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功率密度对恒定厚度溅射ZnO:Ga薄膜的影响
Power density effect on sputtered ZnO:Ga thin films of constant thickness
Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps · institutional affiliations. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年9月 · Vol.36.0
本文采用射频磁控溅射法在室温下将ZnO:Ga（GZO）薄膜沉积在玻璃基底上，研究了GZO薄膜性能随射频功率密度的变化关系。当射频功率密度从0.45增至2.4 W/cm²时，GZO薄膜的结晶性、电阻率和透光率分别从824 cps/deg.恶化至149 cps/deg.，从1.85 × 10⁻³ Ω·cm恶化至20.8 × 10⁻³ Ω·cm，以及从87.8%下降至85.7%。然而，镓含量、氧空位浓度和表面化学键合等化学键合特性并未表现出一致的变化趋势。该结果被认为是由恒定薄膜厚度条件下溅射粒子表面...
解读: 该GZO薄膜溅射工艺研究对阳光电源储能系统PCS功率器件封装及光伏逆变器散热优化具有参考价值。研究揭示恒定厚度下溅射功率密度对薄膜电阻率和透光率的影响规律,可应用于ST系列PCS中SiC/GaN器件的透明导电层优化,通过控制溅射参数降低接触电阻。同时,表面碰撞抑制机制对PowerTitan储能系统的...
温度依赖的静电、线性度及模拟/射频性能研究
Temperature-dependent electrostatic, linearity, and analog/RF performance of GaN HEMT
Gain GBW: · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年9月 · Vol.36.0
温度对用于高功率应用的高频AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能和可靠性具有重大影响。尽管已有大量研究，但这些器件在宽温度范围内的多偏置行为仍缺乏充分理解。本研究通过从-40℃到150℃的温度范围内系统地分析直流特性、静电特性、非线性特性以及模拟/射频参数，填补了这一空白。通过对导通态与截止态电流、亚阈值特性、跨导（gm）及其导数，并结合三阶互调失真（IMD3）、1 dB压缩点（1-dB CP）和总谐波失真（THD）等参数进行评估，同时考察增益（Av）和栅极-漏极电容（Cgd）等...
解读: 该GaN HEMT温度特性研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的-40至150℃宽温范围内跨导、非线性失真(IMD3/THD)及射频性能退化规律,可直接指导ST系列PCS和SG逆变器中GaN器件的热管理设计与多工况优化。特别是温升导致的开态电流下降、关态漏电增加特性,为三电平拓扑的开关损...
通过层状C/Fe掺杂GaN缓冲层提升GaN HEMT的击穿电压和射频功率特性
Improved Breakdown Voltage and RF Power Characteristics of GaN HEMTs by Layered C/Fe-Doped GaN Buffer
Qian Yu · Meng Zhang · Ling Yang · Zou Xu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月
本文提出了一种创新的层状氮化镓（GaN）缓冲层结构。该结构上层为低浓度碳（C）掺杂层，下层为铝镓氮/氮化镓（AlGaN/GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）中常用的铁（Fe）掺杂氮化镓缓冲层。在抑制铁掺杂拖尾效应的同时，氮化镓高电子迁移率晶体管的击穿电压从128 V提高到了174 V。由于铁掺杂拖尾效应得到抑制，晶体管的迁移率和跨导（ $\text {g}_{m}\text {)}$ ）也得到显著改善。 ${5}\times {10}^{{16}}$ /cm³的碳掺杂浓度不会明显加剧氮化镓高电...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于分层C/Fe掺杂GaN缓冲层的HEMT技术突破具有重要的战略价值。该技术通过创新的双层掺杂结构，将器件击穿电压从128V提升至174V，同时显著改善了跨导和载流子迁移率，这对我们在高功率密度逆变器和储能变流器领域的产品升级具有直接意义。 在光伏逆变器应用中，更高的...
