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拓扑与电路 宽禁带半导体 功率模块 ★ 2.0

推挽式Class Φ2射频功率放大器

Push–Pull Class Φ2 RF Power Amplifier

作者 Lei Gu · Grayson Zulauf · Zhemin Zhang · Sombuddha Chakraborty · Juan Rivas-Davila
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2020年10月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 宽禁带半导体 功率模块
相关度评分 ★★ 2.0 / 5.0
关键词 Class Φ2放大器 射频功率放大器 零电压开关(ZVS) 功率转换 高频 推挽拓扑
语言:

中文摘要

Class Φ2/EF2放大器因其高效率、低电压应力、驱动简单及负载无关的零电压开关(ZVS)特性,在高压高频功率转换领域极具吸引力。由于其调谐自由度高,以往研究多依赖数值方法求解单端电路,本文提出了一种推挽式拓扑分析方法。

English Abstract

The Class $\Phi _\text{2}$/EF$_{\text{2}}$ amplifier is an attractive topology for high-voltage and high-frequency power conversion because of the high efficiency, reduced device voltage stress, simplicity of gate driving, and load-independent ZVS operation. Due to many degrees of freedom for tuning, previous studies can only solve the single-ended $\Phi _\text{2}$ circuit using numerical methods....
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SunView 深度解读

该文献探讨的高频射频功率放大技术主要应用于射频通信领域,与阳光电源现有的光伏逆变器、储能PCS及充电桩等电力电子产品在应用场景上有较大差异。然而,其核心技术点——高频高效转换及ZVS软开关技术,对于阳光电源研发下一代超高功率密度、高频化的功率模块具有参考价值。建议研发团队关注其在宽禁带半导体(如GaN/SiC)应用下的高频驱动与拓扑优化思路,以进一步提升逆变器及充电桩的功率密度,但目前该技术对现有产品线的直接落地应用有限。