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| 作者 | Wucheng Ying · Hui Zhao · Ameer Janabi · Jinwei Qi · Di Mou · C. Q. Jiang · Hui Li · Biao Zhao · Teng Long |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年1月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DC-DC变换器 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 零电压开关 ZVS 边界 功率密度 开通损耗 变换器效率 开关损耗 导通损耗 |
语言:
中文摘要
本文针对高效率、高功率密度变换器中导通损耗占主导的问题，探讨了零电压开关（ZVS）技术。指出不准确的ZVS边界判定会导致设计偏差，造成开关损耗增加或导通/关断损耗过大，从而影响变换器的整体性能。
English Abstract
Aiming for high-efficiency and high power-density converters—where turn-on loss normally dominates overall losses—zero-voltage-switching (ZVS) techniques are the most popular approach to eliminate turn-on loss. Notably, inaccurate ZVS boundaries can misguide design, causing under- and/or over-engineering of the load current, resulting in a loss of ZVS and/or excessive conduction and turn-off losse...
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SunView 深度解读
该研究对提升阳光电源光伏逆变器及储能PCS的功率密度至关重要。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统中，精确的ZVS边界控制能有效降低开关损耗，提升整机效率。特别是在应用SiC/GaN等宽禁带半导体时，该理论有助于优化软开关控制策略，减少散热设计冗余，从而实现更紧凑的系统集成。建议研发团队将其应用于高频DC-DC变换级设计，以进一步优化产品在轻载和重载下的综合能效表现。