具有射频能量收集的可重构智能表面辅助智能电网广域网性能分析
Performance Analysis of RIS-Assisted Smart Grid Wide Area Network With RF Energy Harvesting
Kandi Veera Venkata Ramana · Hemanta Kumar Sahu · IEEE Access · 2025年1月
本文全面分析可重构智能表面辅助智能电网通信网络与射频能量收集的性能。考虑广域网中家用电器在活动和休眠状态间动态切换，采用马尔科夫链耦合Saleh-Valenzuela信道建模。详细评估关键系统参数包括活动电器数量、流量强度、功率分配比、RIS反射器和距离。研究表明所提系统显著增强通信性能，相比无RIS或RF能量收集的传统智能电网广域网，平均误比特率改善达7dB信噪比提升。推导RIS双跳和RIS作为发射机的闭式平均误比特率表达式，蒙特卡罗仿真验证分析结果。研究凸显RIS和能量收集技术改善未来智能电...
解读: 该RIS通信技术对阳光电源智能电网解决方案具有前瞻价值。阳光工商业光伏和储能系统需要可靠的通信链路连接云平台和本地设备，该智能表面技术可优化电站无线通信覆盖和质量。结合阳光iSolarCloud平台的边缘计算能力，可降低通信功耗，提升海量设备接入能力，支持电站智能运维和虚拟电厂应用，降低通信成本。...
基于SiC/派瑞林衬底的异质集成柔性GaN射频功率放大器
Heterogeneously Integrated Flexible GaN RF Power Amplifier on SiC/Parylene Substrate
Wenhao Zheng · Qingzhi Wu · Zhen Zhao · Ziyu Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月
柔性射频（RF）系统的发展增加了对高功率柔性氮化镓（GaN）放大器的需求。在本文中，提出了一种利用碳化硅（SiC）/聚对二甲苯异质集成衬底的异质集成工艺，用于制造柔性射频GaN功率放大器（PA）。在该制造工艺中，首先在厚度为 $100~\mu $ m的SiC衬底上设计GaN PA，然后在将其粘贴到临时载体上后，将其减薄至约 $\sim 5~\mu $ m。随后，通过化学气相沉积（CVD）将一层厚度为 $25~\mu $ m的聚对二甲苯层直接沉积到SiC衬底上，形成SiC/聚对二甲苯衬底。与纯聚对...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项柔性GaN射频功率放大器技术虽然聚焦于通信领域，但其底层的异质集成工艺和材料创新对我司在功率电子领域的技术演进具有重要参考价值。 该技术采用SiC/Parylene异质集成基板方案，通过将SiC衬底减薄至5微米并与柔性Parylene层结合，在保持柔性的同时显著改善了...
基于6英寸Si衬底的高RF性能AlGaN/GaN HEMT用于低压应用
High RF Performance AlGaN/GaN HEMTs on 6-in Si Substrate for Low Voltage Applications
Yuxi Zhou · Jiejie Zhu · Bowen Zhang · Qiyu Wang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年4月
本文展示了用于低压应用的、基于6英寸硅衬底且具有出色射频性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。采用金属有机化学气相沉积法再生长n⁺ - InGaN欧姆接触，整片晶圆上的欧姆接触电阻平均值达到<0.08 Ω·mm。该器件栅长为220 nm，源漏间距为2.2 μm，饱和电流高达1689 mA/mm，峰值跨导为436 mS/mm。将晶圆减薄至100 μm后，对栅宽（Wg）为2×100 μm的HEMT在3.6 GHz下进行负载牵引测量，结果表明，在5 - 15 V的低漏极电压（Vd）下...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文展示的基于6英寸硅基底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）技术具有重要的战略参考价值，但其应用方向与我司核心产品存在显著差异。 该技术的核心优势在于低电压（5-15V）下的射频性能优化，在3.6GHz频段实现了业界领先的功率密度（最高4.35W/mm）...
