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磁耦合交错H桥的最优集成设计
Optimal Integrated Design of a Magnetically Coupled Interleaved H-Bridge
| 作者 | Andrea Stratta · Davide Gottardo · Mauro Di Nardo · Jordi Espina · Liliana de Lillo · Lee Empringham · Mark C. Johnson |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年1月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 多物理场耦合 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带半导体 磁耦合 交错式H桥 集成设计 多物理场 电力电子 体积减小 |
语言:
中文摘要
宽禁带半导体与无源元件、驱动及热管理等组件的集成，是实现电力电子系统小型化的关键。本文针对磁耦合交错H桥，提出了一种复杂的多物理场优化设计方法，旨在解决多变量约束下的系统体积优化与性能提升问题。
English Abstract
The application of wide-band gap semiconductors and their integration with other power electronics components (e.g., passives, gate drivers, sensing, thermal management) can meet the growing demand for volume reduction in power electronics systems. The design of such an integrated system is a complex multiphysics problem given the high number of variables to identify, objectives to optimize, and c...
S
SunView 深度解读
该研究聚焦于宽禁带半导体（SiC/GaN）与磁性元件的深度集成及多物理场协同优化，这对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式光伏逆变器和PowerStack储能变流器中，功率密度的提升是核心竞争力，该方法论可直接指导高频化、小型化功率模块的设计。建议研发团队将其多物理场耦合优化模型引入到下一代高功率密度PCS的研发流程中，特别是在优化磁集成方案以降低损耗和体积方面，有助于进一步巩固阳光电源在行业内的技术领先地位。