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LLC谐振变换器中MOSFET功率损耗估计:时间间隔分析

MOSFET Power Loss Estimation in LLC Resonant Converters: Time Interval Analysis

作者 Ettore Scabeni Glitz · Martin Ordonez
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2019年12月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 LLC谐振 DC-DC变换器 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 LLC 谐振变换器 MOSFET 功率损耗估计 DC-DC 功率变换 软开关 时间间隔分析 电力电子
语言:

中文摘要

过去十年,LLC谐振变换器已成为直流变换的主流拓扑。尽管已有多种设计工具,但针对逆变侧MOSFET功率损耗的精确计算方法仍有待优化。本文提出了一种基于时间间隔分析的损耗估计技术,旨在提升LLC变换器在不同工况下的效率评估精度。

English Abstract

In the past ten years, LLC resonant converters have become a mainstream topology for dc/dc power conversion, and multiple design tools have been developed for this topology, including controllers, regulators, soft-switching techniques, etc. While many tools are available for designing this converter, techniques for accurately determining power losses in the inverter MOSFETs of the topology based o...
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SunView 深度解读

LLC拓扑是阳光电源户用光伏逆变器及储能系统(如PowerStack、ST系列PCS)中DC-DC变换级的核心技术。精确的MOSFET损耗模型对于提升整机效率、优化散热设计及降低成本至关重要。该研究提出的时间间隔分析法,可直接应用于阳光电源研发流程中,特别是在引入SiC/GaN等宽禁带半导体器件时,能更精准地评估开关损耗与导通损耗,从而优化iSolarCloud平台下的能效管理策略,并提升产品在极端工况下的可靠性。