Yeke Liu · Po-Yen Huang · Chun Chuang · Sih-Han Li 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年8月

对于射频应用的硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT）而言，衬底损耗仍是一项关键挑战。在本研究中，我们通过实验验证了氮化镓/铝镓氮（GaN/AlGaN）背势垒（BB）界面处二维空穴气（2DHG）的形成，并首次证明了其在抑制射频衬底损耗方面的重要作用。我们提出了一种二维空穴气屏蔽模型，并通过技术计算机辅助设计（TCAD）仿真进行了验证。此外，我们引入了前偏置技术，可在工作偏置条件下直接观测二维空穴气。小信号建模和S参数测量显示，与无铝镓氮背势垒的器件相比，具有铝镓氮背势垒的器...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GaN-on-Si HEMT器件的2DHG背势垒技术具有重要的战略价值。该技术通过在GaN/AlGaN界面形成二维空穴气体来抑制衬底损耗，使器件的截止频率和最大振荡频率分别提升7 GHz和15 GHz，同时改善了功率增益、功率附加效率和线性度指标。 对于阳光电源的核心...

Junhua Wang · Xinghong He · Changsong Cai · Yang Si 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

PCB绕组因其制造简便、高重复性和紧凑尺寸，在无线电能传输（WPT）系统中具有显著优势。本文针对WPT系统中的阻抗匹配挑战，提出了一种多股PCB绕组的分体阻抗调谐方法，旨在优化传输效率并保持参数的一致性，适用于无人机及其他移动设备的紧凑型电源模块。

解读: 该技术主要针对无线电能传输（WPT）领域，虽然阳光电源目前的核心业务聚焦于光伏逆变器、储能系统及电动汽车充电桩，但该研究中关于PCB绕组的优化设计及阻抗调谐方法，对提升功率模块的功率密度和散热性能具有参考价值。在阳光电源的充电桩产品线或未来小型化储能模块的研发中，若涉及高频磁性元件的集成设计，可借鉴...

Connor Nogales · Zoya Popović · Gregor Lasser · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

本文提出了一种门极脉冲技术，用于抑制多电平动态电压电源中的振铃现象，该电源主要用于GaN射频功率放大器（RFPA）的漏极偏置调制。通过优化门极驱动策略，该方法能在保持高瞬时带宽的同时，有效提升射频功率放大器在处理变包络信号时的平均效率。

解读: 该文献探讨的GaN器件驱动优化及多电平电路振铃抑制技术，对阳光电源的功率电子研发具有参考价值。虽然该研究侧重于射频领域，但其核心的宽禁带半导体（GaN）驱动控制与多电平拓扑优化，可迁移至阳光电源的高频高效户用逆变器或小型化充电桩模块设计中。建议研发团队关注该门极脉冲技术在降低高频开关损耗与电磁干扰（...

Lisheng Wang · Wenbo Wang · Raymond J. E. Hueting · Gert Rietveld 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月

宽禁带（WBG）半导体凭借优异的材料特性，在高温、高频和高效率应用中表现卓越。然而，传统的铝线键合互连技术限制了其性能发挥，主要受限于寄生参数等问题。本文综述了针对WBG器件的先进顶部互连技术，旨在提升功率模块的整体性能与可靠性。

解读: 该技术直接影响阳光电源核心产品线的竞争力。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中加速导入SiC器件，传统的铝线键合已成为提升功率密度和开关频率的瓶颈。采用先进的顶部互连技术（如铜夹片、烧结技术等）可显著降低寄生电感，减小开关损耗，并提升模块在高温环境下的可靠性。建议研发团...

Cheng Xu · Zaikun Han · Shuai Lu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年5月

无差拍预测电流调节器具有快速动态响应的优点，但在实际系统中，受电感等参数不确定性影响，存在稳态电流跟踪误差。本文提出一种新的闭式方法，无需基于观测器的扰动电压前馈，即可直接补偿电流跟踪误差。

解读: 该技术主要针对永磁同步电机（PMSM）的电流控制，与阳光电源的风电变流器及储能系统中的电机驱动控制逻辑高度相关。无差拍预测控制（Deadbeat Control）能显著提升变流器的动态响应速度，对于风电变流器在复杂电网环境下的电流跟踪精度优化具有重要参考价值。此外，该闭式补偿方法无需复杂观测器，降低...

