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| 作者 | Xiaoqing Song · Alex Q. Huang · Meng-Chia Lee · Chang Peng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC ETO晶闸管 高压功率开关 宽禁带半导体 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文研究了基于碳化硅（SiC）材料的高压（>10 kV）可控三端功率开关。由于硅基IGBT在阻断电压设计上存在物理局限，SiC器件在超高压应用中备受关注。文章重点探讨了22 kV SiC ETO晶闸管的理论设计与实验验证，展示了其在超高压电力电子转换中的应用潜力。
English Abstract
Controllable three terminal high voltage (>10 kV) power switches based on silicon carbide (SiC) material are gaining significant attentions since silicon (Si) power switches such as insulated gate bipolar transistors (IGBTs) are typically designed for much lower blocking voltages. After more than 30 years of commercial development, there is a fundamental limitation in designing Si IGBTs with more ...
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SunView 深度解读
该研究涉及超高压（22kV）SiC功率器件，对阳光电源未来布局中高压直流输电（HVDC）及大型储能系统（如PowerTitan系列）的功率密度提升具有前瞻性意义。虽然目前主流光伏和储能系统多采用1500V及以下电压等级，但随着电网侧储能向更高电压等级演进以降低系统损耗，SiC器件在高压领域的突破将助力阳光电源实现更高效的PCS拓扑设计。建议研发团队关注该类超高压器件在模块化多电平变换器（MMC）中的应用潜力，以提升系统整体转换效率。