找到 22 条结果 · 拓扑与电路

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拓扑与电路 宽禁带半导体 功率模块 光伏逆变器 ★ 5.0

一种具有集成PCB罗氏线圈共模电流传感器的高频插入损耗增强型有源EMI滤波器

A High-Frequency Insertion Loss Enhanced Active EMI Filter With Integrated PCB Rogowski Coil CM Current Sensor

Yuan Feng · Peng Guo · Qianming Xu · Cheng Tang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

宽禁带半导体提升了开关电源的功率密度,但也带来了严重的共模(CM)电磁干扰(EMI)问题。相比传统无源EMI滤波器,有源EMI滤波器(AEF)通过传感与注入技术抵消噪声,显著减小了滤波器体积。本文提出了一种集成PCB罗氏线圈传感器的高频增强型AEF,旨在解决高频段EMI抑制的挑战。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度和高开关频率演进(如SiC器件的广泛应用),EMI干扰抑制已成为提升产品竞争力的关键。该技术通过集成PCB罗氏线圈实现紧凑型有源EMI滤波,能有效减小滤波器体积,从而进一步提升逆变器和PCS的功率密度。建议研发团...

拓扑与电路 DC-DC变换器 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

非对称半桥结构中实现零电压开关

ZVS)的深入分析

Cristina Martos-Contreras · Alfredo Medina-Garcia · Jorge Perez-Martinez · Noel Rodriguez 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月

随着电力电子变换器向高频化、小型化发展,开关损耗成为限制效率提升的关键瓶颈。本文深入分析了非对称半桥结构中实现零电压开关(ZVS)的条件,旨在通过优化开关策略与拓扑设计,在宽禁带半导体应用中最大限度地降低损耗,提升变换器整体效率与热管理性能。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。非对称半桥拓扑广泛应用于阳光电源的组串式光伏逆变器DC-DC级以及户用储能系统的双向DC-DC变换器中。通过深入理解ZVS实现机制,研发团队可进一步提升高频化设计能力,减小磁性元件体积,从而优化户用逆变器及PowerStack储能系统的功率密度。建议在下一...

拓扑与电路 光伏逆变器 储能变流器PCS 功率模块 ★ 5.0

2025年IEEE电力电子学汇刊索引

2025 Index IEEE Transactions on Power Electronics

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

本文档为《IEEE电力电子学汇刊》2025年度的索引目录,涵盖了电力电子领域的前沿研究,包括先进功率变换拓扑、宽禁带半导体器件应用、先进控制策略以及电力电子系统在可再生能源与电网集成中的最新技术进展。

解读: 作为电力电子领域的顶级期刊,其年度索引涵盖了阳光电源核心业务(光伏逆变器、储能PCS、风电变流器)的底层技术基石。该索引中涉及的高频功率变换、SiC/GaN器件应用及构网型(GFM)控制技术,直接决定了公司下一代PowerTitan储能系统及组串式逆变器的功率密度与转换效率。建议研发团队重点关注其中...

拓扑与电路 宽禁带半导体 功率模块 储能变流器PCS ★ 5.0

中压中频变压器绕组内电压振荡的起源分析与抑制方法

Origin Analysis and Mitigation Method of Voltage Oscillation Occurred Inside the Winding of Medium-Voltage Medium-Frequency Transformer

Yueyin Wang · Wu Chen · Zhan Shen · Xiao Yu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

中压中频变压器是高功率直流变换器的核心部件。宽禁带半导体的高速开关特性会在变压器内部诱发电压振荡,增加主绝缘局部放电风险,甚至导致永久性击穿。本文旨在分析此类振荡的产生机理,并提出相应的抑制策略,以提升电力电子变换器的可靠性。

解读: 该研究直接关联阳光电源PowerTitan和PowerStack等大功率储能系统中的隔离型DC-DC变换环节。随着SiC等宽禁带器件在PCS中的广泛应用,高频开关带来的电压振荡与绝缘应力问题日益突出。本文提出的振荡抑制方法对于优化高压储能变流器的变压器设计、提升系统长期运行的绝缘可靠性具有重要指导意...

