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| 作者 | Xiucheng Huang · Weijing Du · Fred C. Lee · Qiang Li · Wenli Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | Cascode GaN 电容失配 Si MOSFET 雪崩 关断 发散振荡 软开关 |
语言:
中文摘要
共源共栅结构常用于高压常开型GaN器件。然而，高压GaN器件与低压常关型Si MOSFET之间的电容失配会导致不良特性，如Si MOSFET在关断期间进入雪崩状态，以及高压GaN器件内部丢失软开关条件等。本文针对大电流关断下的发散振荡问题进行了深入分析。
English Abstract
The cascode structure is widely used for high-voltage normally-on GaN devices. However, the capacitance mismatch between the high-voltage GaN device and the low-voltage normally-off Si MOSFET may induce several undesired features, such as Si MOSFET reaches avalanche during turn-off and the high-voltage GaN device loses zero-voltage switching turn-on condition internally during a soft-switching tur...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能PCS中对功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为关键技术趋势。该研究揭示了Cascode GaN在极端工况下的振荡机理，对公司优化高频功率模块设计、提升驱动电路可靠性具有重要指导意义。建议研发团队在开发下一代高功率密度组串式逆变器时，重点评估该电容失配效应，并通过优化驱动回路参数或采用集成化封装技术，规避潜在的雪崩风险，从而提升产品在复杂工况下的长期运行稳定性。