Wenkang Huang · Brad Lehman · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月

本文介绍了一种横向耦合电感结构及其在单相和多相DC-DC变换器中的应用。针对服务器、GPU及AI系统中高电流、小体积的供电需求，该结构通过优化磁集成技术，有效减小了电感体积并降低了功率损耗，提升了变换器的功率密度。

解读: 该技术主要针对高电流密度的DC-DC变换场景，与阳光电源的组串式逆变器及储能系统（如PowerTitan系列）中的DC-DC功率模块设计具有技术关联。在储能PCS及高功率密度光伏逆变器中，电感是影响体积和效率的关键磁性元件。建议研发团队关注该横向耦合电感结构，评估其在提升变换器功率密度、降低磁损耗方...

Rajat Shahane · Anshuman Shukla · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

针对中压直流应用中模块化多电平变换器（MMC）存在的子模块数量少、输出电平低以及硅基IGBT限制开关频率导致THD较高的问题，本文提出了一种新型混合交叉连接子模块拓扑，旨在提升输出电压质量并优化系统体积与成本。

解读: 该研究针对中压应用场景，通过改进MMC拓扑结构优化输出性能，对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级（如1500V及以上）演进，该拓扑有助于在不增加额外滤波成本的前提下提升电能质量。建议研发团队关注该混合交叉连接技术在大型...

Andrea Congiu · Emanuele Bodano · Massimo Barbaro · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年8月

本文提出了一种针对Buck变换器输出滤波器ESR参数的非参数化系统辨识算法。该方法利用稳态运行下的ΔΣ抖动放大效应，通过注入微小噪声激励控制环路，实现对输出滤波器配置的在线辨识，为开关电源的实时状态监测与控制优化提供了新思路。

解读: 该技术对于阳光电源的组串式光伏逆变器及储能PCS产品具有重要参考价值。在光伏与储能系统中，输出滤波器的参数（如电容ESR）会随运行时间及环境温度发生老化，影响控制环路的稳定性。通过引入该在线辨识技术，阳光电源可在iSolarCloud平台或本地控制器中实现对关键功率器件及滤波电路的健康状态监测（SO...

Emre Gurpinar · Shajjad Chowdhury · Burak Ozpineci · Wei Fan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

宽禁带（WBG）半导体器件（如SiC MOSFET）凭借优异的材料特性，能在更小的面积内处理更高功率。然而，WBG转换器功率密度提升导致热管理挑战加剧。本文提出一种石墨嵌入式绝缘金属基板，旨在优化WBG功率模块的散热性能，以应对高功率密度下的热损耗问题。

解读: 该技术对阳光电源的SiC应用至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高功率密度演进，SiC MOSFET的热管理成为提升效率与可靠性的核心。石墨嵌入式基板能显著降低热阻，有助于减小逆变器和PCS的体积，提升散热极限。建议研发部门关注该基板在高温高压环境下的长期可靠性，并评...

Wenjia Si · Jingyang Fang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月

本文深入分析了构网型变流器在大型扰动下的暂态稳定性问题。针对构网型变流器在弱电网或故障期间易失稳的挑战，提出了一种通过电压幅值调节和无功功率注入的控制策略，旨在增强系统在电网扰动下的同步能力与运行稳定性。

解读: 构网型（GFM）技术是阳光电源在大型储能系统（如PowerTitan系列）及地面光伏电站中的核心竞争力。随着高比例可再生能源接入，电网强度减弱，GFM技术对于维持系统电压和频率稳定至关重要。本文提出的电压幅值调节与无功注入策略，可直接优化阳光电源PCS产品的控制算法，提升其在故障穿越期间的暂态稳定性...

