找到 7 条结果 · 功率器件技术

排序:
功率器件技术 功率模块 热仿真 机器学习 ★ 5.0

一种基于物理信息神经网络的参数化热仿真方法用于功率模块快速热设计

A Parameterized Thermal Simulation Method Based on Physics-Informed Neural Networks for Fast Power Module Thermal Design

Yayong Yang · Zhiqiang Wang · Yu Liao · Wubin Kong 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月

本文提出了一种基于物理信息神经网络(PINNs)的参数化3D热仿真方法,旨在实现功率模块热设计的快速空间探索。通过利用PINNs快速近似描述功率模块热行为的参数化偏微分方程解的能力,该方法显著提升了热场仿真的效率。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)具有重要价值。功率模块是上述产品的核心发热源,传统有限元仿真耗时较长,限制了研发迭代速度。引入PINNs技术可实现热设计的快速参数化仿真,显著缩短逆变器和PCS产品的研发周期,优化散热结构设计,提升功...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 热仿真 ★ 5.0

一种基于NSGA-II优化的流形微通道散热器,用于提升SiC功率模块的散热性能与热均匀性

An NSGA-II Optimized Manifold Microchannel Heat Sink With Better Heat Dissipation and Superior Thermal Uniformity for SiC Power Modules

Chunyang Man · Zhiqiang Wang · Yu Liao · Xiaojie Shi 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月

碳化硅(SiC)功率模块凭借优异性能成为可再生能源与电动汽车的首选。然而,高热流密度与热分布不均限制了其性能提升。本文提出一种基于NSGA-II算法优化的流形微通道散热器,旨在解决SiC模块的散热瓶颈,显著提升散热效率与热均匀性。

解读: 该研究直接针对SiC功率模块的核心散热痛点,对阳光电源的组串式逆变器(如SG系列)及PowerTitan/PowerStack储能变流器具有重要参考价值。随着阳光电源产品功率密度的不断提升,SiC器件的应用日益广泛,高热流密度带来的热管理挑战愈发严峻。本文提出的流形微通道散热优化设计,可有效降低Si...

功率器件技术 SiC器件 可靠性分析 故障诊断 ★ 5.0

一种基于非接触式PCB罗氏线圈的SiC MOSFET栅极氧化层退化在线监测方法

An Online Gate Oxide Degradation Monitoring Method for SiC MOSFETs With Contactless PCB Rogowski Coil Approach

Jianlong Kang · Ankang Zhu · Yu Chen · Haoze Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

SiC MOSFET栅极氧化层的实时退化监测是提升功率变换器可靠性的关键。现有监测方法多需直接电气连接,降低了系统可靠性。本文提出一种基于开通瞬态电流变化率的非接触式监测方法,通过PCB罗氏线圈实现,有效避免了对主电路的干扰,提升了监测的安全性与准确性。

解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块,器件的长期可靠性成为核心竞争力。该非接触式监测技术无需改变主电路拓扑,即可实现对SiC器件栅极健康状态的实时评估,极大地降低了系统故障风险。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运...

功率器件技术 IGBT 功率模块 热仿真 ★ 5.0

基于液态金属热界面材料的压接式IGBT器件热接触电阻优化

Thermal Contact Resistance Optimization of Press-Pack IGBT Device Based on Liquid Metal Thermal Interface Material

Xiao Wang · Hui Li · Ran Yao · Wei Lai 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

在压接式IGBT(PP-IGBT)器件中,热接触电阻通常占总热阻的50%以上,严重影响散热并导致结温升高。本文提出了一种通过填充液态金属热界面材料来优化PP-IGBT热接触电阻的方法,旨在降低器件热阻,提升散热性能。

解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大功率储能系统(如PowerTitan系列)至关重要。PP-IGBT作为高压大功率应用的核心器件,其散热性能直接决定了系统的功率密度和长期运行可靠性。通过引入液态金属优化热接触电阻,可有效降低器件结温,从而提升逆变器在极端工况下的输出能力,或在同等散热条件下实现更紧凑...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

高击穿电压的710 GHz氮化镓梯度掺杂肖特基势垒二极管

710 GHz GaN gradient doped Schottky barrier diode with high breakdown voltage

Xiufeng Song · Shenglei Zhao · Kui Dang · Longyang Yu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年3月 · Vol.126

本文报道了一种基于氮化镓(GaN)材料的梯度掺杂肖特基势垒二极管,实现了高达710 GHz的截止频率和优异的击穿特性。通过优化梯度掺杂结构,有效调控了电场分布,显著提升了器件的击穿电压,同时保持了低势垒高度与低寄生电阻,从而实现高频与高功率兼容性能。该器件在太赫兹应用中展现出巨大潜力,为下一代高频电子器件提供了可行的技术路径。

解读: 该710GHz GaN梯度掺杂肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。其梯度掺杂结构优化思路可启发我们在SG系列逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的设计,特别是在高频DC-DC变换环节。高击穿电压特性有助于提升1500V系统的可靠性,而优异的高频特性可支持逆变器向更高开关频率发展...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

通过改善有源边缘散热优化压接式IGBT的短路能力

Short-Circuit Capability Optimization of Press-Pack IGBT by Improving Active Edge Heat Dissipation

Yue Yu · Hui Li · Ran Yao · Francesco Iannuzzo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

压接式IGBT(PP-IGBT)广泛应用于VSC-HVDC换流器。针对压接封装引起的瞬态过应力导致的器件失效问题,本文提出了一种优化短路能力的方法,通过改善有源边缘的散热性能,提升PP-IGBT的短路鲁棒性与可靠性。

解读: 该研究针对压接式IGBT的散热与短路鲁棒性优化,对阳光电源的高压大功率产品线具有重要参考价值。特别是在集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)中,高功率密度模块的散热设计是提升系统可靠性的核心。通过优化有源边缘散热,可有效降低器件在极端工况下的热应力,延长设备寿命。建议研发团队关...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 2.0

基于互补型GaN HEMT的高频脉冲激光驱动器

High-Frequency Pulsed Laser Driver Using Complementary GaN HEMTs

Ching-Yao Liu · Chun-Hsiung Lin · Hao-Chung Kuo · Li-Chuan Tang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

本文提出了一种用于高频激光雷达(LiDAR)的高效激光驱动器,旨在满足20MHz重复频率、10ns脉宽及50W瞬时功率的严苛要求。针对自动驾驶领域对高功率效率的需求,该驱动器通过互补型GaN HEMT技术优化了开关性能,显著提升了系统整体能效。

解读: 该文献探讨了GaN器件在高频脉冲应用中的性能优势。虽然阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器和储能系统,但随着电力电子技术向高频化、高功率密度方向演进,GaN等宽禁带半导体在辅助电源、高频驱动电路及未来小型化储能控制模块中具有应用潜力。建议研发团队关注GaN器件在高频开关下的损耗特性与可靠性评估,这有助...