通过双栅结构提升AlGaN/GaN HEMT的线性度以用于射频放大器应用
Enhanced linearity of AlGaN/GaN HEMTs via dual-gate configuration for RF amplifier applications
Haowen Guo · Wenbo Ye · Junmin Zhou · Yitian Gu 等6人 · Solid-State Electronics · 2025年8月 · Vol.227
摘要 本研究探讨了GaN双栅高电子迁移率晶体管（HEMT）在射频线性度方面的性能，重点分析其双音互调特性。采用双栅结构旨在通过降低反馈电容来改善线性度性能，反馈电容降至41.8 fF/mm，与传统的单栅HEMT相比降低了73%。该双栅器件在2.1 GHz频率下实现了23.5 dB的小信号增益，且该增益不随直流栅极偏置电压V_B的变化而改变。通过提高V_B可有效抑制互调失真，在漏极电压为20 V、V_B为3 V时，器件的输出三阶交调截点（OIP3）达到最高的30.1 dBm。此外，在V_DS为5 ...
解读: 该双栅极GaN HEMT技术通过降低73%反馈电容实现OIP3达30.1dBm的高线性度,对阳光电源功率器件应用具有重要价值。可应用于SG系列逆变器的GaN功率模块设计,降低谐波失真提升并网电能质量;适用于充电桩高频开关电源,减少EMI干扰;在ST储能变流器三电平拓扑中,双栅极结构可优化GaN器件开...
锂掺杂间苯二酚-甲醛干凝胶用于高功率密度水系对称超级电容器
Lithium-doped resorcinol–formaldehyde xerogels for high-power-density aqueous symmetric supercapacitors
Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps · institutional affiliations. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年9月 · Vol.36.0
干凝胶因其三维可调的多孔结构、大的比表面积和优异的电学性能，在超级电容器等储能器件中具有广阔的应用前景。本研究成功制备了锂掺杂的RF干凝胶，并通过X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）以及比表面积（BET）分析对其结构和组成进行了表征，证实了材料的成功合成。循环伏安法（CV）测试结果表明，10%锂掺杂RF干凝胶在电流密度为0.1 Ag⁻¹时的恒电流充放电比电容（C GCD）达到最大值62.4 Fg⁻¹。...
解读: 该锂掺杂气凝胶超级电容器技术对阳光电源储能系统具有重要参考价值。其高功率密度(573.3 Wkg⁻¹)和能量密度(34.6 Whkg⁻¹)特性可应用于ST系列PCS的直流侧功率缓冲模块,改善PowerTitan储能系统的瞬态响应性能。该材料的三维多孔结构和大比表面积特性可为充电桩产品的超级电容辅助启...
基于PCA和堆叠自编码器的混合机器学习框架用于智能电网数据注入攻击检测
Hybrid ML Framework for Data Injection Attack Detection Using PCA and Stacked Autoencoders
Shahid Tufail · Hasan Iqbal · Mohd Tariq · Arif I. Sarwat · IEEE Access · 2025年2月
随着智能电网日益互联，网络攻击特别是数据注入攻击变得更加普遍。此外，模型训练需要准确无偏的高质量数据。我们从现实世界收集的大多数数据稀疏、不完整、不一致和倾斜。为解决这些问题，本研究提出检测此类攻击的框架。使用堆叠自编码器架构生成少数类数据的合成实例。生成的类别解决数据不平衡以增强模型泛化能力并应对多样化攻击场景。评估各种机器学习算法，随机森林RF模型始终达到卓越准确率，范围从99.32%到95.89%。特别是，逻辑回归LR等传统算法对降维表现出敏感性，当主成分从全部降至10时经历16.96%准...
解读: 该数据注入攻击检测技术对阳光电源智能电网安全至关重要。阳光iSolarCloud平台和ST储能系统接入电网SCADA系统，面临虚假数据注入攻击威胁。该研究的堆叠自编码器和随机森林混合方法可集成到阳光网络安全防护体系，检测异常数据和攻击行为。在电网侧储能场景下，数据注入攻击可能导致储能系统误动作，影响...
