Haonan Lin · Jun Zhang · Xuanyu Gu · Hengdian Chang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月

本文研究了偏置稳定性对共聚物横向漂移区有机场效应晶体管（LDR - OFET）阈值电压漂移的影响。所制备的LDR - OFET分别以基于二酮吡咯并吡咯的聚合物（DPPT - TT）和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）薄膜作为半导体层和栅极介电层。在环境空气条件下，LDR - OFET连续暴露4320小时仍能保持正常功能，无明显性能退化，显示出强大的稳定性。然而，与大气应力作用下的LDR - OFET相比，偏置应力作用下的LDR - OFET退化更为明显。值得注意的是，负偏置和正偏置对阈值电压漂移的影响...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于有机场效应晶体管（OFET）阈值电压稳定性的研究具有一定的前瞻性参考价值，但距离实际应用仍存在较大距离。 该研究聚焦于共聚物基横向漂移区OFET在环境和偏置应力下的稳定性表现。其核心价值在于验证了有机半导体器件在长时间环境暴露（4320小时）下的稳定性，以及揭示了...

Nicolae-Cristian Sintamarean · Frede Blaabjerg · Huai Wang · Francesco Iannuzzo 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月

本文介绍了一种用于新一代并网光伏逆变器的可靠性导向设计工具。该工具集成了真实任务剖面（RFMP）模型、光伏组件模型、逆变器模型、电热耦合模型以及功率半导体器件的寿命模型，旨在实现逆变器全生命周期的精确可靠性评估与优化设计。

解读: 该研究对于阳光电源的组串式和集中式光伏逆变器产品线具有极高的应用价值。通过引入RFMP模型和电热耦合仿真，研发团队可以在产品设计阶段更精准地预测功率模块（如IGBT/SiC）在不同气候条件下的寿命，从而优化散热设计与控制策略。这不仅能显著降低逆变器在复杂环境下的故障率，提升iSolarCloud平台...

Yi Deng · Jun Li · Kee Ho Shin · Tero Viitanen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月

三电平中点钳位（NPC）变换器广泛应用于高功率中压领域，但其半导体器件间存在功率损耗不均衡问题，尤其在低基频运行工况下更为严重。本文提出了一种改进的调制方案，旨在解决该拓扑的损耗不平衡挑战，提升变换器的整体效率与热稳定性。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线——大功率组串式及集中式光伏逆变器。三电平ANPC拓扑是提升逆变器效率与功率密度的关键技术，尤其在大型地面电站及工商业场景中，损耗平衡直接影响器件寿命与散热设计。通过优化调制策略解决损耗不均，可有效降低IGBT模块的热应力，提升高功率密度产品的可靠性。建议研发团队在...

Stefanie Heinig · Keijo Jacobs · Kalle Ilves · Staffan Norrga 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月

随着中压硅（Si）和碳化硅（SiC）功率器件的发展，高功率变换器子模块的辅助电源（APS）设计面临新挑战。APS作为驱动电路的核心供电单元，直接影响变换器系统的整体可靠性与效率。本文综述了APS的最新技术进展，并探讨了其在高性能电力电子系统中的未来发展方向。

解读: 辅助电源（APS）是阳光电源核心产品（如PowerTitan储能系统、集中式/组串式光伏逆变器及风电变流器）中驱动电路的关键组成部分。随着公司产品向更高功率密度和更高电压等级（如1500V及以上）演进，SiC器件的广泛应用对APS的绝缘水平、抗干扰能力及热管理提出了更高要求。本文的研究有助于优化公司...

Loreine Makki · Antoine Laspeyres · Corentin Darbas · Anne-Sophie Descamps 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月

宽禁带（WBG）半导体器件的高开关速度和高频特性在提升功率转换效率的同时，也带来了严峻的电磁干扰（EMI）挑战。本文针对栅极驱动应用中的脉冲平面变压器，建立了等效电路模型，并重点研究了其在高速开关瞬态下对高dv/dt应力的耐受能力，为高频功率变换器的可靠性设计提供了理论支撑。

解读: 该研究对阳光电源的功率电子设计具有重要参考价值。随着公司在户用及工商业光伏逆变器、电动汽车充电桩中大规模应用SiC等宽禁带器件，高dv/dt带来的EMI和绝缘可靠性问题日益突出。平面变压器是高功率密度设计的核心组件，本文提出的等效模型及耐受性分析方法，可直接应用于公司新一代高频逆变器及充电桩的栅极驱...

