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短时续流下p-i-n二极管反向恢复电压模型
A Voltage Model of p-i-n Diodes at Reverse Recovery Under Short-Time Freewheeling
| 作者 | Yifei Luo · Fei Xiao · Bo Wang · Binli Liu · Yanfei Xia |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | p-i-n 二极管 反向恢复 短时续流 电压尖峰 功率变换器 开关速度 |
语言:
中文摘要
现代电力变换器的高频化和大容量化导致二极管在反向恢复过程中产生高电压尖峰。本文针对短时续流工况下p-i-n二极管的反向恢复特性进行研究，建立了一种电压模型，旨在分析高开关速度下产生的电压峰值，为功率器件的选型与驱动保护提供理论支撑。
English Abstract
Fast switching and large capacity in modern power converters generate large-voltage peak during the diode's reverse-recovery process. Being different from the steady-state reverse recovery, short-time freewheeling of diodes at higher speed switching may generate higher reverse-recovery voltage peak. In this paper, the reverse recovery of p-i-n diodes under short-time freewheeling in a typical powe...
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SunView 深度解读
该研究直接关联阳光电源核心产品（如组串式/集中式光伏逆变器及PowerTitan储能变流器）中功率模块的可靠性设计。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进，二极管反向恢复产生的电压尖峰是导致功率器件失效和电磁干扰的主要原因。通过该模型，研发团队可更精准地优化驱动电路参数，抑制电压尖峰，从而提升Si/SiC功率模块在极端工况下的可靠性，降低故障率，并为下一代高频电力电子变换器的设计提供关键技术储备。