多电平射频脉宽调制开关模式功率放大器在可见光通信中的应用
Multilevel RF-PWM Switching-Mode Power Amplifier for Visible Light Communication
Juan R. García-Meré · Juan Rodríguez · Diego G. Lamar · Javier Sebastián · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年2月
可见光通信（VLC）利用商用高亮度发光二极管（HB - LED）发出的光来传输信息。为了根据待传输的通信信号改变光强度，通常会使用线性功率放大器（LPA）。然而，其较低的功率效率对集成到VLC驱动器中构成了重大挑战，尤其是在高功率水平下。为了提高当前VLC驱动器的效率，本文提出了一种基于调谐式三电平飞跨电容（FC）拓扑结构的新型开关模式功率放大器（SMPA）。所提出的基于FC的SMPA通过多级射频脉冲宽度调制（RF - PWM）技术进行控制，与其他传统SMPA相比，能够再现带宽更宽的通带调制方案...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇关于可见光通信（VLC）开关模式功率放大器的研究具有多维度的技术启发意义。论文提出的三电平飞跨电容拓扑结构及多电平RF-PWM调制技术，在功率转换效率方面达到98.3%的峰值，这与我们在光伏逆变器和储能变流器领域追求的高效率目标高度契合。 从技术迁移角度分析，该研究的...
多导电沟道MISHEMT器件对其模拟特性的影响
Influence of multiple MISHEMT conduction channels on its analog behavior
Bruno G.Canales · Bruno C.S.Sanches · Joao Antonio Martino · Eddy Simoen 等7人 · Solid-State Electronics · 2025年8月 · Vol.227
摘要 本文研究了MISHEMT器件（金属/氮化硅/AlGaN/AlN/GaN—金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管）的多个导电沟道对其基本直流（DC）和射频（RF）性能参数的影响。尽管大多数研究者将二维电子气（2DEG）沟道视为MISHEMT的主要导电通道，但本文表明，在某些器件中，其MOS沟道对不同射频参数的贡献至关重要。这一独特特性使得MISHEMT的射频参数同时依赖于栅源电压V<sub>GS</sub>和漏源电压V<sub>DS</sub>。2DEG沟道的最大可用增益（MAG）为15 d...
解读: 该MISHEMT双通道GaN器件研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。其MOS通道与2DEG通道协同工作可在宽VGS和VDS范围内保持高fT/fmax,MAG增益提升23dB,特别适用于SG系列逆变器和充电桩的高频开关应用。双通道特性可优化阳光三电平拓扑中GaN器件的动态性能,在宽负载范围保持高效...
半开启状态下射频MIS-HEMT和肖特基HEMT阈值电压偏压温度不稳定性研究
Threshold Voltage Bias Temperature Instability of RF MIS-HEMTs and Schottky HEMTs Under Semi-On State Stress
作者未知 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月
本研究全面探究了半导通状态条件下AlGaN/GaN金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管（MIS - HEMT）的阈值电压（ ${V}_{\text {th}}\text {)}$ 不稳定性。研究了不同温度和漏极偏置的影响。在半导通偏置条件下，对于采用10纳米原位SiN栅极电介质的MIS - HEMT，观察到高达 - 1.0 V的显著负 ${V}_{\text {th}}$ 漂移，而肖特基HEMT的 ${V}_{\text {th}}$ 漂移可忽略不计。通过对源极接地和浮空的MIS - ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于AlGaN/GaN MIS-HEMT器件阈值电压稳定性的研究具有重要的技术参考价值。GaN功率器件是我们光伏逆变器和储能变流器中的核心开关元件，其可靠性直接影响系统的长期稳定运行和转换效率。 该研究揭示的半导通状态下阈值电压漂移问题值得高度关注。在实际应用中，我们...