拓扑与电路 宽禁带半导体 功率模块 多物理场耦合 ★ 5.0

磁耦合交错H桥的最优集成设计

Optimal Integrated Design of a Magnetically Coupled Interleaved H-Bridge

Andrea Stratta · Davide Gottardo · Mauro Di Nardo · Jordi Espina 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年1月

宽禁带半导体与无源元件、驱动及热管理等组件的集成,是实现电力电子系统小型化的关键。本文针对磁耦合交错H桥,提出了一种复杂的多物理场优化设计方法,旨在解决多变量约束下的系统体积优化与性能提升问题。

解读: 该研究聚焦于宽禁带半导体(SiC/GaN)与磁性元件的深度集成及多物理场协同优化,这对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式光伏逆变器和PowerStack储能变流器中,功率密度的提升是核心竞争力,该方法论可直接指导高频化、小型化功率模块的设计。建议研发团队将其多物理场耦合优化模型引入到下一代高...

拓扑与电路 SiC器件 PWM控制 三相逆变器 ★ 5.0

基于宽禁带半导体三相高频电压源变换器的六边形Sigma-Delta调制综合分析

Comprehensive Analysis of Hexagonal Sigma-Delta Modulations for Three-Phase High-Frequency VSC Based on Wide-Bandgap Semiconductors

David Lumbreras · Jordi Zaragoza · Nestor Berbel · Juan Mon 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月

本文针对采用碳化硅(SiC)器件的电压源变换器(VSC),提出并分析了单环和双环六边形Sigma-Delta(H-ΣΔ和DH-ΣΔ)调制技术。该方法旨在通过高频调制显著提升宽禁带半导体变换器的效率,相较于传统调制方式,在高频运行下表现出更优的性能。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着SiC器件在组串式光伏逆变器(如SG系列)及储能变流器(如PowerTitan系列)中的广泛应用,高频化已成为提升功率密度和转换效率的关键路径。六边形Sigma-Delta调制技术能有效优化SiC器件在高频下的开关损耗,有助于进一步缩小逆变器体积并...

拓扑与电路 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 ★ 5.0

测量电路不对称性对三相共模/差模传导EMI分离影响的分析

Analysis of the Influence of Measurement Circuit Asymmetries on Three-Phase CM/DM Conducted EMI Separation

Pascal S. Niklaus · Michael M. Antivachis · Dominik Bortis · Johann W. Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月

随着宽禁带半导体在高频、高速开关应用中的普及,电力电子设备的传导电磁干扰(EMI)问题日益突出。本文重点研究了共模(CM)/差模(DM)噪声分离器中测量电路不对称性对噪声分离精度的影响,为准确评估和抑制电力电子系统的EMI噪声提供了理论依据与优化方法。

解读: 该研究对阳光电源全系列产品(特别是组串式逆变器和PowerTitan储能系统)具有重要指导意义。随着公司产品向高功率密度、高开关频率(SiC器件应用)演进,EMI合规性挑战加剧。本文提出的测量电路不对称性分析方法,可直接应用于研发阶段的EMI滤波器设计与优化,提升测试精度,缩短认证周期。建议在iSo...

拓扑与电路 双向DC-DC 宽禁带半导体 储能变流器PCS ★ 4.0

一种用于降压的新型双向电容隔离谐振开关电容DCX拓扑

Novel Bidirectional Capacitively-Isolated Resonant Switched Capacitor DCX Topology for Voltage Reduction

Gabriel Maldonado Roldán · Daniel Ríos Linares · Miroslav Vasić · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

隔离是电力电子应用的关键需求,传统磁性变压器体积限制了功率密度提升。本文提出一种新型双向电容隔离谐振开关电容直流变压器(DCX)拓扑,旨在通过电容隔离替代传统变压器,结合宽禁带半导体技术,有效减小系统体积并提升功率密度。

解读: 该拓扑通过电容隔离替代磁性元件,是提升电力电子设备功率密度的前沿方向。对于阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及户用储能PCS而言,该技术若能实现高效率的电压变换,将显著减小PCS模块的体积与重量,降低磁性元件带来的损耗与成本。建议研发团队关注其在低压侧与高压侧直流母线...