Zhuo Qing · Peng Guo · Qianming Xu · Jiayu Hu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

宽禁带半导体器件因高开关速度提升了功率密度，但也带来了严重的共模（CM）电磁干扰（EMI）问题。平衡技术作为一种有效的CM噪声抑制手段，在提升功率密度方面具有显著优势。本文提出了一种改进的平衡技术，旨在进一步优化DC-AC变换器的电磁兼容性能。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器全面转向SiC等宽禁带半导体，高频开关带来的EMI挑战日益严峻。该研究提出的改进平衡技术，无需额外增加庞大的无源滤波器即可抑制共模噪声，对提升逆变器功率密度、减小整机体积及降低EMI滤波成本具有直接指导意义。建议研发团队在下一代高功率密度组...

Lei Tang · Huaping Jiang · Xiaohan Zhong · Yihan Huang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月

在大功率应用中，SiC MOSFET并联技术至关重要。然而，栅极电路的不对称性会导致栅极电感不匹配，进而引发电流不平衡。本文深入研究了阈值电压离散性的演变规律及其对并联器件电流分配的影响，为提升高功率密度电力电子系统的可靠性提供了理论支撑。

解读: 该研究直接关系到阳光电源大功率组串式逆变器（如SG系列）及大型储能系统（如PowerTitan系列）的核心功率模块设计。随着SiC器件在光储产品中的广泛应用，并联均流与长期可靠性是提升系统功率密度和效率的关键。该文献关于栅极回路电感对阈值电压漂移及电流不平衡影响的分析，对优化阳光电源功率模块的PCB...

Sangyun Song · Seunghyun Park · Dong-Seok Kim · Hyemin Kang · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月

随着功率半导体器件在高辐射环境中的应用日益广泛，了解不同类型辐射对器件性能的影响至关重要。本研究探究了伽马射线和质子辐照对超结（SJ）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）的影响，着重分析了总电离剂量（TID）效应和反向恢复特性的差异。两种辐照类型都会因总电离剂量效应导致阈值电压发生变化，但这两种辐射特性导致了不同的阈值电压变化模式。此外，在反向恢复特性方面，与伽马射线相比，具有质量和电荷的质子会在器件中形成缺陷并促进电荷复合，从而导致更明显的反向恢复电荷（ ${Q}_{\te...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，该研究对我们在特殊应用场景下的产品可靠性具有重要参考价值。随着光伏、储能系统在航空航天、高海拔地区、极地科考站等辐射环境中的应用日益增多，超结MOSFET作为逆变器和储能变流器核心功率器件的抗辐射性能直接影响系统长期稳定性。 研究揭示的质子与伽马射线辐照差异对我们的器件选...

Ashraf Ali Khan · Honnyong Cha · Ju-Won Baek · Juyong Kim 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年10月

本文提出了一种采用移相控制且减少电感数量的新型级联AC-AC变换器。该拓扑利用标准低压额定半导体器件即可实现高电压等级输出。此外，该变换器具备抗直通能力，无需PWM死区时间，从而显著提升了系统可靠性与转换效率。

解读: 该拓扑通过级联结构和抗直通特性提升了功率变换的可靠性，对阳光电源的组串式逆变器及储能PCS产品具有参考价值。其无需死区的特性有助于降低开关损耗并提升波形质量。建议研发团队评估该拓扑在多电平逆变器中的应用潜力，特别是在高压直流输入场景下，通过减少电感数量可进一步优化功率密度和成本。虽然目前主要针对AC...

Ke Li · Paul Leonard Evans · Christopher Mark Johnson · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年6月

氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）存在陷阱效应，导致其导通电阻（RDS(on)）高于理论值。该电阻的增加与器件关断状态下的直流偏置电压及偏置时间密切相关。本文对不同商业化GaN-HEMT的动态导通电阻进行了表征与建模研究。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对功率密度和效率要求的不断提升，GaN器件的应用成为关键技术趋势。动态导通电阻（Dynamic RDS(on)）是影响GaN器件在高频开关应用中可靠性与效率的核心因素。该研究提供的表征与建模方法，可指导研发团队在设计高频功率模块时，更准确地评估GaN器...

