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ALD法制备的高-k ZrAlOx介质用于提升CNTs/ZTO CMOS反相器性能
ALD-derived high-k ZrAlOx dielectrics for boosted performance of CNTs/ZTO CMOS inverter
Jun Yang · Chuanxin Huang · Zhaorui Tong · Hongyu Fan 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127
本研究采用原子层沉积（ALD）技术制备了高介电常数（high-k）ZrAlOx介质，并应用于碳纳米管/氧化锌锡（CNTs/ZTO）互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器中。通过优化ZrAlOx介电层的组分与工艺，有效提升了器件的栅控能力与界面特性，显著改善了CMOS反相器的电压增益、噪声容限及开关性能。实验结果表明，该高-k介质可有效抑制栅极泄漏电流并增强跨导，从而实现更优异的整体电学性能。此方法为高性能柔性及低温集成电子器件的发展提供了可行的技术路径。
解读: 该高-k介质CMOS技术对阳光电源功率电子控制系统具有重要参考价值。ALD制备的ZrAlOx介质展现的低泄漏、高跨导特性，可启发ST储能变流器和SG光伏逆变器中栅极驱动电路的优化设计，特别是SiC/GaN功率器件的栅极介质改进，有助于降低开关损耗、提升驱动响应速度。该技术的低温工艺特性适用于iSol...
用于肿瘤治疗的带下冲抑制电路的高频双极脉冲变压器
High-Frequency Bipolar Pulse Transformer With an Undershoot Damping Circuit for Tumor Application
Yanpeng Lv · Xuan Liu · Yuqi Wang · Shihan Lu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月
高频不可逆电穿孔（H-FIRE）利用高压高频双极脉冲进行肿瘤消融，且能有效抑制肌肉收缩。本文设计了一种嵌入升压变压器主拓扑中的带磁隔离驱动的下冲抑制电路（MI-UD），旨在减少由漏感引起的电压下冲，提升脉冲输出质量。
解读: 该文献研究的高频脉冲变压器及下冲抑制技术，核心在于提升高频高压脉冲输出的波形质量与可靠性。虽然其应用场景为医疗领域，但其涉及的磁性元件优化设计、漏感抑制及高频驱动技术，对阳光电源的电力电子研发具有参考价值。特别是在高频功率变换器（如高频隔离型DC-DC变换器）的设计中，该文提出的抑制电压尖峰与下冲的...
基于米勒平台持续时间的IGBT原位状态监测
In situ Condition Monitoring of IGBTs Based on the Miller Plateau Duration
Jingcun Liu · Guogang Zhang · Qian Chen · Lu Qi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年1月
IGBT的老化前兆识别对于实现在线状态监测及剩余寿命评估至关重要。本文提出利用IGBT开通瞬态过程中的米勒平台持续时间作为一种在线监测前兆，用于指示两种主要的失效模式，为电力电子系统的可靠性评估提供了新的原位监测手段。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器）具有极高的应用价值。IGBT作为功率变换的核心器件，其可靠性直接决定了产品的全生命周期运维成本。通过监测米勒平台持续时间实现IGBT老化状态的在线预警，可显著提升iSolarCloud平台的智能...
一种带有三角形配置脉冲倍增电路的新型36脉冲整流器
A Novel 36-Pulse Rectifier With a Delta-Configured Pulse-Doubler Circuit
Jingfang Wang · Jianhua Wang · Wenyi Zhang · Xuliang Yao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
为提升传统18脉冲整流器的谐波抑制能力，本文提出了一种三角形配置脉冲倍增电路（DC-PDC），并构建了新型36脉冲整流器。该电路通过在整流器直流侧集成三个双抽头变换器，有效改善了输入电流质量，降低了谐波含量。
解读: 该技术主要针对大功率整流环节的谐波治理，虽然阳光电源目前的主流产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）多采用基于IGBT/SiC的PWM整流技术，但在大型工业电源、电解水制氢电源或特定高压直流输入应用场景中，多脉冲整流技术仍具有低成本、高可靠性的优势。建议研发团队关注该拓扑在降低输入电流...