拓扑与电路 功率模块 宽禁带半导体 储能系统 ★ 4.0

2025年社论:TPEL的四十年

Editorial 2025: Four Decades of TPEL

Yaow-Ming Chen · Xiongfei Wang · Maryam Saeedifard · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文作为IEEE电力电子学报(TPEL)2025年的社论,回顾了过去四十年电力电子技术的发展历程。文章探讨了从基础拓扑创新到宽禁带半导体应用、智能化控制及系统集成技术的演进,并展望了未来电力电子在能源转型和可持续发展中的关键作用。

解读: 作为电力电子领域的权威期刊社论,本文总结的技术演进趋势与阳光电源的核心技术路线高度契合。文章强调的宽禁带半导体(SiC/GaN)应用,直接指导阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中的高功率密度设计;智能化控制与系统集成趋势,则为iSolarCloud平台的算法优化及构网型(GFM)技...

拓扑与电路 DC-DC变换器 宽禁带半导体 SiC器件 ★ 4.0

基于耦合电感的Si/WBG混合半桥变换器用于电能质量提升与控制简化

Si/WBG Hybrid Half-Bridge Converter Using Coupled Inductors for Power Quality Improvement and Control Simplification

Chao Zhang · Xufeng Yuan · Jun Wang · Bo Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月

针对Si/WBG混合半桥变换器在混合频率交错运行(HFIO)中存在的电能质量波动及控制复杂问题,本文提出了一种Si/宽禁带(WBG)耦合半桥(CHB)拓扑。该方案通过协调混合频率交错控制,有效改善了功率质量并简化了控制设计。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能变流器(PCS)具有重要参考价值。通过引入Si/WBG混合拓扑与耦合电感技术,可以在保持成本竞争力的同时,进一步提升功率密度和转换效率,特别适用于PowerTitan等储能系统及新一代组串式光伏逆变器。建议研发团队关注该拓扑在降低开关损耗及优化电磁兼容性(EMC)...

拓扑与电路 DC-DC变换器 充电桩 宽禁带半导体 ★ 4.0

用于电动汽车充电应用中宽增益范围DC-DC谐振变换器的高频变压器集成谐振电感设计与优化

Design and Optimization of an Integrated Resonant Inductor With High-Frequency Transformer for Wide Gain Range DC–DC Resonant Converters in Electric Vehicle Charging Applications

Satyaki Mukherjee · Peter Barbosa · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

宽禁带半导体在开关电源中的应用推动了电力电子系统的小型化。随着开关频率提升至数百kHz至MHz量级,磁性元件的高效紧凑设计成为数据中心及电动汽车应用的关键。本文针对宽增益范围DC-DC谐振变换器,研究了集成谐振电感与高频变压器的设计与优化方法,旨在提升功率密度与转换效率。

解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。通过集成谐振电感与高频变压器,可显著减小充电模块体积,提升功率密度,符合当前充电桩向高压快充、小型化发展的趋势。建议研发团队关注该集成磁件技术在液冷超充模块中的应用,利用宽禁带半导体(SiC/GaN)配合高频磁集成设计,进一步降低损耗并提升系统可...

拓扑与电路 宽禁带半导体 SiC器件 功率模块 ★ 4.0

用于WBG/Si混合半桥变换器功率损耗优化的自适应功率分配与开关频率控制

Adaptive Power Sharing and Switching Frequency Control for Power Loss Optimization in WBG/Si Hybrid Half-Bridge Converters

Chao Zhang · Xufeng Yuan · Jun Wang · Weibin Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月

本文针对基于宽禁带(WBG)/硅(Si)混合半桥(HHB)的电力变换器,提出了一种新型自适应功率分配与开关频率控制策略。该方法旨在通过优化开关频率及WBG与Si相之间的功率分配比例,实现变换器效率的最大化与安全运行,为提升电力电子变换系统的综合性能提供了有效方案。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能PCS产品线具有重要参考价值。随着碳化硅(SiC)等宽禁带器件成本下降,混合半桥拓扑在提升功率密度和转换效率方面潜力巨大。建议研发团队关注该自适应控制策略,将其应用于PowerTitan等储能变流器或新一代高功率密度光伏逆变器中,通过动态分配功率和优化开关频率,在...