一种紧凑型高可靠性氮化镓HEMT使能的可切换带通滤波器
A Compact and Robust GaN HEMT-Enabled Switchable Bandpass Filter for Integrated RF Systems
作者未知 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年6月
本文提出了一种高度小型化的基于氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的X波段可切换带通滤波器。该滤波器采用碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）单片微波集成电路（MMIC）技术，在保持高性能和高集成能力的同时实现了小型化。提出了一种采用耦合线结构的带通滤波器拓扑，以实现低插入损耗（IL）和高功率处理能力。基于HEMT的开关单元可通过直流（DC）偏置调整来调节传输零点（TZ），并实现导通和关断状态之间的切换。所提出的可切换滤波器已完成制作和测试，其芯片尺寸小（0.6毫米×0.855毫米），3...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于GaN HEMT的可开关带通滤波器技术虽然主要面向射频通信领域，但其核心技术路径与我们在功率电子领域的发展方向存在显著的技术协同性。 首先，该技术采用的GaN-on-SiC MMIC工艺与阳光电源在高功率密度逆变器中推进的GaN功率器件应用具有材料体系的相通性。G...
基于相位切换阻抗调制的可调匹配网络
Tunable Matching Networks Based on Phase-Switched Impedance Modulation
Alexander S. Jurkov · Aaron Radomski · David J. Perreault · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
本文提出了一种新型可调匹配网络（TMN），利用相位切换阻抗调制技术，实现了比传统技术更快、更精确的阻抗匹配，适用于多种射频功率应用场景。
解读: 该技术主要针对射频（RF）功率应用，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能变流器（PCS）及充电桩业务核心技术栈（电力电子变换）存在一定差异。虽然其提出的快速阻抗匹配与动态控制思想在电力电子拓扑优化中具有参考价值，但目前该技术在光伏或储能系统中的直接应用场景有限。建议关注其在功率器件驱动控制或高频电力电子...
一种用于弱耦合无线电能传输的增益提升阵列技术
A Gain Boosting Array Technique for Weakly-Coupled Wireless Power Transfer
Bo Zhao · Nai-Chung Kuo · Ali M. Niknejad · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年9月
本文针对物联网及植入式医疗设备的小型化需求，提出了一种用于弱耦合近场感应式无线电能传输的增益提升阵列技术。该技术旨在解决传统无线充电方案在小型化应用中效率低下的问题，通过阵列化设计优化能量传输链路，提升系统整体传输效率与性能。
解读: 该技术主要针对微小功率、近场无线传输场景，与阳光电源目前核心的兆瓦级光伏逆变器、大型储能系统（PowerTitan/PowerStack）及风电变流器业务关联度较低。虽然无线电能传输在未来电动汽车无线充电或特定工业传感器供电领域具有潜在应用空间，但目前该技术处于实验室研究阶段，且功率等级与阳光电源现...
具有高梯度阶梯式碳掺杂缓冲层的GaN-on-GaN HEMT实现15.1 W/mm功率密度
15.1 W/mm Power Density GaN-on-GaN HEMT With High-Gradient Stepped-C Doped Buffer
作者未知 · IEEE Electron Device Letters · 2024年12月
在本研究中，我们首次提出了一种用于氮化镓（GaN）基氮化镓结构的高梯度（HG）阶梯式碳（阶梯式 - C）掺杂缓冲层设计，以提升器件的射频性能。该设计不仅避免了铁拖尾效应对二维电子气（2DEG）的影响，还能有效减轻再生长界面处硅杂质导致的界面传导损耗。最重要的是，HG 阶梯式 - C 缓冲层设计显著缓解了与高浓度碳相关的俘获效应。采用 HG 阶梯式 - C 缓冲层的 GaN 基氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）实现了 249 V 的击穿电压，319 mS/mm 的峰值跨导（ ${g}_{\tex...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GaN-on-GaN HEMT技术展现出显著的战略价值。该技术通过创新的高梯度阶梯式碳掺杂缓冲层设计，实现了15.1 W/mm的业界领先功率密度和57.2%的功率附加效率，这些性能指标直接契合我们在光伏逆变器和储能变流器领域对高功率密度、高效率功率器件的核心需求。 对...