Prescott H. McLaughlin · Jan S. Rentmeister · M. Hassan Kiani · Jason T. Stauth · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月

本文探讨了在无源元件（飞跨电容和电感）尺寸严格受限的情况下，多种混合谐振开关电容（SC）DC-DC变换器的性能优势。通过引入“最小功率损耗”品质因数（FOM），综合评估了有源半导体器件的导通损耗、频率相关损耗以及无源元件的相关损耗，为高功率密度变换器设计提供了理论依据。

解读: 该研究聚焦于高功率密度DC-DC变换器拓扑，对阳光电源的组串式光伏逆变器（如SG系列）及户用储能系统（如SB系列）具有重要参考价值。随着光伏和储能产品向小型化、高功率密度方向演进，文中提出的混合谐振SC拓扑及FOM评估方法，可指导研发团队在受限空间内优化无源元件选型与损耗控制。建议研发部门关注该拓扑...

Joao Marcus Soares Callegari · Allan Fagner Cupertino · Victor de Nazareth Ferreira · Heverton Augusto Pereira · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月

本文针对两级式并网光伏逆变器，提出了一种最小直流母线电压控制策略。该策略通过实时计算功率传输所需的最小直流母线电压，有效降低了电容和功率半导体器件的应力，从而在提升系统转换效率的同时，增强了逆变器的运行可靠性。

解读: 该研究直接契合阳光电源组串式及集中式光伏逆变器的核心技术需求。通过动态优化直流母线电压，可显著降低逆变器内部IGBT等功率器件的开关损耗，提升整机效率，同时减轻直流侧电容的电压应力，延长关键元器件寿命，符合阳光电源追求高可靠性与高功率密度的产品设计理念。建议研发团队在下一代组串式逆变器（如SG系列）...

Jiaxing Ye · Mingyi Wang · Sihang Cui · Chengming Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

随着功率半导体开关频率的提高，抑制电压源逆变器（VSI）产生的共模电压（CMV）至关重要，以减少电磁干扰（EMI）及电机轴电流等危害。本文提出了一种基于单边载波形式的改进调制技术，在考虑死区效应和开关损耗的前提下，有效降低了系统的共模电压。

解读: 该技术对阳光电源的组串式及集中式光伏逆变器产品线具有重要参考价值。随着逆变器功率密度提升，EMI问题日益突出，该调制策略在优化共模电压的同时兼顾了死区效应和损耗，有助于提升逆变器在高频化趋势下的电磁兼容性（EMC）表现。建议研发团队将其应用于新一代高频化逆变器平台的控制算法优化中，以降低滤波器体积，...

Hai Huang · Maolin Pan · Qiang Wang · Xinling Xie 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月

在本研究中，在专为 p - GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）设计的商用 GaN 晶圆上展示了一款增强型（E 型）p 沟道 GaN 金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（p - MOSFET），其最大导通态电流（ ${I}_{\text {ON}}$ ）密度为 10.5 mA/mm，阈值电压（ ${V}_{\text {TH}}$ ）为 - 2.45 V， ${I}_{\text {ON}}/{I}_{\text {OFF}}$ 比为 $10^{{8}}$ 。此外，我们提出了一种新型 E...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于AlN插入层的增强型p沟道GaN MOSFET技术具有重要的战略意义。当前我们的光伏逆变器和储能变流器主要采用n沟道功率器件，而该技术突破为实现GaN基互补金属氧化物半导体（CMOS）架构提供了关键的p沟道器件解决方案。 该技术的核心价值在于显著改善的器件性能参数...

Zipeng Ke · Jun Wang · Bo Hu · Xuanting Song 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

针对SiC MOSFET短路故障，本文提出了一种基于栅极电流检测的超快通用短路保护方法。该方法利用短路发生时栅极电流的特征变化，实现对故障的快速响应，显著提升了功率器件在极端工况下的可靠性。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用日益广泛。该技术通过栅极电流检测实现超快短路保护，能有效解决SiC器件短路耐受时间短的痛点，提升系统在复杂电网环境下的鲁棒性。建议研发团队在下一代高频功率模块驱动电...

