← 返回
一种用于非隔离微型逆变器应用的高效率MOSFET无变压器逆变器
A High-Efficiency MOSFET Transformerless Inverter for Nonisolated Microinverter Applications
| 作者 | Baifeng Chen · Bin Gu · Lanhua Zhang · Zaka Ullah Zahid · Jih-Sheng Lai · Zhiling Liao · Ruixiang Hao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年7月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 光伏逆变器 单相逆变器 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | MOSFET 无变压器逆变器 光伏 微型逆变器 效率 电力电子 超结 MOSFET |
语言:
中文摘要
本文针对基于MOSFET的无变压器光伏逆变器，探讨了如何利用超结MOSFET提升效率。文章分析了现有拓扑在体二极管反向恢复风险及导通损耗方面的缺陷，并提出了一种新型高效率拓扑结构，旨在优化微型逆变器在低功率等级下的性能表现。
English Abstract
State-of-the-art low-power-level metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)-based transformerless photovoltaic (PV) inverters can achieve high efficiency by using latest super junction MOSFETs. However, these MOSFET-based inverter topologies suffer from one or more of these drawbacks: MOSFET failure risk from body diode reverse recovery, increased conduction losses due to more devi...
S
SunView 深度解读
该研究聚焦于微型逆变器的高效率拓扑优化，与阳光电源户用光伏产品线高度契合。随着户用市场对高功率密度和高转换效率的需求日益增长，该拓扑中关于抑制体二极管反向恢复及降低导通损耗的策略，可为阳光电源下一代户用组串式逆变器及微逆产品的研发提供技术参考。建议研发团队关注该拓扑在宽禁带半导体（如GaN/SiC）应用下的兼容性，以进一步提升产品在极端工况下的热管理能力和整体能效水平。