Joseph Fabre · Philippe Ladoux · Michel Piton · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年8月

硅基IGBT在轨道交通变流器中应用广泛。碳化硅（SiC）技术正推动开关器件向更高阻断电压、更高工作温度及更高开关速度发展。本文探讨了首批商用SiC MOSFET模块的特性，分析了其在提升变流器效率与功率密度方面的潜力及面临的挑战。

解读: SiC技术的应用是阳光电源提升产品竞争力的关键。该文章探讨的SiC MOSFET模块特性对公司组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器（PCS）的功率密度提升具有重要参考价值。随着SiC器件向高压、高温方向演进，建议研发团队重点关注其在高频开关下的电磁兼容性及热管理优化。在未来的高压储能...

Jingyang Fang · Zhongxi Li · Stefan M. Goetz · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月

本文探讨了基于半桥子模块的多电平变换器。相比传统的级联H桥变换器，该拓扑通过减少开关器件数量，降低了系统复杂性、成本及导通损耗。文章重点研究了在无需电压传感器的情况下实现子模块电容电压平衡的控制策略，提升了系统的可靠性与经济性。

解读: 该研究提出的无传感器电压平衡多电平拓扑，对阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。通过减少开关器件数量和传感器依赖，可显著降低大功率变换器的硬件成本并提升功率密度。建议研发团队评估该拓扑在兆瓦级PCS中的应用潜力，利用无传感器控制技术简化控制电路，进一...

Si Phu Me · Sasan Zabihi · Frede Blaabjerg · Behrooz Bahrani · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

本文探讨了并网电压源逆变器（VSI）在故障后出现的有功功率和电压振荡问题。这些振荡主要源于控制器参数整定不佳及过流保护限制，在弱电网条件下尤为显著。文章提出了一种自适应虚拟电阻方法，旨在抑制振荡并改善故障后的系统恢复性能。

解读: 该技术对阳光电源的构网型（GFM）产品线具有极高价值。随着PowerTitan系列储能系统及大型地面光伏电站越来越多地接入弱电网，故障后的功率振荡已成为影响电网稳定性的关键挑战。本文提出的自适应虚拟电阻策略，可直接优化阳光电源GFM逆变器的控制算法，提升系统在弱电网下的阻尼特性和故障穿越能力。建议研...

作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月

由并联的硅（Si）绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和碳化硅（SiC）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）组成的混合开关（HyS），近年来因其高效率和低成本而受到越来越多的关注。然而，由于器件特性的独特表现和差异，HyS 在运行过程中产生的串扰会显著降低系统可靠性。为解决串扰问题，本文分析了 HyS 中的串扰效应，并建立了 HyS 的串扰模型。设计了一种栅极驱动电路来抑制 HyS 中的串扰，并详细阐述了其工作原理。该驱动电路简化了硬件设计，同时有效解决了 HyS 中的串扰问题。L...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项Si/SiC混合开关的有源串扰抑制技术具有重要的战略价值。当前光伏逆变器和储能变流器正面临效率提升与成本控制的双重压力，纯SiC方案虽然性能优异但成本居高不下，而Si IGBT与SiC MOSFET并联的混合开关方案恰好提供了一条兼顾性能与经济性的技术路径。 该论文针...

Ningning Wang · Rais Miftakhutdinov · Santosh Kulkarni · Cian OMathuna · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年10月

本文详细介绍了用于隔离偏置电源的硅集成微变压器的设计、制造与表征。采用先进的双层金属（DLM）微加工工艺设计了跑道型微变压器。该器件在20 MHz频率下实现了超过80 nH/mm²的高电感密度，效率约为78.2%，输出功率为0.5 W。

解读: 该技术涉及高频集成磁性元件，主要应用于辅助电源（Bias Supply）的微型化设计。对于阳光电源而言，该技术在提升户用光伏逆变器及小型化储能PCS（如PowerStack系列）的功率密度方面具有潜在应用价值。通过集成化微变压器，可有效减小辅助电源模块体积，提升系统整体集成度。建议研发团队关注其在高...