拓扑与电路 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

脉冲平面变压器等效电路模型及其对突变dv/dt的耐受性

Equivalent Circuit Model of a Pulse Planar Transformer and Endurance to Abrupt dv/dt

Loreine Makki · Antoine Laspeyres · Corentin Darbas · Anne-Sophie Descamps 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月

宽禁带(WBG)半导体器件的高开关速度和高频特性在提升功率转换效率的同时,也带来了严峻的电磁干扰(EMI)挑战。本文针对栅极驱动应用中的脉冲平面变压器,建立了等效电路模型,并重点研究了其在高速开关瞬态下对高dv/dt应力的耐受能力,为高频功率变换器的可靠性设计提供了理论支撑。

解读: 该研究对阳光电源的功率电子设计具有重要参考价值。随着公司在户用及工商业光伏逆变器、电动汽车充电桩中大规模应用SiC等宽禁带器件,高dv/dt带来的EMI和绝缘可靠性问题日益突出。平面变压器是高功率密度设计的核心组件,本文提出的等效模型及耐受性分析方法,可直接应用于公司新一代高频逆变器及充电桩的栅极驱...

拓扑与电路 GaN器件 PWM控制 三相逆变器 ★ 4.0

用于三相宽禁带功率变换器的快速处理Sigma-Delta策略及共模电压抑制

Fast-Processing Sigma–Delta Strategies for Three-Phase Wide-Bandgap Power Converters With Common-Mode Voltage Reduction

David Lumbreras · Jordi Zaragoza · Nestor Berbel · Juan Mon 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月

本文针对采用氮化镓(GaN)半导体器件的电压源变换器(VSC),提出了一系列降低共模电压的Sigma-Delta调制(RCMV-ΣΔ)策略。通过扩展频谱调制技术,有效改善了宽禁带功率变换器的电磁兼容性(EMC),并提出了三种新型调制技术以优化变换器性能。

解读: 该技术对阳光电源的组串式光伏逆变器及户用储能产品具有重要参考价值。随着GaN等宽禁带器件在高功率密度逆变器中的应用普及,电磁干扰(EMI)控制成为设计难点。RCMV-ΣΔ调制策略能在提升开关频率的同时有效抑制共模电压,有助于减小滤波器体积,提升整机功率密度。建议研发团队在下一代高频化、小型化逆变器设...

拓扑与电路 PFC整流 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

图腾柱功率因数校正变换器中直流电流抑制的自适应方法

An Adaptive Method for DC Current Reduction in Totem Pole Power Factor Correction Converters

Peyman Amiri · Wilson Eberle · Deepak Gautam · Chris Botting · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月

得益于宽禁带半导体器件的发展,无桥图腾柱PFC变换器在高性能电池充电器和通信电源前端应用中日益普及,具有高效率和低电磁干扰的优势。本文针对图腾柱结构中存在的直流电流问题,提出了一种自适应抑制方法,旨在优化变换器性能并提升系统稳定性。

解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及户用储能系统中的AC/DC前端变换器具有重要参考价值。图腾柱PFC拓扑是实现高功率密度和高效率的关键,通过引入自适应直流电流抑制算法,可显著提升充电桩在不同负载工况下的电能质量与可靠性。建议研发团队在下一代高频化充电桩产品中评估该控制策略,以进一步优化宽禁带器件(如...

拓扑与电路 SiC器件 PWM控制 三电平 ★ 4.0

一种抑制SiC基单相驱动器电机过电压的准三电平PWM方案

A Quasi-Three-Level PWM Scheme to Combat Motor Overvoltage in SiC-Based Single-Phase Drives

Mohamed S. Diab · Xibo Yuan · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

宽禁带(WBG)功率器件的应用提升了电机驱动的功率密度与效率,但其高电压变化率(dv/dt)引发了严重的电机过电压振荡问题。本文提出了一种准三电平PWM调制方案,旨在有效抑制SiC器件在单相驱动应用中的电压尖峰,缓解电磁干扰及绝缘应力挑战。

解读: 该技术对阳光电源的功率器件应用及电机驱动类产品具有重要参考价值。随着SiC器件在光伏逆变器及储能PCS中的广泛应用,高dv/dt带来的EMI及绝缘老化问题日益突出。该准三电平PWM方案可优化逆变器输出波形,降低对电机或变压器绕组的电压应力,有助于提升阳光电源户用及工商业逆变器、电动汽车充电桩功率模块...

