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一种用于GaN FET的6.7-GHz有源栅极驱动器，旨在抑制过冲、振铃和EMI
A 6.7-GHz Active Gate Driver for GaN FETs to Combat Overshoot, Ringing, and EMI
| 作者 | Harry C. P. Dymond · Jianjing Wang · Dawei Liu · Jeremy J. O. Dalton · Neville McNeill · Dinesh Pamunuwa · Simon J. Hollis · Bernard H. Stark |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 有源门极驱动器 GaN FETs 开关瞬态 EMI 过冲 振荡 电力电子 |
语言:
中文摘要
有源栅极驱动技术在Si和SiC功率变换器中已证明能有效优化开关波形。然而，针对亚10ns开关瞬态的GaN器件，现有变参数驱动技术多局限于单次调整。本文提出了一种新型栅极驱动器，通过高频有源控制进一步提升GaN器件在高速开关过程中的EMI抑制能力及波形质量。
English Abstract
Active gate driving has been demonstrated to beneficially shape switching waveforms in Si- and SiC-based power converters. For faster GaN power devices with sub-10-ns switching transients, however, reported variable gate driving has so far been limited to altering a single drive parameter once per switching event, either during or outside of the transient. This paper demonstrates a gate driver wit...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提高，GaN器件的应用已成为提升效率的关键。该文献提出的高频有源栅极驱动技术，能够有效解决GaN器件在高速开关过程中带来的电磁干扰（EMI）和电压振铃问题，这对于优化阳光电源新一代高频化、小型化逆变器及充电桩产品的PCB布局与电磁兼容设计具有重要参考价值。建议研发团队关注该驱动技术在降低开关损耗与提升系统可靠性方面的潜力，并评估其在下一代高功率密度产品中的集成可行性。