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电动汽车驱动 ★ 4.0

解析高压集成门极换流晶闸管的开启电压平台

Decipher Turn-On Voltage Plateau of High-Voltage Integrated Gate Commutated Thyristors

Jinpeng Wu · Jianhong Pan · Chunpin Ren · Jiapeng Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

高压集成门极换向晶闸管(IGCT,反向阻断型)是混合式电网换相换流器抵御换相失败的合适器件。在导通过程中,当电流上升率 $di/dt$ 高达千安每微秒时,会出现电压平台现象。为了解析这一现象的机理和潜在风险,本文聚焦于电压平台的微观过程及影响因素,发现注入空穴不足抑制了空间电荷区的放电过程,从而导致该现象的出现。此外,本文还阐明了其热稳定性和长期可靠性。本文在科学和技术层面均有助于高压 IGCT 器件的研发。

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于高压集成门极换流晶闸管(IGCT)开通电压平台现象的研究具有重要的技术参考价值。IGCT作为一种高压大功率半导体器件,在我们的大功率光伏逆变器、储能变流器以及柔性直流输电系统中具有潜在应用前景。 该研究揭示了IGCT在高di/dt(kA/μs级)开通过程中出现电压...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

基于解耦双通道结构的低反向导通损耗高正向阈值电压p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT

Decoupled Double-Channel p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT Featuring Low Reverse Conduction Loss and High Forward Threshold Voltage

Xiaotian Tang · Zhongchen Ji · Qimeng Jiang · Sen Huang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年12月

基于解耦双沟道结构,提出并成功制备了一种混合源 p - GaN 栅常关型 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)。该晶体管通过混合源结构对上下沟道进行解耦,缓解了 p - GaN 栅与双沟道结构之间的兼容性问题。得益于源极侧与下沟道的肖特基连接,同时实现了极低的反向导通电压( - 0.5 V)和较大的正向阈值电压( + 3.2 V)。

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于解耦双沟道结构的p-GaN栅极GaN HEMT技术具有重要的战略价值。该器件通过混合源极结构实现了-0.5V的极低反向导通电压和+3.2V的高正向阈值电压的同时优化,这一突破性设计直接契合我司光伏逆变器和储能变流器对功率器件性能的核心诉求。 在光伏逆变器应用中,该...

储能系统技术 储能系统 多物理场耦合 ★ 4.0

一种用于穿越金属器件的感应式无线电能传输系统磁场重构方案

A Magnetic Field Reconstruction Scheme for Inductive Power Transfer Systems to Cross Metal Appliances

Peng Gu · Shibo Wang · Peng Zhao · Xingzhen Guo 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年12月

感应式无线电能传输(IPT)技术有望通过级联绝缘子为高压电位点智能电网状态感知设备提供米级无线供电。然而,铝制法兰等金属器件会严重影响功率传输性能。本文提出一种IPT系统穿越金属器件的磁场重构方案,可显著抑制铝制法兰引起的耦合系数衰减与涡流损耗。基于电磁场理论分析该方案的作用机理,并优化关键参数以提升性能。建立电路与磁路模型,对MCS-IPT复合系统进行分析,搭建原型系统模拟含IPT的两级支柱绝缘子结构。对比分析不同工况下系统的多组分损耗,结果表明,在铝制法兰影响下引入所提MCS后,系统传输效率...

解读: 该磁场重构IPT技术对阳光电源智能电网监测设备供电方案具有重要应用价值。在高压输电线路绝缘子串的状态监测场景中,可为传感器节点提供跨金属法兰的无线供电,解决传统有线供电的绝缘难题。技术可应用于:1)iSolarCloud云平台的高压侧智能传感器供电系统,实现绝缘子温度、湿度、污秽度的在线监测;2)大...

电动汽车驱动 ★ 4.0

通过插入Al₂O₃中间层实现多态与超低功耗铁电隧道结

Multistates and Ultralow-Power Ferroelectric Tunnel Junction by Inserting Al₂O₃ Interlayer

Yefan Zhang · Shihao Yu · Peng Yang · Xiaopeng Luo 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月

在本文中,我们设计了一种优化的铁电隧道结(FTJ)器件结构,即在 Hf₀.₅Zr₀.₅O₂(HZO)薄膜之间插入 3 纳米的 Al₂O₃。Al₂O₃ 中间层可以阻止 HZO 晶粒的纵向生长,并增加铁电畴的数量。因此,带有 Al₂O₃ 中间层的 FTJ 器件展现出惊人的多级状态(256 级)和超低的计算功耗(76.1 皮瓦/比特)。此外,所提出的 FTJ 器件具有高线性度(<inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" ...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项铁电隧道结(FTJ)技术虽然当前主要面向类脑计算领域,但其核心特性与我们在新能源领域的技术需求存在潜在契合点。 该技术通过在HZO铁电薄膜中插入Al₂O₃中间层,实现了256级多态存储和76.1 pW/bit的超低功耗,这种极致的能效优化理念与阳光电源在光伏逆变器和储...