拓扑与电路 DC-DC变换器 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

具有电流平衡变压器功能的集成耦合电感用于两相同步DC-DC变换器

Integrated Coupled Inductors With Functionality of Current Balancing Transformer for Two-Phase Synchronous DC–DC Converters

Yi Dou · Ziwei Ouyang · Michael A. E. Andersen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年5月

随着宽禁带半导体和现代铁氧体材料的发展,DC-DC变换器开关频率已迈向兆赫兹量级以提升功率密度。为应对大电流需求,多相变换器被广泛采用以分担功率器件和绕组电流。本文提出了一种集成耦合电感,兼具电流平衡变压器功能,有效解决了多相变换器中的电流不平衡问题。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能PCS产品线具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升,高频化是必然趋势,多相交错技术结合集成耦合电感可有效减小磁性元件体积并优化散热。建议研发团队关注该拓扑在ST系列PCS及高功率密度组串式逆变器DC-DC级中的应用,通过集成化设计降低磁件损耗,提升整机效率与功率...

拓扑与电路 SiC器件 三电平 三相逆变器 ★ 4.0

基于15 kV SiC IGBT的中压并网三相三电平NPC变换器谐波分析与控制器设计

Harmonic Analysis and Controller Design of 15 kV SiC IGBT-Based Medium-Voltage Grid-Connected Three-Phase Three-Level NPC Converter

Sachin Madhusoodhanan · Krishna Mainali · Awneesh Tripathi · Dhaval Patel 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年5月

针对中压并网应用,受限于硅基器件电压等级,通常采用级联变换器。本文研究了基于15 kV碳化硅(SiC)IGBT的三相三电平中性点钳位(NPC)变换器,分析了其谐波特性并提出了相应的控制器设计方案,旨在提升高压宽禁带半导体在电网侧应用中的性能。

解读: 该研究涉及高压SiC器件在三电平NPC拓扑中的应用,对阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级(如1500V及以上)演进,利用SiC器件替代传统Si器件可显著降低开关损耗、提升功率密度并优化散热设计。建议研发团队关注15...

拓扑与电路 宽禁带半导体 功率模块 三相逆变器 ★ 3.0

背靠背变换器的三腿运行

Three-Leg Operation of Back-to-Back Converters

Christos Leontaris · Gean Jacques Maia de Sousa · Marcelo Lobo Heldwein · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

双向集成电机驱动系统要求功率变换器具有紧凑的结构以嵌入电机壳体。高开关频率虽能减小体积,但会导致发热增加。宽禁带半导体虽能降低开关损耗,但通过减少开关管总数进一步优化拓扑结构仍具有重要研究价值。

解读: 该研究探讨的减少开关管数量的拓扑优化方案,对于阳光电源电动汽车充电桩及电机驱动相关业务具有参考价值。在追求高功率密度和紧凑化设计的趋势下,通过减少器件数量来降低损耗和热负荷,有助于提升充电桩模块的效率与可靠性。建议研发团队关注该拓扑在双向变换器中的应用潜力,以优化散热设计并降低系统成本,从而提升产品...

拓扑与电路 GaN器件 宽禁带半导体 三相逆变器 ★ 3.0

基于单片双向氮化镓晶体管的三相电流型直流环节AC-AC变换器的协同控制

Synergetic Control of a Monolithic-Bidirectional-GaN-Transistor-Based Three-Phase Current DC-Link AC–AC Converter

Neha Nain · Daifei Zhang · Johann W. Kolar · Jonas Huber · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月

本文研究了一种基于单片双向氮化镓(GaN)晶体管的三相电流型AC-AC变换器。针对变频驱动(VSD)应用,该拓扑利用宽禁带半导体特性,通过协同控制策略优化了电流型变换器(CSC)的性能,旨在解决传统电压型变换器(VSC)在高dv/dt下对电机保护的挑战,提升系统功率密度与效率。

解读: 该研究聚焦于宽禁带半导体(GaN)在电流型变换器中的应用,对阳光电源的功率电子技术储备具有参考价值。虽然目前阳光电源主流产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统)多采用电压型拓扑,但GaN器件的高频特性对于提升未来小型化户用逆变器或高频充电桩的功率密度至关重要。建议研发团队关注单片双向Ga...

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