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| 作者 | Cristina Martos-Contreras · Alfredo Medina-Garcia · Jorge Perez-Martinez · Noel Rodriguez · Diego P. Morales-Santos |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年3月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DC-DC变换器 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | ZVS 非对称半桥 开关频率 功率变换器 宽禁带半导体 开关损耗 效率 |
语言:
中文摘要
随着电力电子变换器向高频化、小型化发展，开关损耗成为限制效率提升的关键瓶颈。本文深入分析了非对称半桥结构中实现零电压开关（ZVS）的条件，旨在通过优化开关策略与拓扑设计，在宽禁带半导体应用中最大限度地降低损耗，提升变换器整体效率与热管理性能。
English Abstract
As the demand for more efficient and compact power converters grows, the trend points to a progressive raise of their switching frequency. However, even with wide-bandgap semiconductors, switching losses limit the maximum frequency at which they can operate, requiring zero-voltage switching (ZVS) to maximize efficiency and to prevent overheating. Existing studies state that the conditions to achie...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。非对称半桥拓扑广泛应用于阳光电源的组串式光伏逆变器DC-DC级以及户用储能系统的双向DC-DC变换器中。通过深入理解ZVS实现机制，研发团队可进一步提升高频化设计能力，减小磁性元件体积，从而优化户用逆变器及PowerStack储能系统的功率密度。建议在下一代基于SiC/GaN器件的功率模块设计中，引入该分析方法以优化软开关区间，有效降低损耗并提升整机效率，助力产品在紧凑型设计与散热性能上保持行业领先。