储能系统技术 储能系统 微电网 可靠性分析 ★ 4.0

一种面向微电网的两阶段自适应供需管理框架:考虑设备老化的资产规划与点对点负瓦特交易

A Two-Stage Adaptive Supply-Demand Management Framework for Microgrids: Aging-Aware Asset Planning and Peer-to-Peer Negawatt Trading

Chenxi Zhang · Jing Qiu · Yi Yang · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年12月

本文提出一种新颖的两阶段自适应微电网供需管理框架,兼顾设备老化特性与动态供需交互,提升系统运行效率与经济性。第一阶段引入老化感知的资产规划方法,优化分布式能源选址定容,并量化其性能衰退及运维成本增长,避免传统规划中成本低估与容量过剩问题;第二阶段采用点对点负瓦特交易机制,激励用户调节可控负荷,降低购电成本并增强供需响应能力。基于改进IEEE 33节点系统的仿真验证了该框架在成本效益与运行可靠性方面的显著优势,为未来微电网中老化感知资源集成与用户参与电力市场提供了有效路径。

解读: 该两阶段供需管理框架对阳光电源ST系列储能系统和PowerTitan大型储能方案具有重要应用价值。老化感知资产规划方法可优化储能变流器和电池系统的选址定容策略,通过量化功率器件和电池的性能衰退曲线,改进iSolarCloud平台的预测性维护算法,避免容量配置过剩。点对点负瓦特交易机制可集成到微电网E...

储能系统技术 储能系统 可靠性分析 ★ 4.0

基于RRAM的单器件实现向量乘法与多比特存储的超高面积效率方案

RRAM-Based Single Device for Vector Multiplication and Multibit Storage With Ultrahigh Area Efficiency

Yang Shen · Zhoujie Pan · Mengge Jin · Jintian Gao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月

针对冯·诺依曼架构在速度与功耗方面的瓶颈,存内计算成为一种有前景的解决方案。该技术通常依赖由阻变存储器(RRAM)构成的存储单元阵列,利用其多阻态特性可提升数据存储密度。然而,RRAM普遍存在可靠性不足及长程循环特性难以优化的问题。本文提出一种新型三维RRAM器件,兼具2比特向量乘法与多比特存储功能。通过分析与SPICE仿真验证了其可行性,该器件无需写入验证过程,显著提升了面积效率、存储密度与运算速度。相较于传统用于向量乘法的CMOS电路,所需器件数量减少93.75%,为未来存内计算提供了新路径...

解读: 该RRAM存内计算技术对阳光电源储能系统的智能控制器具有重要应用价值。PowerTitan等大型储能系统需处理海量电池管理数据和实时功率调度计算,传统架构存在功耗与响应速度瓶颈。该技术通过单器件实现向量乘法运算,器件数量减少93.75%,可直接应用于ST系列储能变流器的BMS芯片和iSolarClo...

储能系统技术 储能系统 机器学习 深度学习 ★ 4.0

基于OT-IRM算法的棒-板长间隙操作冲击击穿电压海拔校正

Altitude Correction of Switching Impulse Breakdown Voltage for Rod-Plane Long-Gap Based on OT-IRM Algorithm

Bingxue Yang · Yujian Ding · Xiaoxu Ma · Zhanhui Lu 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2024年12月

随着海拔升高,空气间隙的绝缘强度降低。目前,间隙放电研究主要集中于低海拔区域,缺乏高海拔电气设备外绝缘设计的实验与理论支持。本文通过在55 m、2500 m和4300 m海拔下开展棒-板长间隙操作冲击放电实验,获取了不同海拔下的放电特性曲线。针对实验数据分布特点,提出基于最优传输的不变性风险最小化神经网络集成算法(OT-IRM),构建了适用于多海拔的击穿电压预测模型。模型在测试集上的平均误差为2.3%,表现出高精度与良好泛化能力。计算结果与现有海拔校正方法及其他机器学习模型对比,验证了其有效性。...

