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基于米勒平台持续时间的IGBT原位状态监测
In situ Condition Monitoring of IGBTs Based on the Miller Plateau Duration
| 作者 | Jingcun Liu · Guogang Zhang · Qian Chen · Lu Qi · Yingsan Geng · Jianhua Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年1月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 状态监测 老化前兆 米勒平台 开通瞬态 可靠性 剩余寿命 电力电子 |
语言:
中文摘要
IGBT的老化前兆识别对于实现在线状态监测及剩余寿命评估至关重要。本文提出利用IGBT开通瞬态过程中的米勒平台持续时间作为一种在线监测前兆，用于指示两种主要的失效模式，为电力电子系统的可靠性评估提供了新的原位监测手段。
English Abstract
Aging precursor identification is crucial to achieving online condition monitoring and estimating the remaining lifetime of insulated-gate bipolar transistors (IGBTs). However, existing failure precursors are limited with respect to in situ monitoring. In this paper, the duration of the Miller plateau during the IGBT turn-on transition is proposed as an online precursor indicating two dominant typ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器）具有极高的应用价值。IGBT作为功率变换的核心器件，其可靠性直接决定了产品的全生命周期运维成本。通过监测米勒平台持续时间实现IGBT老化状态的在线预警，可显著提升iSolarCloud平台的智能化运维水平，实现从“事后维修”向“预测性维护”的转型。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器及PCS产品中集成该算法，以提升系统在复杂工况下的可靠性，降低电站运维风险。