一种用于多种异构能量采集源的纳安级电源管理集成电路
A Nanocurrent Power Management IC for Multiple Heterogeneous Energy Harvesting Sources
Michele Dini · Aldo Romani · Matteo Filippi · Valeria Bottarel 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年10月
本文提出了一种全自主电源转换器集成电路，用于从压电、光伏、热电和射频等多种异构能源中进行能量采集。该转换器能为每个能源独立执行自适应输入功率跟踪过程，单源运行时的峰值功率转换效率达到89.6%。
解读: 该文献探讨的纳安级电源管理IC主要针对微功耗能量采集场景，与阳光电源目前主流的兆瓦级光伏逆变器、PowerTitan储能系统及大功率充电桩产品线在功率等级和应用场景上存在较大差异。然而，该技术中涉及的“多源独立自适应功率跟踪”理念，对于阳光电源iSolarCloud平台下的分布式传感器网络、智能运维...
用于聚变等离子体加热的电抗导向网络射频功率合成
Radio Frequency Power Combining With Reactance Steering Network for Fusion Plasma Heating
Tanuj Sen · Mian Liao · Youssef Elasser · Minjie Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种用于聚变反应堆感应耦合等离子体（ICP）加热线圈的射频功率合成系统。该系统利用电抗导向网络实现幅度调制，以应对等离子体密度、压力和温度变化导致的负载阻抗波动，从而实现高效的射频功率传输。
解读: 该文章探讨的射频功率合成与动态阻抗匹配技术，主要应用于高频等离子体加热领域，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩产品线在应用场景上有显著差异。然而，其核心涉及的“电抗导向网络”及“动态阻抗匹配”技术，在未来高频功率变换器设计或特定工业电源领域具有一定的参考价值。建议研发团队关注该技术在宽禁...
一种功率器件结至环境热阻的原位实验提取技术
A Technique for the In-Situ Experimental Extraction of the Thermal Impedance of Power Devices
Ciro Scognamillo · Sebastien Fregonese · Thomas Zimmer · Vincenzo daAlessandro 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
本文提出了一种创新的实验技术，可在功率器件的应用环境（原位）中提取其结至环境的热阻（ZTH）。该方法借鉴了射频晶体管的热表征思路，仅需简单的电信号测量，无需热卡盘等复杂设备，即可实现对功率器件热特性的精准评估。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）具有极高的应用价值。功率模块的热管理是影响系统可靠性与功率密度的关键，传统热阻测试依赖实验室环境，而该原位测试技术能有效评估产品在实际运行工况下的热性能。建议研发团队将其引入iSolarCloud智能运维平台或生产测试环节，通过监测实...
推挽式Class Φ2射频功率放大器
Push–Pull Class Φ2 RF Power Amplifier
Lei Gu · Grayson Zulauf · Zhemin Zhang · Sombuddha Chakraborty 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
Class Φ2/EF2放大器因其高效率、低电压应力、驱动简单及负载无关的零电压开关（ZVS）特性，在高压高频功率转换领域极具吸引力。由于其调谐自由度高，以往研究多依赖数值方法求解单端电路，本文提出了一种推挽式拓扑分析方法。
解读: 该文献探讨的高频射频功率放大技术主要应用于射频通信领域，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩等电力电子产品在应用场景上有较大差异。然而，其核心技术点——高频高效转换及ZVS软开关技术，对于阳光电源研发下一代超高功率密度、高频化的功率模块具有参考价值。建议研发团队关注其在宽禁带半导体（如Ga...
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