解读: 该高海拔绝缘击穿电压预测技术对阳光电源高原地区产品部署具有重要价值。针对PowerTitan储能系统和SG系列光伏逆变器在西藏、青海等高海拔电网的应用,OT-IRM算法可优化设备外绝缘设计,指导母线间隙、开关柜空气绝缘距离的海拔校正系数制定。该方法结合气象条件的泛化能力,可应用于ST系列储能变流器的...

功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 ★ 4.0

碳化硅MOSFET的近似SPICE建模

Approximate SPICE Modeling of SiC MOSFETs

Pawel Piotr Kubulus · Janus Dybdahl Meinert · Szymon Beczkowski · Asger Bjørn Jørgensen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

摘要:近年来,宽带隙(WBG)半导体的应用使SPICE电路仿真软件面临巨大挑战,需要以较低的计算量对快速振荡瞬态进行准确评估。WBG半导体SPICE建模的主要局限之一是现有软件中缺乏内置模型,这迫使人们使用包含大量非线性方程的行为建模。采用这种实现方式会导致高昂的计算成本和收敛性问题。本文提出一种对WBG半导体进行近似建模的通用方法,利用现代开源SPICE软件的功能,通过将非线性模型公式与SPICE模型公式解耦来提高收敛性,并将非线性模型更新的计算成本转移到SPICE软件之外。所提出的建模方法适...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项SiC MOSFET近似SPICE建模技术具有重要的工程应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,我们正大规模采用碳化硅等宽禁带半导体器件来提升产品的功率密度和转换效率。然而,在产品研发阶段,传统SPICE仿真工具在处理SiC器件的快速开关瞬态和高频振荡时面临...

储能系统技术 储能系统 多物理场耦合 ★ 4.0

变耦合与负载条件下高速谐振式无线功率传输的同步整流技术

Synchronous Rectification for High-Speed Resonant Wireless Power Transfer Under Variable Coupling and Load

Christian Herpers · Matthew MacMillan · Ethan T. Belliveau · Chris D. Rouse · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文提出了一种适用于涉及可变耦合、可变负载和较低电压(例如 60 V 及以下)应用的高效紧凑型无线电能传输(WPT)同步整流器(SR)。所提出的同步整流器采用了与负载无关的 E 类拓扑结构,以及基于调谐延迟线的相对简单的同步电路。本文给出了在 13.56 MHz 和 27.12 MHz 下工作的谐振电容式电能传输系统中实现的同步整流器的分析、仿真和实验结果。这两个系统在传输距离相对于标称值变化 <inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/M...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的同步整流无线电能传输技术具有重要的战略参考价值。该技术采用E类拓扑结构实现负载独立特性,在13.56 MHz和27.12 MHz频段下分别达到93%和89%的整流效率,在耦合距离变化±25%范围内保持稳定输出,展现出良好的技术成熟度。 对于阳光电源的储能系统业...

系统并网技术 ★ 4.0

提升基于IGCT的高功率应用中的关断性能——第一部分:超低电压下的异常大电流关断模式与安全工作区扩展

Enhancing Turn-Off Performance in IGCT-Based High Power Applications—Part I: Anomalous High Current Turn-Off Mode and Safe Operating Area Expansion at Ultra-Low Voltage

Jiabin Wang · Lvyang Chen · Xiangyu Zhang · Jiapeng Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

集成门极换流晶闸管(IGCT)以其低导通态电压和高浪涌电流能力而闻名,但历史上,其关断电流能力有限限制了它们的应用。本文研究了IGCT在超低电压条件下的一种异常高电流关断模式。通过全面的理论分析和仿真,证明了IGCT在超低电压下能够实现数倍于其额定电流的关断能力,突破了传统上对严格门极换流条件的要求。这一发现显著扩大了IGCT的安全工作区(SOA),为优化其在高功率应用中的使用提供了新视角。本文的研究结果为姊妹篇论文奠定了基础,姊妹篇论文将利用这一现象探索进一步提高IGCT关断性能的混合开关设计...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于IGCT器件关断性能提升的研究具有重要的战略价值。IGCT作为高压大功率半导体器件,其低导通压降和高浪涌电流能力一直是大型光伏逆变器和储能变流器的理想选择,但关断电流能力不足始终制约着其在超大功率应用场景中的推广。 该研究发现的"超低电压条件下异常高电流关断模式"...