Jiahua Konga1 · Maziar Jafarib1 · Yixiao Huang · Qinggang Houa 等8人 · Solar Energy · 2025年11月 · Vol.300

摘要 近年来，钙钛矿和有机太阳能电池等新兴光伏技术展现出显著的光电转换效率（PCE），然而其性能与稳定性在很大程度上依赖于高效的电荷传输层（CTLs）。由于具备可调的光电特性、增强的载流子迁移率以及优异的界面工程能力，包括量子点（0维）、纳米线/纳米管（1维）和纳米片（2维）在内的低维半导体纳米杂化材料，已成为下一代电荷传输层的有力候选者。本文系统综述了低维半导体纳米杂化材料在电荷传输层中的最新研究进展，重点聚焦于其结构设计、电荷传输机制及其在新兴光伏器件中提升性能的作用。我们讨论了优化纳米杂化...

解读: 该低维半导体纳米杂化材料技术对阳光电源光伏逆变器及储能系统具有重要应用价值。文章聚焦的电荷传输层优化策略,如能带工程、缺陷钝化等,可启发SG系列逆变器在钙钛矿等新型光伏组件适配中的MPPT算法优化。量子点、纳米线等材料的高载流子迁移率特性,与公司SiC/GaN功率器件的低损耗理念契合,可为三电平拓扑...

Linyuan Liao · Jun Wang · Sai Tang · Zhikang Shuai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年6月

作为后硅时代极具吸引力的功率半导体器件，SiC BJT已得到广泛研究并实现商业化。然而，由于其导通状态下需要较大的恒定基极电流以确保完全导通，导致驱动损耗较高，限制了其市场普及。本文提出了一种新型比例基极驱动技术，旨在优化SiC BJT的驱动效率。

解读: SiC BJT作为宽禁带半导体器件，在提升功率密度和转换效率方面具有潜力。阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器中已广泛应用SiC MOSFET，但SiC BJT作为一种替代技术路线，其驱动电路的优化直接关系到整机的损耗与热管理。该比例驱动技术能有效降低驱动功耗，若能解决其驱动复...

Mouhannad Dbeiss · Yvan Avenas · Henri Zara · Laurent Dupont 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月

本文提出了一种针对光伏逆变器中功率半导体器件的加速老化测试新方法。通过分析法国多个光伏电站多年的输出电流和环境温度任务剖面，构建了一种综合考虑多种约束条件的特定老化测试曲线，旨在更准确地评估光伏逆变器在实际运行环境下的寿命与可靠性。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心业务——光伏逆变器（组串式及集中式）。通过将实际电站的任务剖面（Mission Profiles）转化为加速老化测试标准，能够显著提升阳光电源产品在设计阶段的可靠性验证精度，缩短研发周期。该方法可直接应用于阳光电源功率模块的寿命预测模型优化，提升产品在极端环境下的长期运...

Weiwei Zhang · Yigang He · Xiao Wang · Jianfei Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

电容器和功率半导体器件是电力电子系统中最薄弱的环节。本文提出了一种针对三电平T型（3L-T）逆变器的综合在线故障诊断与电容状态监测方法，通过对直流侧和交流侧建模，有效提升了系统的整体可靠性，为电力电子设备的长期稳定运行提供了技术保障。

解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线，特别是组串式逆变器和集中式逆变器。T型三电平拓扑是阳光电源中大功率光伏逆变器的主流方案，该文提出的在线故障诊断与电容监测技术，能够显著提升逆变器在复杂工况下的可靠性，降低运维成本。建议研发团队将该算法集成至iSolarCloud智能运维平台，实现从“被动维修”向“...

Haoyuan Weng · Yongshan Jiang · Min Chen · Changsheng Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月

直流固态变压器（DCSST）是未来中压直流系统的核心模块，其效率对系统至关重要。高压半导体器件的应用显著减少了DCSST的功率转换单元数量。本文提出了一种动态调整有源（在用）单元数量的方法，以优化DCSST在不同负载条件下的整体转换效率。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及中压直流并网技术具有重要参考价值。DCSST作为模块化多电平变换器的演进方向，通过动态调整有源单元数量，可显著提升储能PCS在轻载或宽电压范围下的运行效率。建议研发团队关注该动态控制策略，将其应用于高压储能变流器架构中，以优...