研发仿真工具链中，...
考虑磁芯饱和问题的共模电感体积优化方法
Optimization Method of CM Inductor Volume Taking Into Account the Magnetic Core Saturation Issues
Bilel Zaidi · Arnaud Videt · Nadir Idir · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月
电磁干扰（EMI）滤波器是电力电子系统满足电磁兼容性标准的核心组件，其中共模（CM）电感占据了显著的体积与成本。本文提出了一种新的CM电感体积优化计算方法，特别考虑了磁芯饱和问题，旨在提升滤波器设计效率并降低系统整体体积。
解读: 共模电感是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及充电桩产品中EMI滤波器的核心部件。随着产品功率密度的不断提升，如何在满足严苛电磁兼容（EMC）标准的同时，通过优化磁芯利用率来减小体积，是提升产品竞争力的关键。该研究提出的考虑磁芯饱和的优化方法，可直接应用于阳光电源研发流程中，帮助工程...
线性区SiC-JFET极间电容表征方法
Characterization Method of SiC-JFET Interelectrode Capacitances in Linear Region
Ke Li · Arnaud Videt · Nadir Idir · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年2月
为研究SiC-JFET的开关波形，必须掌握功率器件在线性区内的极间电容演变特性。本文首先利用多电流探针法表征了反向传输电容Cgd，并通过阻抗分析仪测量进行了验证。同时，采用相同方法对输出电容Coss进行了测量与分析。
解读: 随着阳光电源在高功率密度组串式逆变器及PowerTitan储能系统PCS中对SiC器件应用比例的提升，精确掌握SiC器件在全工作区间（尤其是线性区）的电容特性对于优化开关损耗模型、提升驱动电路设计精度至关重要。该研究提出的表征方法有助于研发团队更准确地评估SiC器件的动态性能，从而优化逆变器及PCS...
利用电流表面探头测量快速功率半导体电流
Using Current Surface Probe to Measure the Current of the Fast Power Semiconductors
Ke Li · Arnaud Videt · Nadir Idir · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年6月
本文提出了一种用于测量开关电流波形的电流表面探头（CSP），具有高带宽和小插入阻抗的优势。通过测量IGBT开关电流，并与传统电流探头及霍尔效应探头进行对比，验证了其传输阻抗特性，证明了该方法在功率器件动态特性测试中的有效性。
解读: 该技术对阳光电源的研发与质量控制具有重要意义。在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器的研发过程中，高频开关电流的精确测量是优化驱动电路、降低开关损耗及提升电磁兼容性（EMC）的关键。CSP技术相比传统电流探头具有更小的插入阻抗，能更真实地还原IGBT/SiC器件的动态开关过程，有助...
高频GaN变换器PCB电感设计方法
Design Method of PCB Inductors for High-Frequency GaN Converters
Ammar Chafi · Nadir Idir · Arnaud Videt · Hassan Maher · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
新型氮化镓（GaN）功率晶体管凭借纳秒级的开关速度，使变换器工作频率提升至兆赫兹量级，从而减小无源元件体积并提升功率密度。然而，储能电感仍占据变换器较大空间。本文提出了一种PCB电感设计方法，旨在优化高频GaN变换器中的电感设计，以进一步提升系统功率密度。
解读: 该技术对于阳光电源提升光伏逆变器及储能PCS的功率密度具有重要参考价值。随着GaN器件在户用光伏逆变器及小型化储能系统中的应用潜力增加，PCB集成电感技术能有效降低系统体积与寄生参数，提升转换效率。建议研发团队关注该设计方法在轻量化、高频化产品线中的应用，特别是在PowerStack等储能系统的高频...
用于消除三相背靠背逆变器共模电压的PWM策略
PWM Strategy for the Cancellation of Common-Mode Voltage Generated by Three-Phase Back-to-Back Inverters
Arnaud Videt · Mehdi Messaoudi · Nadir Idir · Hocine Boulharts 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月
本文提出了一种用于消除三相背靠背两电平逆变器共模电压的脉宽调制（PWM）策略。通过同步两个变换器的所有换流动作，使系统整体产生的共模电压保持恒定，从而在理论上实现了共模电压的完全消除。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能变流器（PCS）产品线具有重要参考价值。共模电压是导致光伏系统漏电流及电机轴承电腐蚀的主要原因，通过优化PWM调制策略消除共模电压，可显著提升系统电磁兼容性（EMC）表现，并降低对滤波器的设计要求。建议研发团队在PowerTitan等大功率储能变流器及工业级组串式...
肖特基型p-GaN栅HEMT的阈值电压
Vth）不稳定性对开关行为的影响
Xuyang Lu · Arnaud Videt · Soroush Faramehr · Ke Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
肖特基型p-GaN栅GaN HEMT存在阈值电压（Vth）不稳定性问题。在电压偏置下，器件会出现Vth的正向或负向漂移，但该现象对开关行为的影响研究尚不充分。本文深入探讨了Vth漂移对器件动态开关特性的影响机制。
解读: GaN作为第三代半导体，在阳光电源的高频、高功率密度产品（如户用光伏逆变器、微型逆变器及小型充电桩）中具有巨大应用潜力。p-GaN栅HEMT的Vth不稳定性直接关系到驱动电路设计的可靠性与开关损耗的稳定性。建议研发团队在评估GaN器件选型时，重点关注该类器件在长期高压偏置下的Vth漂移特性，并优化驱...
高频功率变换器中GaN器件反向与正向导通下动态导通电阻的精确测量
Accurate Measurement of Dynamic on-State Resistances of GaN Devices Under Reverse and Forward Conduction in High Frequency Power Converter
Ke Li · Arnaud Videt · Nadir Idir · Paul Leonard Evans 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
由于GaN晶体管结构中存在电荷俘获效应，器件在高频开关变换器（如ZVS模式）中运行时，动态导通电阻（R_DSon）会增加。本文提出了一种精确测量方法，用于评估GaN器件在反向和正向导通状态下的动态导通电阻变化，这对优化高频功率变换器的效率和可靠性至关重要。
解读: GaN器件在高频化、小型化趋势下对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品具有重要意义。该研究揭示的动态导通电阻特性直接影响高频变换器的效率评估与热设计。建议研发团队在开发下一代高功率密度组串式逆变器或充电桩模块时，参考该测量方法评估GaN器件在ZVS工况下的实际损耗，以优化驱动电路设计，提升系统整...