← 返回
基于单片双向氮化镓晶体管的三相电流型直流环节AC-AC变换器的协同控制
Synergetic Control of a Monolithic-Bidirectional-GaN-Transistor-Based Three-Phase Current DC-Link AC–AC Converter
| 作者 | Neha Nain · Daifei Zhang · Johann W. Kolar · Jonas Huber |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年7月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 三相逆变器 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 变速驱动器 AC-AC 变换器 GaN 晶体管 电流源变换器 宽禁带半导体 协同控制 |
语言:
中文摘要
本文研究了一种基于单片双向氮化镓（GaN）晶体管的三相电流型AC-AC变换器。针对变频驱动（VSD）应用，该拓扑利用宽禁带半导体特性，通过协同控制策略优化了电流型变换器（CSC）的性能，旨在解决传统电压型变换器（VSC）在高dv/dt下对电机保护的挑战，提升系统功率密度与效率。
English Abstract
Variable speed drives (VSDs) operating from a threephase mains are typically realized as ac–ac voltage dc-link/source converters (VSCs). Compact VSCs using wide-bandgap (WBG) semiconductors often require LC output filters to protect the motor from high dv/dt of the switched voltage. Ac-ac current dc-link/source converters (CSCs) featuring a back-to-back connection of a current-source rectifier (CS...
S
SunView 深度解读
该研究聚焦于宽禁带半导体（GaN）在电流型变换器中的应用，对阳光电源的功率电子技术储备具有参考价值。虽然目前阳光电源主流产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）多采用电压型拓扑，但GaN器件的高频特性对于提升未来小型化户用逆变器或高频充电桩的功率密度至关重要。建议研发团队关注单片双向GaN器件在双向功率变换中的应用潜力，以进一步优化系统体积与效率，并探索其在下一代高频电力电子变换器中的可行性。