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高频GaN变换器PCB电感设计方法
Design Method of PCB Inductors for High-Frequency GaN Converters
| 作者 | Ammar Chafi · Nadir Idir · Arnaud Videt · Hassan Maher |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 DC-DC变换器 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 晶体管 高频变换器 PCB 电感 功率密度 无源元件 能量存储 电力电子 |
语言:
中文摘要
新型氮化镓（GaN）功率晶体管凭借纳秒级的开关速度，使变换器工作频率提升至兆赫兹量级，从而减小无源元件体积并提升功率密度。然而，储能电感仍占据变换器较大空间。本文提出了一种PCB电感设计方法，旨在优化高频GaN变换器中的电感设计，以进一步提升系统功率密度。
English Abstract
The new power Gallium Nitride transistors allow to increase the operating frequency of converters to megahertz range, thanks to their low switching time that is of a few nanoseconds or less. This permits to reduce the values and the volume of the passive components, and enhance the power density of power converters. However, inductors needed for energy storage still take a large volume in converte...
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SunView 深度解读
该技术对于阳光电源提升光伏逆变器及储能PCS的功率密度具有重要参考价值。随着GaN器件在户用光伏逆变器及小型化储能系统中的应用潜力增加，PCB集成电感技术能有效降低系统体积与寄生参数，提升转换效率。建议研发团队关注该设计方法在轻量化、高频化产品线中的应用，特别是在PowerStack等储能系统的高频DC-DC模块中，通过PCB电感替代传统磁性元件，以实现更优的散热性能和更高的功率密度，增强产品市场竞争力。