Di Han · Bulent Sarlioglu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年1月

氮化镓（GaN）功率器件凭借低损耗和高开关速度优于传统硅器件。然而，在高频运行下，若死区时间设置不当，会产生显著的死区损耗。本文提出了一种针对GaN HEMT变换器的死区效应分析模型，旨在通过优化死区时间提升变换器效率。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型储能PCS中对高功率密度和高频化需求的提升，GaN器件的应用成为技术演进的重要方向。本文提出的死区优化模型对于提升高频DC-DC变换级的效率至关重要，有助于降低散热设计难度，减小磁性元件体积。建议研发团队在开发下一代高频紧凑型户用储能系统及微型逆变器时，引入该分析模...

Tung Ngoc Nguyen · Handy Fortin Blanchette · Ruxi Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年8月

功率变换器中，高频噪声通过隔离屏障的寄生电容耦合至低压控制板，影响信号完整性。随着SiC和GaN等宽禁带半导体技术的应用，开关频率高达100MHz，使得噪声传播路径分析变得复杂。本文提出了一种基于测量的无源器件通用阻抗表示方法，旨在准确建模高频噪声路径，提升电力电子系统的电磁兼容性与控制稳定性。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要意义。随着公司全面转向SiC功率器件以提升功率密度和效率，高频开关带来的EMI（电磁干扰）和信号完整性挑战日益严峻。该阻抗建模方法可应用于公司研发阶段的PCB布局优化与滤波器设计，有效抑制高频噪声对控制板...

Chun Gan · Fanyu Meng · Zhiyue Yu · Ronghai Qu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月

本文提出了一种针对具有参数不确定性的开关磁阻电机（SRM）的无传感器位置估计在线校准策略。传统方法常忽略功率器件压降及绕组电阻随电流和温度的变化，从而影响位置估计精度。本文通过对电感参数的在线校准，有效提升了SRM驱动系统的控制精度与鲁棒性。

解读: 该文章聚焦于电机驱动控制算法的优化，特别是针对参数不确定性的在线校准。虽然阳光电源目前的核心业务集中在光伏逆变器、储能系统及风电变流器领域，主要涉及电力电子变换技术，而非开关磁阻电机（SRM）驱动，但其提出的“在线参数校准”与“无传感器控制”思路对阳光电源的iSolarCloud智能运维平台及储能P...

Youssef Hamdaoui · Sondre Michler · Adrien Bidaud · Katir Ziouche 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年11月

我们报道了击穿电压（BV）超过 1200 V 的全垂直氮化镓（GaN）-硅（Si）p-i-n 二极管。温度依赖性测量表明其具有雪崩击穿能力，这反映了高质量的加工工艺和外延生长。所制备的垂直 p-i-n 二极管的导通态特性显示，阳极直径较小时导通电阻为 0.48 mΩ·cm²，阳极直径较大（即 1 mm）时导通电阻为 1.7 mΩ·cm²。导通电阻的增加归因于散热问题。尽管如此，由于采用了优化工艺，包括作为边缘终端的深台面刻蚀以及通过聚酰亚胺钝化实现的背面厚铜层散热片（增强了薄膜的机械鲁棒性），大...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项1200V全垂直GaN-on-Si p-i-n二极管技术具有重要的战略价值。该技术实现了超过1200V的软击穿电压和10A以上的大电流承载能力，这些参数恰好契合我们光伏逆变器和储能变流器的核心应用场景。 在技术价值方面，该器件展现的0.48-1.7 mΩ·cm²导通电...

Thanh-That Nguyen · Ashraf Ahmed · T. V. Thang · Joung-Hu Park · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月

由于材料特性，SiC MOSFET的栅极氧化层更薄且电场强度更高，导致其在异常工况下的可靠性较Si MOSFET更差，易产生更高的漏电流。本文研究了SiC MOSFET栅极氧化层在标准短路运行条件下的可靠性问题。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率，该研究至关重要。SiC MOSFET在短路工况下的栅极可靠性直接影响产品的长期运行寿命与故障保护策略。建议研发团队在驱动电路设计中优化短路保护响应时间，并在功率模块封装设计中引入更严苛...