光伏发电技术 ★ 4.0

高单色辐射对CIGS太阳能电池电学性能的影响

Effect of High Monochromatic Radiation on the Electrical Performance of CIGS Solar Cell

C. Casu · M. Buffolo · A. Caria · C. De Santi 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2024年11月

本文研究了单色激光辐照下Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)太阳能电池的光致退化行为。实验采用在氟掺杂SnO₂玻璃衬底上制备的双面CIGS电池,测试其在光照和暗态下的电学特性。电流-电压特性分析表明,空间电荷区内的载流子输运以缺陷辅助机制为主。持续激光照射导致开路电压(Voc)下降。暗电流-电压曲线显示,饱和电流(IS)和理想因子(n)随时间呈平方根关系增加,归因于Na离子向结区的扩散。而Voc的衰减与暗I-V曲线中开启电压的降低相关,主要由CdS/CIGS界面处光生缺陷引起漏电流增加所致。

解读: 该研究揭示的CIGS电池光致退化机理对阳光电源SG系列光伏逆变器的智能运维具有重要参考价值。研究发现的Na离子扩散导致饱和电流增加、CdS/CIGS界面缺陷引起漏电流上升等退化机制,可指导iSolarCloud平台优化CIGS组件的故障诊断算法,通过监测Voc衰减特征实现早期预警。对于MPPT控制策...

拓扑与电路 多物理场耦合 ★ 4.0

一种具有强横向、纵向和旋转抗偏移性能的多单元SCC电容耦合器

A Multicell SCC Capacitive Coupler With Strong Lateral, Longitudinal, and Rotational Antioffset Performance

Cang Liang · Mingzhe Liu · Feiyang Zhao · Danghui Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

电容式电能传输(CPT)系统的耦合结构无需在次级侧使用铁氧体,与感应式电能传输系统相比,其设计更轻、更薄且更具成本效益,同时仍能实现较高的电能传输效率。这使得CPT成为无人机应用的一个有前景的选择。然而,现有的研究在发生横向、纵向和旋转偏移时无法实现高效的电能传输。本文提出了一种新型的多单元单电容耦合式电容耦合器,该耦合器在发射器的任何位置都具有较强的横向、纵向和旋转抗偏移性能。发射器的顶板和底板由许多相互连接的矩形单元组成。为避免初级侧的互电容过大,并使发射器底板与接收器顶板之间的部分电容能够...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项多单元单电容耦合(SCC)电容式无线电能传输技术具有显著的应用潜力,特别是在我们正在拓展的储能系统、电动汽车充电和分布式能源领域。 该技术的核心优势在于通过创新的错位矩形单元结构设计,实现了在横向、纵向和旋转偏移条件下的稳定电能传输,耦合电容变化小于4.2%,这解决了...

储能系统技术 储能系统 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

电热应力下宽禁带功率半导体模块封装绝缘特性

WBG Power Semiconductor Module Packaging Insulation Characteristics Under Electrothermal Stress

Wei Liu · Jun Jiang · Yue Wang · Junzhe Zhang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年11月

随着功率密度提升,新一代宽禁带功率半导体模块向更高电压发展,但其封装绝缘可靠性面临高温密闭环境下的绝缘老化挑战。本文构建了包含直接键合铜基板与硅凝胶的简化模块测试模型,通过25°C–175°C温度范围及不同蚀刻间距下的局部放电试验,系统研究温度对绝缘劣化机制的影响。结果表明,局部放电起始电压随温度升高显著下降,且在75°C以上呈上升趋势;放电幅值先增后减。硅凝胶内微小气隙缺陷的热膨胀是影响绝缘性能的关键因素。通过建立比例气隙缺陷模型,仿真分析了电热耦合作用下的电场与空间电荷分布,验证了绝缘缺陷机...

解读: 该研究对阳光电源SiC/GaN宽禁带器件应用具有重要指导意义。ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器在高功率密度设计中广泛采用SiC模块,工作温度可达150°C以上,封装绝缘可靠性直接影响系统寿命。研究揭示的硅凝胶微气隙热膨胀机制为功率模块封装设计提供理论依据,可优化DBC基板蚀刻间距设计和灌封工艺...

