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准两电平串联SiC MOSFET的浪涌电流分析与抑制方法
Analysis and Mitigation Method of Inrush Current for Quasi-Two-Level Series-Connected SiC mosfets
| 作者 | Yangjian Li · Jun Zeng · Yue Li · Jinghao Zheng · Qing Zhang · Zhuokai Wang · Renjun Hu · Junfeng Liu · Zhixing Yan |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 预计 2026年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 多电平 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 串联连接 准两电平 浪涌电流 电压自平衡 混合钳位 中压直流 |
语言:
中文摘要
串联SiC MOSFET是中压直流应用中平衡成本与性能的有效方案。本文针对准两电平（Q2L）调制策略下的混合钳位结构，分析了其在间接串联连接时的浪涌电流问题，并提出了相应的抑制方法，利用其固有的电压自平衡能力，无需额外复杂电路即可实现可靠运行。
English Abstract
Series-connected SiC mosfets is considered a promising approach for medium-voltage (MV) dc applications, providing an effective balance between cost and performance. In particular, based on quasi-two-level (Q2L) modulation strategy, the hybrid-clamping structure with indirect series connection is attractive due to its inherent voltage self-balancing capability, eliminating the need for additional ...
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SunView 深度解读
该研究对于阳光电源在中压光伏逆变器及大功率储能变流器（如PowerTitan系列）的功率模块设计具有重要参考价值。随着光伏系统向更高直流电压等级发展，SiC器件的串联应用是提升效率和功率密度的关键路径。该文提出的Q2L调制及浪涌抑制方法，能够有效解决多管串联带来的电压应力与可靠性挑战，有助于优化公司下一代高压组串式逆变器及中压储能PCS的拓扑设计，降低对复杂均压电路的依赖，从而提升系统整体的成本竞争力与运行稳定性。