基于同步脉冲补偿的Buck DC/DC变换器共模EMI抑制方法

碳 化 硅 场 效 应 管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)在快速导通关断时会产生高的dv/dt和di/dt,进而对其他设备造成严重的共模电磁干扰(electromagnetic interference,EMI).因此,为了提高电力电子系统的电磁兼容性,该文通过分析SiC MOSFET同步Buck DC/DC变换器共模 EMI 产生机理,进而提出一种基于同步脉冲补偿(synchronous pulses compensation,SPC)的新型共模EMI抑制方法.首先,建立基于SiC MOSFET同步Buck DC/DC变换器的共模EMI模型,并得出SiC MOSFET开关波形与共模EMI噪声之间的函数关系;其次,建立SiC MOSFET开关波形简化时域模型并预测共模 EMI 噪声频谱,同时理论分析基于 SPC 的共模 EMI 抑制方法可行性并建立基于FPGA的同步脉冲注入实现方案;然后,在实验中讨论非理想 SPC 以及共模电感所产生的影响;最后,通过实验验证SiC MOSFET同步Buck DC/DC变换器的共模EMI模型准确性以及基于SPC的共模EMI抑制方法的有效性.