光伏发电技术 ★ 4.0

二维/三维混合维度锡基钙钛矿太阳能电池的性能及其双面结构下的应用前景

Performance of 2-D/3-D Mixed-Dimension Tin Perovskite Solar Cells and Their Prospects Under Bifacial Configuration

Atanu Purkayastha · Arun Tej Mallajosyula · IEEE Journal of Photovoltaics · 2024年11月

本研究聚焦于无铅卤素钙钛矿太阳能电池的设计与开发。通过引入不同量的碘化苯乙铵(PEAI),制备了三维及二维/三维混合维度锡基钙钛矿器件,在15% PEAI浓度下获得最高11.03%的光电转换效率,并提升了器件稳定性。基于实测参数,采用Silvaco 2D TCAD软件模拟了相同材料体系在单面与双面结构下的性能。当后电极分别为银和氧化铟锡时,单面结构效率达17.94%和12.79%;双面结构在AM1.5G 1太阳光照下效率达26.55%。此外,雪地反照率使效率较单面结构提升38.85%,而土壤、海...

解读: 该锡基钙钛矿双面电池技术对阳光电源SG系列光伏逆变器产品线具有重要应用价值。研究中双面结构在高反照率环境下效率提升38.85%,为逆变器MPPT算法优化提供新方向:需针对双面组件开发独立的前后表面功率追踪策略,适配不同地表反照率场景。无铅锡基材料的稳定性提升与双面发电特性,可推动SG逆变器在雪地、沙...

光伏发电技术 储能系统 工商业光伏 ★ 4.0

SnO₂-Ti₃C₂复合电子传输层用于高效且易制备的平面钙钛矿太阳能电池

SnO2-Ti3C2 Blends as Electron Transport Layer for Efficient and Easily Fabricated Planar Perovskite Solar Cells

Yaling Wang · Yi Ding · Liying Yang · Shougen Yin 等6人 · IEEE Journal of Photovoltaics · 2024年11月

本研究通过将二维Ti₃C₂-MXene引入SnO₂并结合紫外臭氧处理,构建了SnO₂-Ti₃C₂杂化电子传输层(ETL)。系统探究了Ti₃C₂与紫外臭氧处理对ETL电荷传输、界面特性、钙钛矿形貌及器件性能的协同作用。结果表明,Ti₃C₂的引入不改变SnO₂的形貌与透光性,显著改善钙钛矿薄膜的结晶质量,获得更致密、粗糙度更低、晶粒更大且贯穿性更好的薄膜。紫外臭氧诱导Ti₃C₂表面氧化,提升ETL电荷传输能力,增强界面电子提取与转移,有效抑制载流子复合。基于该ETL的钙钛矿太阳能电池具有更高的电荷复...

解读: 该SnO₂-Ti₃C₂复合电子传输层技术对阳光电源光伏产品线具有重要参考价值。研究中19.52%的钙钛矿电池效率提升及79.38%的高填充因子,为SG系列逆变器的MPPT算法优化提供了新型电池特性数据支撑。复合材料改善的电荷传输特性与载流子复合抑制机制,可启发功率器件中SiC/GaN材料的界面优化设...

电动汽车驱动 宽禁带半导体 GaN器件 ★ 4.0

稀土氧化物-GaN异质结界面工程用于提升真空紫外探测性能

Interface Engineering of Rare-Earth Oxide-GaN Heterojunction for Improving Vacuum-Ultraviolet Photodetection

Dan Zhang · Jiarong Liang · Han Cai · Weisen Li 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年11月

氧化镥(Lu₂O₃)是一种超宽带隙(UWB)(5.5 - 6.2 电子伏特)的稀土氧化物,已被提议作为构建真空紫外(VUV)光电探测器的潜在材料。在这项工作中,在 Lu₂O₃/GaN 异质结界面沉积了一层超薄(4 纳米)的氧化铝(Al₂O₃)层,以制备高性能的 Lu₂O₃ 真空紫外光伏探测器。在 0 伏偏压和真空紫外光照下,Lu₂O₃/Al₂O₃/GaN 光电探测器在 192 纳米处的光响应度为 17.2 毫安/瓦,衰减时间为 54.9 毫秒,探测率为 1.2×10¹² 琼斯。该器件的优异性能源...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于稀土氧化物-氮化镓异质结真空紫外光探测器的研究虽属于前沿半导体光电领域,但与公司核心业务的直接关联度相对有限。该技术主要聚焦于真空紫外波段(192nm)的光电探测,其应用场景更多集中在紫外消毒、火焰监测、天文探测等特殊领域,与光伏发电和储能系统的可见光-近红外光谱范...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

基于刻蚀目标层与高选择性刻蚀技术的高产率增强型GaN p-FET

High-Yield Enhancement-Mode GaN p-FET With Etching-Target Layer and High-Selectivity Etching Techniques

Xuanming Zhang · Yuanlei Zhang · Jiachen Duan · Zhiwei Sun 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年11月