使用乙基肼甲酸盐抑制二价锡氧化以实现高性能全钙钛矿叠层太阳能电池
Minimizing tin(Ⅱ)oxidation using ethylhydrazine oxalate for high-performance all-perovskite tandem solar cells
Jianhua Zhang1Xufeng Liao1Weisheng Li1Yutian Tian1Qinyang Huang1Yitong Ji1Guotang Hu2Qingguo Du3Wenchao Huang1Donghoe Kim4Yi-Bing Cheng5Jinhui Tong1 · 半导体学报 · 2025年5月 · Vol.46
全钙钛矿叠层太阳能电池（ATSCs）有望突破传统单结器件的Shockley-Queisser效率极限。然而，作为其关键子电池的锡铅混合钙钛矿太阳能电池（PSCs）性能与稳定性仍显著落后于纯铅基器件，主要受限于钙钛矿快速结晶及Sn²⁺易氧化导致的粗糙形貌和p型自掺杂。本文在钙钛矿界面引入乙基肼甲酸盐（EDO），有效抑制Sn²⁺氧化并提升结晶质量。经EDO修饰的锡铅PSCs实现了21.96%的光电转换效率，且重现性优异。进一步将EDO用于叠层电池中的锡铅子电池界面钝化，获得了27.58%的高效ATS...
解读: 该全钙钛矿叠层电池技术对阳光电源光伏产品线具有前瞻性价值。27.58%的叠层电池效率突破单结极限，为SG系列逆变器未来适配高效率组件提供技术储备。EDO抑制Sn²⁺氧化提升稳定性的思路，可借鉴至PowerTitan储能系统的电芯界面钝化设计，延长循环寿命。叠层电池的宽光谱吸收特性需要MPPT算法优化...
一种用于直流侧有源谐波注入电路的串联12脉波整流器交流谐波抑制的鲁棒负载适应方法
A Robust Load Adaptability Method to Suppress AC Harmonic for Series-Connected 12-Pulse Rectifier With DC Side Active Harmonic Injection Circuit
Ruidong Sun · Guohong Zeng · Buyu Yang · Luoqi Wu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
针对多脉波整流器直流侧谐波抑制方法仅适用于大电感负载的问题，本文提出了一种新型有源谐波注入电路（AHIC），用于串联12脉波整流器。该方法在非理想感性负载条件下，能有效降低输入电流的总谐波失真（THD），提升电能质量。
解读: 该技术主要针对工业大功率整流领域，通过有源谐波注入改善电能质量。虽然阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及风电变流器，其拓扑多为基于IGBT/SiC的电压源型逆变器（VSI），而非传统的12脉波整流器，但该文提出的有源谐波注入思想（AHIC）在提升电网侧电能质量、降低谐波含量方面具有参考价...
基于两级螺杆驱动的谐振式直线压电平台研制：实现纳米级分辨率与高输出力
Development of a Resonant Linear Piezoelectric Platform Driven by Two-Staged Screws With Nanometer Resolution and High Output Force
Jianhua Sun · Jie Deng · Shijing Zhang · Jing Li 等5人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年12月
高性能直线压电平台是微纳操作与超精密制造的核心装置。本文提出一种尺寸为Φ60 mm × 76.5 mm的新型谐振式直线压电平台（RLPP），其特点在于采用两级螺杆机构实现双向直线运动，兼具纳米级分辨率、高输出力及断电自锁功能。该平台由悬臂梁结构的弯曲型混合压电执行器（BHPA）驱动，可在两种弯曲振动模式下工作，并通过双行波驱动显著提升输出力。理论分析与有限元仿真验证了两种工作模式及双行波驱动机制。实验结果表明，在300 V<sub>p-p</sub>电压和24.2 kHz频率下，样机最大输出力达...
解读: 该纳米级压电驱动技术对阳光电源功率器件封装与精密制造环节具有重要应用价值。在SiC/GaN功率模块生产中，两级螺杆压电平台的40nm分辨率可用于芯片键合、引线焊接等超精密装配工艺，72N高输出力满足压接需求，断电自锁功能确保工艺稳定性。在ST储能变流器与SG逆变器的母排焊接、散热器装配等环节，该平台...
基于混合深度学习的无分布假设光伏功率概率密度预测
Distribution-Free photovoltaic power probability density forecasting based on hybrid deep learning
Haohao Fenga · Yujing Shia · Mifeng Rena · Wenjie Zhang 等6人 · Solar Energy · 2025年11月 · Vol.300
摘要 光伏（PV）发电具有高度随机性，概率预测能够有效量化其不确定性。然而，现有的概率预测模型受限于先验分布假设和不完整的表示方式，削弱了其对真实数据生成过程的建模能力，导致预测效果不理想。为解决这一问题，本文提出一种基于B样条-iTransformer-多头交叉注意力（BS-iMCFormer）的无分布假设光伏功率概率密度预测模型。该模型的核心在于：利用B样条拟合通过核密度估计（KDE）获得的概率密度函数（PDF），提取表征PDF特征的控制点以构建系数向量，并将PDF预测转化为系数向量的预测；...
