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通过改善有源边缘散热优化压接式IGBT的短路能力
Short-Circuit Capability Optimization of Press-Pack IGBT by Improving Active Edge Heat Dissipation
| 作者 | Yue Yu · Hui Li · Ran Yao · Francesco Iannuzzo · Zheyan Zhu · Xianping Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 压接式IGBT 短路能力 散热 电力电子 可靠性 VSC-HVdc 瞬态过应力 |
语言:
中文摘要
压接式IGBT(PP-IGBT)广泛应用于VSC-HVDC换流器。针对压接封装引起的瞬态过应力导致的器件失效问题,本文提出了一种优化短路能力的方法,通过改善有源边缘的散热性能,提升PP-IGBT的短路鲁棒性与可靠性。
English Abstract
Press-pack insulated gate bipolar transistor (PP-IGBT) device has been widely used in VSC-HVdc converters. Research on the optimization method of short-circuit capability is crucial to improve the short-circuit robustness and reliability of PP-IGBT. Aiming at the problem of device failure due to transient overstress induced by press-pack packaging, this article proposes a short-circuit capability ...
S
SunView 深度解读
该研究针对压接式IGBT的散热与短路鲁棒性优化,对阳光电源的高压大功率产品线具有重要参考价值。特别是在集中式光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)中,高功率密度模块的散热设计是提升系统可靠性的核心。通过优化有源边缘散热,可有效降低器件在极端工况下的热应力,延长设备寿命。建议研发团队关注该热管理技术,将其应用于高压功率模块的封装设计与仿真优化中,以提升产品在复杂电网环境下的故障耐受能力。