本文报道了采用p-Al0.05Ga0.95N刻蚀目标层(ETL)的增强型GaN p沟道异质结场效应晶体管(p-FET)。通过优化高选择性刻蚀工艺,实现p-GaN刻蚀速率约1 nm/min,并获得p-GaN与p-Al0.05Ga0.95N之间4:1的选择比。刻蚀工艺窗口扩展至10分钟,显著提高器件制备良率。器件阈值电压为−1.15 V,最大电流密度达6.16 mA/mm,且多器件间阈值电压与导通电流高度一致,展现出优异的重复性与一致性,为互补电路集成提供了重要基础。

解读: 该高产率增强型GaN p-FET技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。p沟道GaN器件可与现有n沟道器件构成互补拓扑,为ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器提供更高集成度的功率模块方案。高选择性刻蚀工艺实现的10分钟工艺窗口和优异一致性,可显著提升GaN器件制造良率,降低成本。阈值电压−1.15...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

对抗性约束学习在配电网分布式能源鲁棒调度中的应用

Adversarial Constraint Learning for Robust Dispatch of Distributed Energy Resources in Distribution Systems

Ge Chen · Hongcai Zhang · Yonghua Song · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2024年11月

可再生能源与负荷的波动性给配电网中分布式能源(DERs)的调度带来显著挑战,常引发不确定性导致潮流约束越限。鲁棒优化(RO)虽能有效管理此类运行风险,但非凸的交流潮流约束使其难以通过强对偶理论构建确定性等价问题。为此,本文提出对抗性约束学习方法,以生成线性代理模型用于鲁棒调度。该方法首先设计基于梯度的对抗攻击机制,识别最恶劣情况下的约束越限;预先训练“教师”模型以加速攻击过程中的梯度计算,并指导两个“学生”模型学习从候选调度决策及额定运行条件预测最恶劣越限。学生模型被重构为等效的混合整数线性规划...

解读: 该对抗性约束学习技术对阳光电源PowerTitan储能系统和ST系列储能变流器的鲁棒调度具有重要应用价值。文章提出的梯度对抗攻击机制可识别最恶劣运行场景,结合MILP代理模型实现快速在线优化,可直接应用于iSolarCloud云平台的智能调度模块,提升多储能站点协同调度的鲁棒性。该方法解决了非凸交流...

拓扑与电路 ★ 4.0

采用准自对准着陆垫实现100 Ω寄生电阻和965 μA/μm导通电流的高性能GAA晶体管

High-Performance GAA FETs With 100 Ω Parasitic Resistance and 965 μA/μm On-State Current Using Quasi-Self-Aligned Landing Pads

R. J. Jiang · P. Wang · J. X. Yao · X. X. Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月

为克服环绕栅场效应晶体管(GAA FETs)中严重的外延缺陷所导致的高寄生电阻和驱动性能不佳的挑战,本文提出了一种准自对准着陆垫(QSA LPs)技术,并展示了在 GAA FETs 中多层堆叠沟道与单晶硅锗/硅超晶格源/漏(SD)结构之间的无缺陷连接。与采用宽间距着陆垫的器件相比,使用 QSA LPs 技术时,N 型场效应晶体管(NFET)和 P 型场效应晶体管(PFET)的寄生源/漏电阻($R_{SD}$)分别降低了 98.8% 和 96.3%。因此,对于栅长为 180 nm 的 N/PFET...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GAA FET准自对准着陆焊盘技术展现出显著的战略价值。该技术通过创新的工艺方案,将寄生电阻降低超过96%,并实现965 μA/μm的高导通电流,这对我们的核心产品具有重要意义。 在光伏逆变器领域,功率半导体器件的性能直接决定了系统的转换效率和功率密度。GAA FET...

拓扑与电路 ★ 4.0

零折射率超表面在微波功率传输应用中的设计与测量

Design and Measurement of a Zero-Index Metasurface for Microwave Power Transmission Applications

Huaiqing Zhang · Zhenteng Fan · Jingjing Yang · Jinpeng He 等5人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月

在实际的微波功率传输(MPT)应用中,斜入射角总会影响移动接收器所捕获的功率。为缓解这一问题……

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项零折射率超表面技术虽然聚焦于微波无线电能传输领域,但其底层原理对我们在新能源系统的无线监测、智能运维和未来能源互联网建设方面具有启发意义。 该技术通过超表面材料实现对斜入射电磁波的高效接收,核心价值在于解决移动接收端因角度变化导致的能量捕获效率下降问题。这一技术思路可...

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