解读: 该无分布假设的光伏功率概率密度预测技术对阳光电源iSolarCloud智慧运维平台及SG系列逆变器具有重要应用价值。基于B样条-iTransformer的混合深度学习模型可集成至预测性维护系统,通过精准量化发电不确定性,优化ST系列储能PCS的充放电策略制定。其KL散度降低54.82%的性能提升,可...
具身智能赋能定制化制造：架构、机遇和挑战
Embodied Intelligence Empowering Customized Manufacturing: Architecture, Opportunities, and Challenges
Jinbiao Tan · Jianhua Shi · Ligang Wu · Baotong Chen 等6人 · IEEE Access · 2025年5月
随着人工智能AI技术在定制化制造CM中的持续进步，当前将感知与执行分离的智能模型缺乏适应性和通用性。强调实时环境交互和反馈的新兴技术具身智能EI，有望实现以感知-认知-执行-反馈为特征的集成智能制造系统，增强制造物联网IoMT、设备管理和资源调度等多因素系统的性能和智能。然而CM中当前AI系统仍然孤立，缺乏多源感知和反馈的环境交互方法，阻碍自主演化智能系统发展。为解决CM中多样化生产要素间环境交互瓶颈，本文提出循环具身智能制造CEIM架构，旨在实现异构生产要素信息融合。目标是增强环境感知并建立自...
解读: 该具身智能制造技术对阳光电源智能制造和数字化转型有前瞻性启发意义。虽然阳光主要聚焦能源设备制造，但CEIM架构的感知-认知-执行-反馈闭环理念可应用于阳光智能工厂建设。多源传感器融合和AI决策优化技术可提升阳光生产线的自动化和智能化水平。大语言模型LLM的推理能力对阳光开发智能生产调度和质量控制系统...
钠诱导的掺钨氧化铟薄膜及异质结太阳能电池在湿热环境中的退化
Sodium-induced degradation of tungsten doped indium oxide film and HJT solar cells in damp-heat environment
Yunren Luo · Jianhua Shi · Shuyi Chen · Haodong Chen 等14人 · Solar Energy · 2025年8月 · Vol.296
摘要 硅异质结（HJT）太阳能电池的可靠性是延长其光伏系统寿命的关键。钠被认为是使用钠钙玻璃封装的光伏组件性能衰减的主要因素之一。本研究探讨了在湿热条件（DH，85 °C和85%相对湿度）下，未封装HJT太阳能电池因NaHCO₃引起的退化行为。Na⁺和H₂O在IWO薄膜晶界处的化学吸附可促进氧化铟向氢氧化铟的转化，导致载流子迁移率下降以及晶界势垒升高。此外，Na⁺穿过IWO薄膜扩散至HJT太阳能电池的钝化层，会恶化nc-Si:H的钝化效果，从而引起HJT太阳能电池效率的降低。研究发现，具有大晶粒...
解读: 该研究揭示HJT电池在湿热环境下钠离子诱导的IWO薄膜降解机制,对阳光电源SG系列光伏逆变器系统可靠性设计具有重要参考价值。研究发现大晶粒IWO薄膜可显著降低效率衰减(从71.4%降至36.6%),为iSolarCloud平台的组件衰减预测模型提供理论依据。建议在逆变器MPPT算法中加入组件湿热老化...
面向P-GaN栅HEMT的物理基础紧凑模型：完整Q–VD与C–VD响应
Physics-Based Compact Model for P-GaN-Gate HEMT Featuring Complete Responses of Q–VD and C–VD
Kaiyuan Zhao · Huolin Huang · Luqiao Yin · Aiying Guo 等7人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年12月 · Vol.73
本文提出一种物理基础P-GaN栅HEMT紧凑模型，首次实现栅电荷Qg与栅-漏电压VD的显式关联，并精确分解Cgg为Cgs与Cgd，支撑E-mode GaN器件在高频高效率变换器中的精准建模与SPICE仿真。
解读: 该模型显著提升GaN器件在高频光伏逆变器（如SG320HX组串式逆变器）和储能变流器（ST系列PCS）中的动态特性建模精度，尤其利于优化开关损耗、dv/dt抑制及EMI预测。阳光电源可基于此模型加速GaN基高效拓扑（如图腾柱PFC、双向LLC）在户用光储系统中的工程落地，并为PowerTitan下一...